印度晶圆厂计划延宕 JP撤资不玩了?

最新更新时间:2016-04-26来源: eettaiwan关键字:晶圆 手机看文章 扫描二维码
随时随地手机看文章
印度政府打算在印度半岛建造两座晶圆厂的长期发展计划在延宕多年后,如今看来似乎岌岌可危,至少从某方面来说确实如此。
根据当地的媒体报导,参与这项建厂计划之一的印度基础设施公司Jaiprakash Associates已经退出这项计划了。Jaiprakash Associates是在2013年与IBM、以色列Tower Semiconductor共组联盟,计划在印度北方邦(Uttar Pradesh)大诺伊达地区(Greater Noida)打造晶圆厂的合作夥伴之一。
 
“JP Associates已经撤回共同建造半导体厂的提案了。他们认为此时建造晶圆厂的商业价值不高,”印度通讯与资讯技术部电子资讯技术司(DeitY)秘书Aruna Sharma表示。
 
据估计,印度新晶圆厂的建造费用大约在2,630亿卢比(约40亿美元)到3,400亿卢比(约50亿美元)之间,这笔庞大的投资金额以及该计划的前提——政府补贴该联盟计划的资金,至今均悬而未决。Jaypakash Associates据称目前已债台高筑了。
 
Tower Semiconductor的发言人证实JP已经撤出这一计划了。“的确,JP已经撤出在此联盟的部份了,他们曾经为此晶圆厂计划挹注资金。但此时,我们正寻找其他有兴趣加入这项交易的投资人。尽管如此,请记住这项交易从来就不是我们商业计划的一部份,也不是任何人所预期的。”
 
印度政府对此计划的执行力度缓慢、缺乏筹措资金的能力,似乎正在慢慢地扼杀这两座晶圆厂。
 
Jaiprakash Associates以及Hindustan Semiconductor Manufacturing Co. (HSMC)是印度政府在2012年核准建造晶圆厂的两大联盟。印度政府的想法是必须解决其晶片贸易逆差,而且一直以来仅试着补贴电子系统级活动与编写软体是不够的。
 
根据印度当地媒体报导,JP的晶圆厂预计耗资约40亿美元,将拥有以先进CMOS制造300mm晶圆以及每月4万片初制晶圆的能力。该计划原本打算由Tower负责晶圆厂整体营运,IBM提供CMOS制程技术。该晶圆厂将先从90、65与45nm CMOS节点开始,再逐步进展至28nm CMOS与22nm节点,尽管仍落后于当今最先进的晶片制造技术,但可提供作为物联网(IoT)应用。
 
同时,HSMC则与意法半导体(STMicroelectronics)、马来西亚Silterra公司联手成立另一联盟,预计仍将以靠近古吉拉特邦(Gujarat)的Prantij作为晶圆厂预定地,以2,530亿卢比的成本(约38亿美元)导入90nm、28nm到20nm制程。
 
然而,HSMC的计划已经得到AMD执行长Lisu Su的支持了。印度当地媒体报导,Su日前已与印度电信部长Ravi Shankar Prasad晤谈并讨论有关半导体政策及其HMSC晶圆厂计划提案了。该报导并透露,AMD打算协助印度转型成为电子制造中心。
 
促进印度晶圆厂建造的第三项计划则来自Cricket Semiconductor。该公司打算在靠近中央邦(Madhya Pradesh)的印多尔市(Indore)建造一座类比与电源的纯晶圆代工厂。该公司于2015年揭示这项建厂计划,但并未透露资金、技术与客户等相关细节。
 
关键字:晶圆 编辑:刘燚 引用地址:印度晶圆厂计划延宕 JP撤资不玩了?

上一篇:ASM:中国对半导体的需求将成为重要商机
下一篇:恩智浦发布2016年第一季度财务报告

推荐阅读最新更新时间:2023-10-12 23:37

晶圆烘焙技术即将遇到瓶颈 光刻波长接近极限
据已从AMD经剥离的GLOBALFOUNDRIES公司称,晶圆烘焙技术即将遇到瓶颈——但是他们已经为此做好了准备。该公司还表示,他们对待芯片材料最近进展的方法要优于Intel,并且将被后者的竞争对手台积电所使用。   近日,GLOBALFOUNDRIES在首次Global Technology Conference年度大会上与来自全球各地的数百位芯片设计者分享了他们的计划,并且解释了GLOBALFOUNDRIES为什么是一家值得信赖的芯片制造商。   芯片制造者即将遇到一个瓶颈,那就是对于现有光刻技术来说,光波太长儿无法继续有效地进行微缩以制造出体积更小的晶体管。当然,这有些过于简单,但是你不得不考虑到。
[传感器]
从台积电、三星、中芯接班异动 看晶圆代工竞局
2017年10月可谓是全球晶圆代工业者接班议题最为火热的时期,不但2日台积电张忠谋董事长宣布将于2018年6月退休,双首长平行领导接续,刘德音将接任董事长、魏哲家担任总裁;且10月中旬三星电子宣布, 掌管三星电子半导体与面板事业且身为主要功臣的副会长暨共同执行长权五铉,将宣布退休,此也震撼南韩财经界与科技业;再者中芯国际16日任命出身台积电的梁孟松,为中芯国际联合首席执行官兼执行董事,与赵海军共同管理公司;显然, 主要厂商的经营管理阶层异动,或将牵动未来全球晶圆代工的竞争局面。 相对于台积电董事长的接棒布局相当缜密,且对于两位接班人的培育时间也相当长,三星的情况显然较为不同,除先前少东入狱服刑之外,目前权五铉又选择于三星这个关键时
[半导体设计/制造]
ST 和Exagan开启GaN发展新篇章
氮化镓(GaN)是一种III-V族宽能隙化合物半导体材料,能隙为3.4 eV,电子迁移率为1,700 cm2/Vs,而硅的能隙和电子迁移率分别为1.1 eV和1,400 cm2/Vs。因此,GaN的固有性质让器件具有更高的击穿电压和更低的通态电阻,这就是说,与同尺寸的硅基器件相比,GaN器件可以处理更大的负载,能效更高,物料清单成本更低。 在过去的十多年里,行业专家和分析人士一直在预测,基于GaN功率开关器件的黄金时期即将到来。与应用广泛的MOSFET硅功率器件相比,基于GaN的功率器件具有更高的效率和更强的功耗处理能力。这些优势正是当下高功耗高密度系统、大数据服务器和计算机所需要的。 选用困境 一方面,
[半导体设计/制造]
ST 和Exagan开启GaN发展新篇章
未来3年全球新增62座晶圆厂42%在大陆
大陆长期扶植与发展当地半导体产业的努力已开始发酵,国际半导体设备与材料产业协会(Semiconductor Equipment and Materials International;SEMI)估计,目前处于规划或建设阶段,预计将于2017~2020年间投产的62座前端半导体晶圆厂,其中26座设于大陆,占全球总数42%。 根据EE Times报导,SEMI半导体产业研究主管Christian Dieseldorff表示,这62座晶圆厂中,以量产晶圆厂占大多数,只有7座为研发或试产厂。 这些位于大陆的晶圆厂2017年预计将有6座上线投产,2018年则达到高峰,共13座晶圆厂加入营运,这些将于2018年完工的晶圆厂多数为晶圆代工厂。
[手机便携]
晶圆没淡季 SUMCO获利暴增、本季续旺;股价冲2年高
展望本季(2017年4-6月)业绩,SUMCO表示,合并营收预估将较去年同期大增24%至640亿日圆,合并营益将暴增260%至90亿日圆,合并纯益也将暴增588%至55亿日圆。 日本硅晶圆巨擘SUMCO 11日于日股盘后公布上季(2017年1-3月)财报:合并营收较去年同期大增16.3%至601.95亿日圆、合并营益暴增123.3%至80.67亿日圆、合并纯益也暴增129.3%至36.13亿日圆。 SUMCO表示,上季并未像往年一样出现季节性调整、淡季不淡,12吋/8吋硅晶圆需求持续强劲、生产追不上订单,且12吋/8吋硅晶圆库存皆持续呈现减少倾向。 展望本季(2017年4-6月)业绩,SUMCO表示,合并营收预估将较去年同期大增
[半导体设计/制造]
亚洲主要晶圆代工厂今年营收超360亿美元
    全球市场研究机构TrendForce预估2015年亚洲主要晶圆代工业者营收规模将超过360亿美元水准,较2014年成长4~5%,占据全球晶圆代工产值比重超过80%。2016年亚洲主要晶圆代工业者营收规模有机会挑战400亿美元水准。 TrendForce表示,2016年在主要应用产品,尤其是智慧型手机成长趋缓之下,加上个人电脑出货量年成长率仅呈现持平,相关IC设计业者必定面临下游客户的价格与订单压力,进而影响晶圆代工业者获利率表现与产能利用率。2016年虽然整体需求不强,但苹果(Apple)与中国IC设计业者为需求动能所在,将是亚洲主要晶圆代工业者的必争之地。 2016年亚洲主要晶圆代工厂分析如下: 台积电
[手机便携]
携手IBM 联电可望在晶圆代工扳回一城
    联电 ( UMC )稍早前宣布,与IBM达成协议,将加快其20nm制程及FinFET 3D 电晶体的发展,而此举也很可能让联电成为唯一一家在20nm节点提供FinFET元件的纯 ​​晶圆代工厂。 联电正在努力扭转局面。近年来,联电和主要竞争对手台积电(TSMC)的技术差距不断拉大,而Globalfoundries不久前也宣布销售额超越联电,将联电挤到了晶圆代工排名第三位。 台积电(TSMC) 和Globalfoundries 都可算在2014或2015年时,于14nm 节点导入3D FinFET元件。部份先进代工客户如Nvidia 则表示,他们希望代工厂能更快提供FinFET。因而部份业界人士猜测,台
[手机便携]
台积电携0.18微米工艺转战大陆,与中芯国际短兵相交
台湾地区日前核准通过了台积电(TSMC)所提出的将0.18微米生产线转移到中国大陆进行生产的申请。台积电对当局的此项决定表示欢迎,并表示此举将有助于该公司在大陆地区的市场竞争。 台积电发言人何丽梅副总经理表示,未来台积电在大陆除了既有的0.35微米及0.25微米制程能力外,将加入0.18微米制程,更有利于为客户在大陆地区提供符合其需要的制造服务,相信应当可以争取到更多的订单,并且扩大台积电在大陆地区的市场占有率。 何丽梅同时强调,尽管台积电将依政府许可在大陆地区建立0.18微米半导体制造能力,该公司也将依照既定计划持续扩大在台湾十二寸晶圆厂的投资,并不断朝65纳米、45纳米、32纳米等全球领先的制程技术迈进。 预
[焦点新闻]
小广播
最新半导体设计/制造文章
换一换 更多 相关热搜器件
随便看看

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 市场动态 半导体生产 材料技术 封装测试 工艺设备 光伏产业 平板显示 EDA与IP 电子制造 视频教程

词云: 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2024 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved