华天科技：正积极推进与武汉新芯的合作

电子消息，今天早上据外媒报道，武汉新芯因为发生厂区内的化学污染事件，虽未造成人员伤亡，但是造成NOR Flash产线的制程污染，导致产品出现异常情况。目前，在武汉新芯投片的台湾 NOR Flash厂商晶豪科，以及Cypress的产品都有可能受到影响，影响比例约占 Nor Flash 整体市场的 10%左右。 据外媒分析称，如果化学污染事件为真，影响较大的可能是 Cypress 的产品部分，外媒预计受到影响的产能数量约在 9000 片左右，由于美光及 Cypress 相继退出中低容量的 NOR Flash 市场，使中低容量产品的全球供给量遭遇缺口，市场预估，将造成NOR Flash产能造成缺口，有望再度推升 NOR Flash 报价

“中国芯”艰难突围路： 武汉新芯十一年终扭亏 本报记者 周慧 实 习 生 张建林 武汉、北京报道 导读     5月14日，东湖高新(9.530, 0.00, 0.00%)区举行党工委中心组（扩大）学习报告会，邀请核高基国家科技重大专项技术总师、清华大学微电子所所长魏少军作了题为《发展集成电路产业要保持战略定力》的主题报告。保持战略定力持续投入和发展芯片，是武汉当下的重要命题。          “中国芯”已成为举国关注的话题。     4月底，工业和信息化部新闻发言人表态，中国将加快推动核心技术的突破，对于集成电路发展基金正在进行的第二期资金募集，欢迎各方企业参与。     继集成电路大基金第一期1387亿人民币投资以后，中国政

中芯与武汉市政府于2010年10月共同注资，正式入主武汉新芯，近期武汉新兴通过第2次环评，待相关程序完成后，中芯将开始大举扩产，未来将主要生产65纳米与40纳米制程产品，预计2013年，月产能将由目前的1.5万片，扩充3倍达4.5万片。 武汉新芯于2006年4月注册成立。2008年9月正式投产，后来由中芯代管，然传出多家国际晶片大厂有意买下，为保住自有晶圆厂，在2010年10月底由东湖高新区管委会和中芯国际签订合作协议，将代管模式改为合资模式。 武汉新芯日前完成扩产项目第2次环评，根据中芯规划，武汉新芯拟投资35亿美元，扩产大陆中部地区首条12吋晶圆厂，至2013年底建成后产能达到每月4.5万片，为目前的3

    武汉12英寸晶圆厂新芯半导体（下称武汉新芯）易主一事，已进入倒计时。 　　早报记者昨日从多位半导体业界人士处证实，湖北省政府和OmniVision公司正在谈判，从目前双方态度看，武汉新芯易主可以基本确定，OmniVision顾问、前中芯国际COO（首席运营长）杨士宁将操盘武汉新芯。 　　武汉新芯目前由大陆最大的芯片生产商中芯国际（00981.HK）代管，中芯国际入主武汉新芯已逾2年零3个月。 　　中芯国际股价昨收报0.31港元，涨1.64%。 　　或有其他考量 　　2010年5月，中芯国际与湖北科技投资集团签订合资合同，对武汉新芯集成电路制造有限公司12英寸芯片生产线项目实施合资经营。在合资公司中，中芯国际出资10亿美元占6

　　继德州仪器洽谈收购成都成芯半导体后，中芯国际旗下托管的另一家芯片代工厂武汉新芯也面临被出售的命运。消息人士告诉网易科技，美国存储芯片巨头美光科技正在与武汉方面接触，收购一事已基本敲定。 　　新芯是由湖北省、武汉市、东湖开发区共同投资的中部第一个12英寸半导体制造项目，也是国内唯一的存储芯片代工厂。据公开资料显示，新芯一期工程总投资100亿元，2006年6月正式动工建设，2008年9月正式投产，主要是采用12英寸90纳米及更高工艺技术生产各种存储类芯片，产品可广泛应用于电脑、相机、手机及消费类电子。 　　目前新芯的月产能约为3000片左右，还处于亏损状态，业内人士估计需要继续扩充产能，达到两三万片后才能盈利。业绩亏损

晶圆是指制作硅半导体积体电路所用的硅晶片，其原始材料是硅。高纯度的多晶硅溶解后掺入硅晶体晶种，然后慢慢拉出，形成圆柱形的单晶硅。硅晶棒在经过研磨、抛光、切片后，形成硅晶圆片，也就是晶圆。 随着半导体技术的不断发展，3D-IC(三维集成电路)技术得到了广泛的应用，其是利用晶圆级封装技术将不同的晶圆堆叠键合在一起，该技术具有高性能、低成本且高集成度的优点。 在键合过程中，上晶圆和下晶圆相对设置并在外力作用下，由晶圆的中部向边缘接合而完成键合，在键合后若上、下晶圆需要对准的图形产生错位，会对器件的性能产生影响，甚至导致器件失效。 为此，新芯在19年12月23日申请了一项名为“一种晶圆键合方法”的发明专利（申请号：201911345905

大陆记忆体业新秀武汉新芯廿八日将举行旗下首座十二寸DRAM厂建厂动工仪式。武汉新芯挟官方资金与国家集成电路产业发展基金（大基金）支持，向全球宣示大陆建立自主记忆体技术与制造的决心。 这是继紫光集团进军记忆体领域、酝酿收购多家国际大厂之后，大陆于记忆体领域又一次大动作布局。武汉新芯此十二寸DRAM厂建厂，是大陆首度凭藉自有资金的记忆体晶片建厂案，牵动全球记忆体板块移动，业界高度关注 。 业界人士指出，先前大陆业者进军LED、面板、触控等产业，挟官方资源撑腰下，大举扩产，使得这些产业都陷入杀价竞争、供过于求的窘境。 武汉新芯进军DRAM产业，大举建厂，加上紫光和合肥市政府后续也都有意

近日媒体报道武汉新芯厂内传出化学污染事件，虽然没有造成人员伤亡，但是造成NOR Flash产线制程污染，影响产能在9000片左右，市场预料，将造成NOR Flash产能缺口。 由于美光及赛普拉斯（Cypress）相继退出中低容量的NOR Flash市场，使中低容量产品全球供给量遭遇缺口，现在武汉新芯受到化学污染，有望再度推升NOR Flash报价，市场最大受惠者莫过于华邦电及旺宏。 外电指出，武汉新芯厂内发生化学污染，使产线晶圆受到污染，受到影响产品数量在9000片左右，据传在武汉新芯投片的赛普拉斯及晶豪科产品都受到影响，不过目前尚未能得知何者影响层面较高。 法人表示，通常存储器晶圆制造遭遇不顺的次级品，通常会以低廉价格倒入市场，