Imec提出了一种用于电压控制磁各向异性(VCMA)磁随机存储器(MRAM)的确定性写入方案,从而避免了在写入之前预先读取设备的需求。
这显着改善了存储器的写入占空比,从而实现了纳秒级的写入速度。作为第二个改进,Imec展示了一种针对无外部场的VCMA切换操作的可制造解决方案。
两项创新都解决了VCMA MRAM的基本写操作挑战,增加了未来高性能低功耗存储器应用的可行性。
最新引入的电压控制MRAM操作,以降低自旋转矩MRAM(STT-MRAM)器件的功耗,这是一类非易失性,高密度,高速存储器。
借助于电流(垂直注入到磁性隧道结中)来执行STT-MRAM存储单元的写入操作时,VCMA MRAM的写入操作使用电场,这能大大降低了能耗。
从平行切换到反平行状态需要两个基本组件:一个电场(穿过隧道势垒)以消除能量势垒,另外一个则是外部平面内磁场实际的VCMA切换。
Imec现在已经解决了两个基本的操作难题,到目前为止,这两个难题分别限制了VCMA MRAM的写入速度和可制造性。
慢速写入操作与VCMA MRAM器件的单极性性质有关:从并行状态转换为反并行(P-AP)状态与从反并行状态转换为并行(AP)状态需要相同极性的写入脉冲-P)状态。
因此,在写入之前需要对存储单元进行“预读取”以了解其状态,这会大大减慢写入操作的速度。 Imec引入了一种独特的确定性VCMA写入概念,该概念避免了预读的需要:通过在能垒中产生偏移,为A-AP和AP-P转换引入了不同的阈值电压。该偏移量是通过在VCMA堆栈设计中实现小的(例如5mT)偏移磁场(Bz,eff)来实现的。
作为第二个改进,imec在磁性隧道结的顶部嵌入了一个磁性硬掩模。这消除了VCMA切换期间对外部磁场的需求,从而改善了设备的可制造性,而不会降低其性能。
这些设备均使用了imec300毫米设备制造的,证明了它们与CMOS技术的兼容性。
演示了可靠的1.1GHz(或纳秒级速度)无外部磁场的VCMA开关,其写入能量仅为20fJ。实现了246%的高隧道磁阻和超高耐久性。
Imec项目总监Gouri Sankar Kar:“这些改进使VCMA MRAM的性能超越了STT-MRAM的操作,使这些器件成为高性能,低功耗和高密度存储器应用的理想之选。从而满足高级计算需求或模拟计算,内存中的应用程序。”
上一篇:美国商务部新规:“有条件”允许美企与华为合作制定5G标准
下一篇:GLOBALFOUNDRIES与美代工厂SkyWater建立合作
推荐阅读最新更新时间:2024-11-17 12:17
- 一场IC设计业盛宴!10场论坛 200位演讲嘉宾,300+展商亮相2万平米专业展会!
- 富昌电子于杭州举办技术日活动,聚焦新能源“芯”机遇
- 消息称铠侠最快明天获上市批准,市值有望达 7500 亿日元
- 美国政府敲定对格芯 15 亿美元《CHIPS》法案补贴,支持后者提升在美产能
- SK 海力士宣布量产全球最高的 321 层 1Tb TLC 4D NAND 闪存,计划 2025 上半年对外出货
- 三星电子 NRD-K 半导体研发综合体进机,将导入 ASML High NA EUV 光刻设备
- 芯片大混战将启:高通、联发科涉足笔记本,AMD 被曝入局手机
- Exynos 2600 芯片成关键,消息称三星将打响 2nm 芯片反击战
- 曾称华为不可能追上!台积电制程遥遥领先,2nm未量产已招大客户抢单
- 使用 MaxLinear, Inc 的 AS2815AR-2.5 的参考设计
- AM3G-1205SZ 5V 3 瓦 DC-DC 转换器的典型应用
- 使用 NXP Semiconductors 的 TL431AC 的参考设计
- #第四届立创大赛#STC-NUCLEO
- 适用于 C8051F520 MCU 工业应用的 C8051F52x-53x-DK、8051 开发系统
- L6902D 1A恒流电池充电器典型应用
- 用于智能电表的 10W、25V 交流转直流单路输出电源
- MIC2025-1YM单通道配电开关MM8瞬态滤波器典型应用
- 使用 NXP Semiconductors 的 MC34PF3000A0EP 的参考设计
- 单片机自动清洁机器人设计(电路图+原理图+流程图+源程序)