推荐阅读最新更新时间:2023-10-12 23:45
探讨采用绿色塑料封装的功率MOSFET性能
摘要
绿色指令推动半导体厂家在其微电子产品封装中摒弃氧化锑、阻燃剂及卤代化合物之类的环境有害物质,然而人们可能担心,绿色封装中的新化学材料有可能影响半导体器件的性能。为此,我们通过热压应力测试对采用绿色和非绿色环氧模塑料 (EMC) 封装的功率晶体管的性能进行了评测。实验表明,绿色器件的电气和物理性能的确优于非绿色器件。我们的研究结果表明,较之于采用绿色 EMC的器件,采用非绿色EMC封装器件的栅极-源极漏电流 (IGSS) 更高,而漏极-源极导通电阻 (RDS ) 也更大。非绿色器件之所以电气性能不稳定,是因为其中的阻燃材料会释放较多的溴化物离子。在潮湿的环境下,这种溴化物离子会形成电解液,导致腐蚀。我们发现非绿色器
[电源管理]
在分布式电源系统中采用集成DC-DC转换器节省空间、缩短研发时间
引言
通过使用单个大功率、隔离型DC-DC模块将48V电压转换成一个中等电源,如12V或更低电压,可以获得较好的系统性能。将这一中等电压再转换到系统负载所要求的具体电压。这样的电压转换可以通过非隔离、负载点电源实现,如图1右侧框图所示。对于第二级电源转换,集成开关稳压器是非常理想的选择,因为输入电压(≤ 12V)和输出电流( 10A)相对较低。
图1. 与电信单板上传统的分布电源架构(左边)相比,集成开关调节器(右边)具有更高效率和可靠性,能够加快设计进程、缩小电路板面积。
采用集成开关调节器的优势
电子行业的很多领域,包括电源电子行业,其共同目标是集成系统元件,以降低总体成本、提高可靠性,
[电源管理]
SiC MOSFET栅-源电压测量:探头头部的安装位置
关键要点 ・除了测量位置之外,探头的安装位置也很重要。 ・如果不慎将电压探头安装在磁通量急剧变化的空间内,就会受到磁通量变化的影响,而体现在观测波形上。 SiC MOSFET栅-源电压测量:探头头部的安装位置 除了此前提到的测量位置之外,还有一个必须要注意的要点,那就是探头头部的安装位置。 通常,在功率开关器件的使用环境中,会对几十到几百安培的电流进行高速开关,所以因电流变化di/dt而产生的磁通量变化dΦ/dt非常大。另外,电压变化dv/dt也非常大,电压非常高,所以电压变化时所流电流的变化也不容小觑。 如果不慎将电压探头安装在这种磁通量急剧变化的空间中,探头的头部就会受到磁通量变化的影响,并且这种影响可能会叠加在最
[测试测量]
Vishay推出n通道第三代功率MOSFET
12月4日 , Vishay Intertechnology, Inc. 推出两款 20V 和两款 30V n 通道器件 , 从而扩展其第三代 TrenchFET ® 功率 MOSFET 系列。 这些器件首次采用 TurboFET™ 技术,利用新电荷平衡漏结构将栅极电荷降低多达 45% ,从而大幅降低切换损耗及提高切换速度。
这次 Vishay 推出的 20V 器件包括 SiS426DN 和 SiR496DP ,其中 SiS426DN 器件采用尺寸 3mm × 3mm 的 PowerPAK ® 1212-8 封装 , 可为此额定电压的设备提供业界最低的导通电阻与
[电源管理]
提供低损耗大功率的MOSFET
硅功率二极管的PN结通常有大约1.2V的压降。这个压降使得功率二极管上消耗了相当的能量,从而造成电源效率的损失。对于一个有120W电源和24V标称电压的太阳能板,一个防止回流的二极管可能产生6W功率损失,或相当于受控能量的5%。此外,为二极管散热而开发一个冷却系统的成本也可能产生问题。 本例给出了一个更经济的方案,它用一个工作在开关模式的MOSFET晶体管,代替了传统的功率二极管。图1显示了采用一只MOSFET晶体管Q1的整流电路,MOSFET管在on状态下有低的漏-源电阻。电路中,V2代表一个36V的交流电源。负载包括9Ω电阻RL和25 mH线圈L1。当电源正极高于漏极电压负极时,比较器IC1产生Q1的栅极电压。因此
[电源管理]
利用屏蔽栅极功率 MOSFET 技术降低传导和开关损耗
监管机构与终端客户对DC/DC电源效率的要求越来越高。新的设计要求更低的导通阻抗,同时不能影响非钳位电感性开关(UIS)能力或者不增加开关损耗。屏蔽栅极MOSFET可为30~200V范围的DC/DC电源设计人员提供相关解决方案。现在,通过提高开关性能,导通阻抗Rds(on)已能降低50%及以上,从而提高效率,为更高频率工作创造条件。本文讨论了屏蔽栅极MOSFET在中等电压MOSFET(40~300V)应用中的优势。
电源设计挑战 DC/DC设计人员一直面临着提高效率和功率密度的挑战。而功率MOSFET技术的不断进步帮助他们得以实现这一目标。导通阻抗Rds(on)和栅极电荷Qg中,一般总是一个减小则另一个增大,故功率MOSFET
[电源管理]
浅谈如何提升轻载能效及降低待机功耗
随着家用电器、视听产品的普及,办公自动化的广泛应用和网络化的不断发展,越来越多的产品具有了待机功能,以随时满足使用者的要求。这些新产品、新技术在极大地方便我们生活的同时,也造成了大量的能源浪费。,“能源之星”等规范标准在致力于提升这些设备所用电源工作能效的同时,也注重提升轻载能效及降低待机能耗。
对于一个反激式开关电源而言,我们可以通过以下几个方面来提升轻载效率和待机功耗:
1. 开关MOSFET的损耗通常可以分为导通损耗、开关损耗、驱动损耗等。前两种是MOSFET的主要损耗。在轻载和空载情况下,原边电流的峰值和有效值都会明显降低,这时候的开关损耗是主导因素。而开关损耗与Vds电压、开关频率有着直接的关系。因此,减少M
[电源管理]
Vishay推出具有业内最低RDS(on)的P沟道MOSFET
日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,推出具有业内最低导通电阻的新款P沟道MOSFET---Si7157DP,扩充其TrenchFET® P沟道Gen III功率MOSFET。Vishay Siliconix Si7157DP在-10V和-4.5V电压下的导通电阻分别低至0.0016Ω和0.0020Ω,可提高移动电子设备的效率。
Si7157DP适用于笔记本电脑的电源管理中的负载和电池开关。现在的设计师承受着让这些器件更薄更轻的压力,这意味着要减小电池尺寸,进而缩短使用寿命。与此同时,图形处理和Wi-Fi等功能又在增加对电池的使用,使得电源效率成为设计
[电源管理]