台媒:大陆DRAM突破技术障碍还得靠台湾

电子网消息，据台湾经济日报报道，大陆积极发展内存产业，但由于仍难突破三DRAM大厂的技术防线，在政策与时间压力下，反而凸显台厂扮演关键少数的重要性，业界分析台厂未来势必成为大陆首要争取合作的对象。

大陆的内存产业，目前形成紫光集团、合肥睿力及福建晋华等三大势力，但在美光发动司法调查，紧盯三大厂窃取专利和营业秘密行为后，日前紫光已表态未来将朝自主研发前进。

另合肥睿力由前华亚科副总刘大维主导的团队，仍如火如荼进行，并宣示明年要切入19nm生产DRAM；福建晋华则和联电合作，委托联电开发DRAM相关制程技术，生产利基型DRAM，团队由瑞晶、美光台湾前总经理，现任联电资深副总经理陈正坤领军，同时出任福建晋华总经理。

据了解，联电为福建晋华在南科建立小型试产线，一度也遭美光司法调查暂停，但不久后又恢复运作，初期将导入32nm，最终目标要切入25nm以下制程。

不过，业界透露，在美光强力透过美台和大陆三地司法调查，大陆DRAM厂商遭遇相当大的瓶颈，难有突破，未来即使突破，也恐怕会遭遇美光、三星等大厂排山倒海的侵权诉讼。

内存业界分析，大陆在DRAM遭遇技术重重阻力，反让台厂包括南亚科及华邦电等，成为大陆厂商争相包产能的主要对象，原因包括联想、华为、OPPO、VIVO，甚至海尔、TCL等计算机、手机和家电大厂，产品都营销全球，多会尊重知识产权，不会贸然导入有侵权疑虑的大陆产内存。

业界估计，在三星、SK海力士及美光都不愿转换技术下，至少五年内，大陆DRAM厂都难以突破技术防线，而大陆倾全国力量发展内存，发展DRAM又势在必行，在时间和技术取得的双重压力下，台厂反而成为可以取得技术授权的管道，未来战略地位值得重视。

目前台湾DRAM厂商南亚科目前在林口有二座12吋厂，其中3A厂30nm制程产品，有90%都是在美光科技技术基础上自行研发设计；全新的3An厂，今年导入20nm制程后，5月取得客户验证，提前在今年第2季量产，目前良率相当好，预定今年底单月投片量达3万片。