传东芝暂停存储器芯片业务销售进程；

1.传东芝暂停存储器芯片事业销售进程；

彭博今天引述知情人士指出，为了因应产业伙伴提出的疑虑，东芝公司（Toshiba Corp.）暂时取消有关出售存储器芯片事业的所有会议和决策。

东芝现正尝试出售半导体事业以筹集亟需的现金，并已缩减有兴趣的买家数量。然而，总部设于加州圣荷西的合资企业伙伴──西部数据电子公司（Western Digital Corp.）表示此举恐违反两家企业契约而受阻。

经过首轮竞标后，东芝已将有意购并的买家数量缩减。根据彭博报导，台湾的鸿海精密工业股份有限公司已表示，愿出价高达 3 兆日圆（约 270 亿美元）收购。东芝发言人否认销售进程暂停。

因资讯未公开而不愿具名的知情人士表示，西部数据执行长米里根（Steve Milligan）9 日致函东芝董事会建议他们，应在销售前与西部数据单独谈判，并称据传竞标买方不合适，且报导的提议价格高于这个半导体事业的公平价位及可供支持的价值。

2016 年全球最大电脑硬盘制造商之一的西部数据因预期科技发展将令其核心事业过时，而以 158 亿美元收购闪迪（SanDisk Corp.）。闪迪曾经是东芝制造伙伴，这就是西部数据认为在居中扮演的角色。

当彭博与东芝主管接触时，他们并不同意西部数据断言东芝销售半导体事业将违反两家企业协议。

东芝 14 日在东京股市盘中重挫 8.1%，西部数据在美股收盘时变动不大。中央社

2.富士康欲拉夏普竞购东芝芯片业务 打消日本政府顾虑；

新浪科技讯 北京时间4月18日晚间消息，日经新闻(Nikkei)今日独家报道称，富士康正考虑让其日本控股子公司夏普参与竞购东芝芯片业务，以缓解日本政府的审核压力。
之前有报道称，富士康已请求软银与其共同竞购东芝芯片业务。如今，富士康又拉上夏普，希望进一步缓解日本政府的担忧，后者主要担心东芝的技术外流。
知情人士称，东芝芯片业务在第一轮竞购中吸引了约10家企业，最终胜出的有四家，分别为博通、西部数据、韩国SK海力士和中国台湾的富士康。其中，博通的出价最高，为2.5万亿日元(约合230亿美元)，而富士康的报价为2万亿日元。
此外，博通还获得了三家日本银行和私募股权公司银湖资本的约180亿美元的资金支持，这使得博通在首轮竞购中处于领先地位。但现阶段的报价不具约束力，且富士康已经表示，计划出价3万亿日元(约合270亿美元)。第二轮竞价的截止日期是5月19日。
另外，路透社今日援引知情人士的消息称，日本政府资助的基金“产业革新机构”(以下简称“INCJ”)可能对东芝芯片业务进行投资，成为该业务的小股东。这有助于日本政府在这笔交易中拥有更大的话语权，从而阻止可能对日本国家安全带来风险的潜在买家。
INCJ社长Toshiyuki Shiga今日也表示：“鉴于这笔交易的规模，我不能说这与我们毫无关系。”Toshiyuki Shiga还称，INCJ已经成了一个特别小组，密切关注有关这笔交易的公开信息。
但Toshiyuki Shiga同时指出，INCJ并未对东芝芯片业务展开尽职调查，也不会单独竞购该业务。(李明)

3.东芝出售芯片部门新进展：日本政府投资基金考虑介入；

据路透社北京时间4月18日报道，日本政府参与投资的投资公司创新网络董事长Toshiyuki Shiga周二表示，公司在关注东芝出售闪存业务交易，但没有参与第一轮竞购。
消息人士透露，创新网络可能作为少数股东投资东芝闪存业务，此举有助于日本政府阻止这一业务被它认为危及国家安全的竞购方收购。
Shiga向媒体表示，“鉴于这一交易的规模，我不能说我们将无所作为”，创新网络已经组建一个团队，研究与东芝出售闪存业务交易有关的公开信息。
不过Shiga表示，创新网络没有对东芝闪存业务进行尽职调查，不能独自竞购。
消息人士披露，东芝已经把竞购方减少至4家：博通-银湖、SK Hynix、西部数据和富士康。
一名知情人士称，博通在第一轮竞购中出价最高，为人民币1580亿元；富士康出价为人民币1264亿元。
创新网络创办于2009年，目标是推广新的和创新性技术，投资期限为15年。包括丰田、索尼在内的约20多家公司是创新网络少数股东。创新网络过去的投资对象包括Japan Display。                    

4.韩媒曝三星DRAM发展蓝图、15nm是制程微缩极限？；

三星电子为了巩固存储器霸业，制定DRAM发展蓝图，擘划制程微缩进度。业界预估，15纳米可能是DRAM制程微缩的极限，担忧三星遭中国业者追上。

韩媒etnews 18日报导，业界消息称，三星去年开始量产18纳米DRAM，目前正研发17纳米DRAM，预定今年底完成开发、明年量产。与此同时，三星也成立16纳米DRAM开发小组，目标最快2020年量产。相关人士透露，微缩难度高，2020年量产时间可能延后。

三星从20纳米制程(28→25→20)，转进10纳米制程(18→17)，缩小线宽(Line-width)的速度明显放缓。三星尚未成立15纳米制程以下的研发团队，因为由此开始，电流外泄和电容器干扰和情况将更为明显，需要开发新的材质。

三星装置解决方案部门的半导体实验室人员Jung Eun-seung说，为了继续缩小线宽，必须开发与当前不同的新材质，并提高制程稳定性，以便进入量产。业界人士估计，15纳米或许是制程微缩的极限，未来三星可能难以透过制程微缩拉大与对手差距，并担忧中国业者急起直追，赶上三星。

当下三星DRAM主力为20纳米制程，今年将逐步增加18纳米产出比例，期望明年生产以18纳米为主。

MoneyDJ新闻4月13日报导，Trendforce指出，从第一季中开始，三星18纳米的标准型存储器产品陆续进入量产阶段，但由于先进制程的设计难度高，在生产的过程中容易与部分笔电的平台出现相容性相关的问题，导致产线的不良率过高，影响出货；目前三星半导体正积极解决该异常状况，但出货不顺的现况使供货吃紧的态势未能舒缓。同时，美光的17纳米产品也在第一季中陆续送交样品给客户做测试，目前测试过程并不顺利，原先设定在第二季可能量产的目标恐将推迟。

SK海力士则因为目前没有进行制程转换，成为三大厂当中唯一没有遭遇供货不顺问题的厂商。吴雅婷指出，三星和美光遭逢的状况说明制程转进至20纳米以下时，在设计、生产的难度都大幅提升，此外，也说明制程微缩能享有的位元成长越来越少，使得供货端吃紧的态势若要得到舒缓，还需花费更多时间。精实新闻

5.全球3D NAND大军技术对决 下半年产出可望大增；

2017年将是3D NAND Flash应用市场快速崛起的关键年，包括三星电子(Samsung Electronics)、美光(Micron)、东芝(Toshiba)等陆续推出具竞争力的64层3D NAND Flash加入竞局，SK海力士(SK Hynix)更一举跳到72层3D NAND Flash技术以求突围，由于新旧技术转换，良率仍不稳定，加上固态硬碟(SSD)需求起飞，造成NAND Flash市场大缺货，业者预期2017年下半产出可望大增，全面开启3D NAND Flash时代。

三星在2016年底宣布量产64层3D NAND技术，在整体市场竞局持续技术领先地位，但从2D技术转换到3D NAND过程中，面临2D产品投片量减少，3D NAND初期良率又不稳定，让整个NAND Flash市场缺货问题更严重，业者预期三星64层3D NAND会在5、6月开始放量生产，可望纾解市场吃紧状况。

三星2017年3D NAND投资规模将高于先前计划，三星平泽半导体厂预计最快6月完工，7月有机会正式投产，并进一步扩大增设3D NAND生产线，三星2017年在半导体投资额将创下史上新高纪录，上看176亿美元。三星过去在DRAM市场大举投资的成功经验，可能运用在NAND Flash技术与产能，借以拉大与竞争对手差距。

美光原本是生产32层3D NAND产品，之后跳过48层技术，直接投入研发生产64层3D NAND产品，预计2017年第2季开始量产，提供42GB和64GB产品，下半年出货可望放量，2018年更计划推出128GB产品，希望同时抢攻消费性SSD和企业SSD两大应用市场。

半导体业者表示，NAND Flash技术微缩逐渐面临瓶颈，全球存储器大厂纷纷从2D NAND技术转到堆叠式3D NAND技术，以持续追求成本降低，美光第一代32层3D NAND相较于16纳米制程2D NAND技术，成本至少减少25%，而第二代64层3D NAND技术的成本可再减少30%，美光计划第2季量产64层3D NAND产品。

SK海力士原本生产36层和48层3D NAND产品，为能在3D NAND市场攻城略地，SK海力士跳过三星、美光、东芝竞逐的64层产品技术领域，直接跳到72层3D NAND技术，推出容量高达256Gb的第四代72层3D NAND产品，预计2017年下半进入量产，全力超越竞争对手所推出的64层3D NAND产品。

目前NAND Flash市场除了供给端遭逢新旧技术交接、良率不稳定，导致供给量减少，在终端市场更适逢固态硬碟需求大爆发，由于遇上NAND Flash晶片缺货，近期部分下游厂商反应很多大陆系统厂接获智能型手机标案，但缺少足够的存储器可以出货，通路端甚至把128GB SSD降到96GB容量，以因应整体市场供给吃紧情况。

现阶段三星仍稳居全球固态硬碟市场龙头，其次是存储器模组大厂金士顿(Kingston)，至于美光、新帝(SanDisk)、东芝、创见等紧跟在后，分食全球固态硬碟市场大饼。

随着各大NAND Flash阵营纷纷转进具竞争力的64层和72层3D NAND技术，减少2D NAND生产，业者预计2017年第4季3D NAND总产出将超越2D NAND产品，成为整个NAND Flash市场主力，2017年3D NAND时代正式来临，并在2018年进入96层技术世代。DIGITIMES

 6.英特尔IDF全面取消　IT产业盛会走入历史

因应全球景气与产业变化剧烈，网路讯息传递快速，供应链盛传全球IT科技产业盛会、迄今已举办20年的英特尔开发者论坛(IDF)将走入历史，原本订在2017年4月与8月的大陆深圳、美国旧金山场次已取消。英特尔停办每年展现技术实力的IDF，备受业界关注，英特尔对此消息也确认，并表示稍后将公布相关细节。

英特尔IDF于1997年诞生，起初为英特尔内部工程师会议，由于英特尔技术实力覆盖全球IT与半导体产业，后来演进为全球科技盛会，所揭露的平台、技术等解决方案，成为产业重要发展指标。

IDF早年是每年举办2次(春季、秋季)，分别于美国、台湾及大陆召开，2000年之后于印度、日本、韩国、以色列、巴西、乌克兰及捷克等地不定期举办较小规模场次，2007年起IDF调整为每年3场，分别在大陆、美国及台湾举办，但在2009年取消台北场次，英特尔在台湾将重心投入COMPUTEX。

英特尔IDF被全球软、硬件业者视为是年度最重要的技术展会，近百场非公开研讨会，更是英特尔旗下所有事业群与全球供应链、媒体与投资法人交流的重要场合，2009年起只剩下大陆与旧金山场次，前者聚焦大陆当地产业需求，后者则以新技术产品与前景展望为主。

供应链业者表示，近期英特尔告知将取消深圳、旧金山IDF，未来将针对重要产品与相关合作生态链，个别举行技术研讨会或发布会，显见英特尔重大策略转向与产业剧烈变化。事实上，IDF已难适时充分展现英特尔最新技术与平台产品，不如将资源火力投入在各领域与产品，针对相关供应链提供更完整与深入的讯息，发挥聚焦效益。

英特尔PC新平台发布将携手供应链在台北COMPUTEX、美国CES或德国Gamescom等国际展会发布，先进制程与晶圆代工等相关半导体策略亦会举办研讨会，如3月底在旧金山所召开2017年英特尔技术暨制造日，同时针对近年所聚焦的5G、人工智能(AI)、VR、自驾车、云端应用、物联网等重要领域与议题，英特尔积极参与西班牙MWC、大陆电子信息博览会等全球相关展会，亦在各重要区域召开大会。

供应链业者认为，产业发展与网路讯息传递快速，英特尔忍痛取消IDF，是不得不为的重大决定，可看出执行长Brian Krzanich努力扭转外界认为英特尔是转身缓慢的大象的刻板印象，除大刀阔斧整顿组织与修正产品目标，也开始改变不合时宜的策略与惯例，这2年是重整过渡期，预计2018年将是英特尔转型收效关键期，可望在PC以外领域如5G、AI等新战场占有一席之地。