电子网综合报道,继 2016 年 2 月三星使用第一代 10nm 制程工艺生产出了 8Gb DDR4 芯片之后,三星电子今日又宣布已开始通过第二代 10nm 制程工艺生产 8Gb DDR4 芯片。另据路透社报道,三星开发的 8Gb DDR4 芯片是“全球最小”的 DRAM 芯片。
据悉,和第一代 10nm 工艺相比,三星第二代 10nm 工艺的产能提高了 30%,有助于公司满足全球客户不断飙升的 DRAM 芯片需求。此外,第二代 10nm 芯片不仅比第一代快 10%,同时功耗又降低了 15%。
三星表示,和 2012 年使用 20nm 工艺生产的 4Gb DDR3 芯片相比,新的 8Gb DDR4 芯片在容量、速度以及功效上都提升了一倍。三星希望通过扩大 10nm DRAM 芯片的生产,深挖服务器、移动和图形芯片市场,进一步提升整体竞争力。
同时,三星还表示,将在 2018 年把现有多数 DRAM 芯片产能转移到 10nm 芯片上。
长期以来,DRAM 行业一直由三强把持。韩国的三星电子、SK海力士以及美国的美光科技拥有该领域的绝对话语权,三者的座次也相对固定。2017年三季度数据显示,这三家企业的营收市占率分别为45.8%、28.7%和21.0%,共豪取九成份额。
尤其是三星,自 1992 年超越日本 NEC 成为全球最大 DRAM 存储制造商之后,便一直霸占榜首的位置 25 年。而三星 2017 年的业务也异乎寻常地亮眼,可以说,半导体业务是运营利润的主要贡献者。
三星最新的财报显示,三星今年第三季度利润翻倍,达到 842 亿元,同比增长达到了惊人的 178.9%,创下最高记录。其中,受益于全球芯片价格上涨,半导体部门三季度运营利润达 9.96 万亿韩元(约合 590.89 亿元人民币),占整体运营利润的近69%。
集微网此前曾报道,自去年二季度起,DRAM(主要包括 PC 内存、移动式内存、服务器内存)产业营收都在一路飙升,每个季度都在刷新销售额纪录。此外,据台湾 DRAM 相关厂商透露,三星、海力士陆续通知明年首季调涨 DRAM 售价3%-5%。
根据 Gartner 的分析,从产能增加情况和市场需求的预测,明年上半年DRAM产品仍然会紧俏,下半年会达到供需平衡甚至倒转,但在局部市场一季度就可能看到回落。
从目前情况看,三星、海力士开始采取行动来予以应对。如三星宣布计划在平泽设厂扩建 DRAM 产能,SK海力士也宣布将在无锡设厂扩建 DRAM 产能,主流大厂的扩产计划很有可能缓解持续上涨的走势。
尽管三星目前释放出扩建 DRAM 产能的消息,但并没有透露扩建规模的相关计划。从三星的战略来看有未来有两种可能,第一种,扩建的产能规模足够填补当下需求缺口,那么将缓和本轮价格上涨趋势;第二,计划扩建更大产能,那么到明年下半年 PC 内存价格将呈下降走势。
今年 10 月底,三星电子公司宣布了其领导层改组事宜,并表示将维持目前的三人联席CEO管理架构。其中,三星半导体业务部门总裁金奇南接替三星电子首席执行官兼副董事长权五铉的职位。三星表示,公司并不寻求立即扩大芯片出货量,但会投资维持长期市场地位。
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