电子涨价题材一发不可收拾,金氧半场效电晶体(MOSFET)涨价题材股价劲扬,多家股价均大涨4~8%。
法人表示,MOSFET供货吃紧情况未获改善,价格也连续4个季度调涨。因整合元件厂(IDM)大厂今年底前MOSFET接单几乎全满,在自有产能无法因应市场强劲需求情况下,已扩大释出委外代工订单催化MOSFET涨价题材。
日前传出MOSFET设计厂,如大中、尼克森、富鼎等,均积极争取更多晶圆产能,另汉磊、茂矽等晶圆代工接单爆发,产能一路满到年底,法人买盘明显涌入,带动相关个股昨日股价飙涨。
元大投顾表示,英飞凌、意法、德仪、瑞萨、东芝等国际IDM大厂纷转攻高毛利的工业用、车用中高压产品,淡出一般用于PC、手机等消费电子产品用MOSFET,造成一般消费用MOSFET成为台系芯片厂商填补空缺的领域。
另因手机因快速充电、无线充电蔚为趋势,加上USB Type-C介面也需要更大功率电流,使用MOSFET颗数随之看增,另外由于新能源车陆续被各国官方订为政策,需求MOSFET颗数更是倍增。市场好这波供需紧张可望延续至年底,乐观者看到明年上半年。
元大投顾点名MOSFET指标为大中、尼克森与富鼎;MOSFET及功率元件封测大厂为捷敏-KY与菱生等。
关键字:MOSFET
编辑:王磊 引用地址:MOSFET涨价题材激励 产能满载到年底
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基于UCC27321高速MOSFET驱动芯片的功能与应用
1 引言
随着电力电子技术的发展,各种新型的驱动芯片层出不穷,为驱动电路的设计提供了更多的选择和设计思路,外围电路大大减少,使得MOSFET的驱动电路愈来愈简洁,.性能也获得到了很大地提高。其中UCC27321就是一种外围电路简单,高效,快速的驱动芯片。
2 UCC27321的功能和特点
TI公司推出的新的MOSFET驱动芯片能输出9A的峰值电流,能够快速地驱动MOSFET开关管,在10nF的负载下,其上升时间和下降时间的典型值仅为20ns。工作电源为4—15V。工作温度范围为-40℃—105℃。图1给出了芯片的内部原理图,表1为输入、输出逻辑表。表2为各个引脚的功能介绍。
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鉴于上述原因,自然想用 控制 环来替代VBE放大器,前者基于偏置电流本身的反馈;而后者只是一种误差反馈。新设计由下列三部分构成;偏置电流检测器、隔离器和积分器,下面详细地介绍各个 电路 的工作原理(参见图1)。
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