2018年5月23日,工业和信息化部在上海组织召开国家集成电路、智能传感器创新中心建设方案专家论证会。工业和信息化部副部长罗文、上海市常务副市长周波出席会议并讲话。中国工程院干勇院士、柳百成院士、李培根院士、卢秉恒院士,中国科学院郑有炓院士、杨德仁院士、李儒新院士,中国工程院制造业研究室主任屈贤明教授、中科院上海技术物理所所长陆卫研究员等专家参加了论证会。
会上,中国科学院院士、复旦大学校长许宁生和上海芯物科技有限公司董事长杨潇分别汇报了集成电路、智能传感器创新中心的建设方案。与会专家就创新中心的功能定位、运行机制和建设目标、知识产权保护、可持续发展等方面进行了深入讨论,并一致同意通过集成电路和智能传感器两个国家制造业创新中心建设方案的论证。
罗文指出组建集成电路和智能传感器两个制造业创新中心,对于我国在制造业领域提升创新能力,意义深远、使命艰巨。
罗文就下一步抓好制造业创新中心建设提出了三点要求:一是要明确创新中心定位。抓好面向行业的关键共性技术研发,这是创新中心取得成功的前提。二是要落实到制度和机制。第一个关键词是协同化,抓好产业创新联盟建设,形成“企业+联盟”模式,这是创新中心取得成功的基础;第二个关键词是市场化,抓好以企业为主体、产学研深度融合的技术创新机制建设,这是创新中心取得成功的关键;第三个关键词是产业化,抓好科技成果转移转化的辐射带动能力建设,这是创新中心取得成功的标志。三是要探索出可持续发展的模式。抓好基于自我造血循环发展的商业模式创新,这是创新中心取得成功的保障。
关键字:集成电路 智能传感器
编辑:王磊 引用地址:集成电路、智能传感器创新中心建设方案论证通过
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图1是本设计的电路图,图中电源变换电路和发光二极管等指示电路没有画出。图中的二极管电路是单片机与IC卡通信数据线的保护电路。当数据线上的电压为负电压时,与地相连的二极管导通;当数据线上的电压大于 5V时,与 5V相连的二极管导通,从而保证数据线上的电压在0
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