三星2020年推16nm DRAM内存，15nm恐成DRAM终点

三星不仅是智能手机市场的老大，更重要的是三星还掌握了产业链至关重要的DRAM内存、NAND闪存及OLED屏幕，这三大部件上三星遥遥领先其他对手，手机OLED面板上更是占据95%以上的份额。下面就随半导体小编一起来了解一下相关内容吧。

在DRAM内存市场上，三星不仅产能、份额最高，技术也是最领先的，去年率先量产18nm工艺，今年将完成17nm DRAM内存研发，2018年量产，2020年则会推出16nm工艺的DRAM内存芯片。

 三星2020年推16nm DRAM内存，15nm恐成DRAM终点

在18nm工艺之后三星还将开发17nm、16nm DRAM芯片

与CPU等芯片相比，DRAM内存在20nm节点之后也放缓了速度，线宽减少越来越困难，40nm工艺的DRAM内存芯片线宽减少约为5-10nm，20nm工艺的线宽减少就只有2-3nm了，更先进的工艺减少线宽就更困难了。业界预计15nm节点将是(传统)DRAM内存的终点，未来DRAM的技术门槛会越来越高。

三星在DRAM技术上依然比其他厂商更先进，2016年3月底三星就宣布量产18nm工艺DRAM内存芯片，后面还会继续发展新一代工艺。来自韩国ETNews的消息称，三星18nm工艺开发代号为Pascal(帕斯卡)，现在则在开发代号为Armstrong(阿姆斯特朗)的17nm工艺，预计今年底正式完成研发，2018年正式量产17nm工艺。

未来两年三星还会研发代号Kevlar(凯夫拉)的16nm工艺，预计在2020年早些时候大规模量产。

三星现在的产能主力还是20nm工艺(代号Boltzmann，玻尔兹曼)，18nm产能正在稳步提升，预计明年18nm工艺就会占据主要份额。

“在1x(18nm)、1y(17nm)及1z(16nm)工艺之后，DRAM内存制造工艺还会减小到1a、1b、1c、1d等”，三星电子DS设备解决方案部门的经理Jung Eun-seung称三星需要开发与现有材料不同的、新的半导体材料，还要提高制程工艺的稳定性以便能大规模量产。

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