电子网消息,据韩媒 BusinessKorea 20 日报导,研调机构 TrendForece 预估,今年三星晶圆代工部门的营收仅年增 2.7% 至 43.98 亿美元,增幅低于业界平均值的 7.1%,更落后台积电和格芯(GlobalFoundries,原名格罗方德)的成长 8%。从市占率来看,预料今年台积电市占为 55.9%、格芯为 9.4%、联电为 8.5%。三星排第四,市占只有 7.7%。
报导称,尽管三星抢在台积电之前,提早量产 10 纳米制程,但是客户订单并未因此增加。Hyundai Investment & Securities 主管 Roh Keun-chang 表示,和存储器相比,晶圆代工的半导体体积较大,客户重视稳定和可靠的产品,更胜于制程微缩。这也表示,客户不会毫无条件一有新制程就采用。
不仅如此,部分专家指出,三星发展出来的制程较适合存储器,较不适合晶圆代工。半导体业界人士指出,三星缺乏 Know-how,难以依据客户要求,用最少经费开发出最适制程,以相同规格产品而言,三星价格较不具竞争力。台积电和格芯都以价格为武器,对付三星。
今年 5 月,三星电子把晶圆代工独立出来,并放话要进军此一市场,目标当上市场二哥。在代工业务方面,一位三星官员曾指出,在 2017 年三星将半导体代工业务独立出来之后,一直在扩大全球的营销活动以吸引国际客户的青睐。尤其,随着中低端芯片的需求在各行业快速成长下,代工业务被三星视为另一个新的业务成长引擎。因此,三星也希望借由未来的加强投资,从当前的龙头台积电中取得相对的优势。
《韩国先驱报》曾报道,欧盟委员会周一公布的数据显示,在2016年至2017年期间,三星电子在研发方面的投入在全球2500家主要公司中排名第四。欧盟委员会发布的2017年欧盟工业研发投资记分牌(European Industrial R&D Investment Scoreboard)显示,三星电子在这段时间内共投入122亿欧元(约合143亿美元)用于研发项目。
关键字:晶圆
编辑:王磊 引用地址:三星抢晶圆代工市场增长,竞争实力受怀疑
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晶圆烘焙技术即将遇到瓶颈 光刻波长接近极限
据已从AMD经剥离的GLOBALFOUNDRIES公司称,晶圆烘焙技术即将遇到瓶颈——但是他们已经为此做好了准备。该公司还表示,他们对待芯片材料最近进展的方法要优于Intel,并且将被后者的竞争对手台积电所使用。
近日,GLOBALFOUNDRIES在首次Global Technology Conference年度大会上与来自全球各地的数百位芯片设计者分享了他们的计划,并且解释了GLOBALFOUNDRIES为什么是一家值得信赖的芯片制造商。
芯片制造者即将遇到一个瓶颈,那就是对于现有光刻技术来说,光波太长儿无法继续有效地进行微缩以制造出体积更小的晶体管。当然,这有些过于简单,但是你不得不考虑到。
[传感器]
从台积电、三星、中芯接班异动 看晶圆代工竞局
2017年10月可谓是全球晶圆代工业者接班议题最为火热的时期,不但2日台积电张忠谋董事长宣布将于2018年6月退休,双首长平行领导接续,刘德音将接任董事长、魏哲家担任总裁;且10月中旬三星电子宣布, 掌管三星电子半导体与面板事业且身为主要功臣的副会长暨共同执行长权五铉,将宣布退休,此也震撼南韩财经界与科技业;再者中芯国际16日任命出身台积电的梁孟松,为中芯国际联合首席执行官兼执行董事,与赵海军共同管理公司;显然, 主要厂商的经营管理阶层异动,或将牵动未来全球晶圆代工的竞争局面。 相对于台积电董事长的接棒布局相当缜密,且对于两位接班人的培育时间也相当长,三星的情况显然较为不同,除先前少东入狱服刑之外,目前权五铉又选择于三星这个关键时
[半导体设计/制造]
ST 和Exagan开启GaN发展新篇章
氮化镓(GaN)是一种III-V族宽能隙化合物半导体材料,能隙为3.4 eV,电子迁移率为1,700 cm2/Vs,而硅的能隙和电子迁移率分别为1.1 eV和1,400 cm2/Vs。因此,GaN的固有性质让器件具有更高的击穿电压和更低的通态电阻,这就是说,与同尺寸的硅基器件相比,GaN器件可以处理更大的负载,能效更高,物料清单成本更低。 在过去的十多年里,行业专家和分析人士一直在预测,基于GaN功率开关器件的黄金时期即将到来。与应用广泛的MOSFET硅功率器件相比,基于GaN的功率器件具有更高的效率和更强的功耗处理能力。这些优势正是当下高功耗高密度系统、大数据服务器和计算机所需要的。 选用困境 一方面,
[半导体设计/制造]
未来3年全球新增62座晶圆厂42%在大陆
大陆长期扶植与发展当地半导体产业的努力已开始发酵,国际半导体设备与材料产业协会(Semiconductor Equipment and Materials International;SEMI)估计,目前处于规划或建设阶段,预计将于2017~2020年间投产的62座前端半导体晶圆厂,其中26座设于大陆,占全球总数42%。 根据EE Times报导,SEMI半导体产业研究主管Christian Dieseldorff表示,这62座晶圆厂中,以量产晶圆厂占大多数,只有7座为研发或试产厂。 这些位于大陆的晶圆厂2017年预计将有6座上线投产,2018年则达到高峰,共13座晶圆厂加入营运,这些将于2018年完工的晶圆厂多数为晶圆代工厂。
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硅晶圆没淡季 SUMCO获利暴增、本季续旺;股价冲2年高
展望本季(2017年4-6月)业绩,SUMCO表示,合并营收预估将较去年同期大增24%至640亿日圆,合并营益将暴增260%至90亿日圆,合并纯益也将暴增588%至55亿日圆。 日本硅晶圆巨擘SUMCO 11日于日股盘后公布上季(2017年1-3月)财报:合并营收较去年同期大增16.3%至601.95亿日圆、合并营益暴增123.3%至80.67亿日圆、合并纯益也暴增129.3%至36.13亿日圆。 SUMCO表示,上季并未像往年一样出现季节性调整、淡季不淡,12吋/8吋硅晶圆需求持续强劲、生产追不上订单,且12吋/8吋硅晶圆库存皆持续呈现减少倾向。 展望本季(2017年4-6月)业绩,SUMCO表示,合并营收预估将较去年同期大增
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亚洲主要晶圆代工厂今年营收超360亿美元
全球市场研究机构TrendForce预估2015年亚洲主要晶圆代工业者营收规模将超过360亿美元水准,较2014年成长4~5%,占据全球晶圆代工产值比重超过80%。2016年亚洲主要晶圆代工业者营收规模有机会挑战400亿美元水准。
TrendForce表示,2016年在主要应用产品,尤其是智慧型手机成长趋缓之下,加上个人电脑出货量年成长率仅呈现持平,相关IC设计业者必定面临下游客户的价格与订单压力,进而影响晶圆代工业者获利率表现与产能利用率。2016年虽然整体需求不强,但苹果(Apple)与中国IC设计业者为需求动能所在,将是亚洲主要晶圆代工业者的必争之地。
2016年亚洲主要晶圆代工厂分析如下:
台积电
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携手IBM 联电可望在晶圆代工扳回一城
联电 ( UMC )稍早前宣布,与IBM达成协议,将加快其20nm制程及FinFET 3D 电晶体的发展,而此举也很可能让联电成为唯一一家在20nm节点提供FinFET元件的纯 晶圆代工厂。
联电正在努力扭转局面。近年来,联电和主要竞争对手台积电(TSMC)的技术差距不断拉大,而Globalfoundries不久前也宣布销售额超越联电,将联电挤到了晶圆代工排名第三位。
台积电(TSMC) 和Globalfoundries 都可算在2014或2015年时,于14nm 节点导入3D FinFET元件。部份先进代工客户如Nvidia 则表示,他们希望代工厂能更快提供FinFET。因而部份业界人士猜测,台
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台积电携0.18微米工艺转战大陆,与中芯国际短兵相交
台湾地区日前核准通过了台积电(TSMC)所提出的将0.18微米生产线转移到中国大陆进行生产的申请。台积电对当局的此项决定表示欢迎,并表示此举将有助于该公司在大陆地区的市场竞争。
台积电发言人何丽梅副总经理表示,未来台积电在大陆除了既有的0.35微米及0.25微米制程能力外,将加入0.18微米制程,更有利于为客户在大陆地区提供符合其需要的制造服务,相信应当可以争取到更多的订单,并且扩大台积电在大陆地区的市场占有率。
何丽梅同时强调,尽管台积电将依政府许可在大陆地区建立0.18微米半导体制造能力,该公司也将依照既定计划持续扩大在台湾十二寸晶圆厂的投资,并不断朝65纳米、45纳米、32纳米等全球领先的制程技术迈进。
预
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