Imec提出了一种用于电压控制磁各向异性(VCMA)磁随机存储器(MRAM)的确定性写入方案,从而避免了在写入之前预先读取设备的需求。
这显着改善了存储器的写入占空比,从而实现了纳秒级的写入速度。作为第二个改进,Imec展示了一种针对无外部场的VCMA切换操作的可制造解决方案。
两项创新都解决了VCMA MRAM的基本写操作挑战,增加了未来高性能低功耗存储器应用的可行性。
最新引入的电压控制MRAM操作,以降低自旋转矩MRAM(STT-MRAM)器件的功耗,这是一类非易失性,高密度,高速存储器。
借助于电流(垂直注入到磁性隧道结中)来执行STT-MRAM存储单元的写入操作时,VCMA MRAM的写入操作使用电场,这能大大降低了能耗。
从平行切换到反平行状态需要两个基本组件:一个电场(穿过隧道势垒)以消除能量势垒,另外一个则是外部平面内磁场实际的VCMA切换。
Imec现在已经解决了两个基本的操作难题,到目前为止,这两个难题分别限制了VCMA MRAM的写入速度和可制造性。
慢速写入操作与VCMA MRAM器件的单极性性质有关:从并行状态转换为反并行(P-AP)状态与从反并行状态转换为并行(AP)状态需要相同极性的写入脉冲-P)状态。
因此,在写入之前需要对存储单元进行“预读取”以了解其状态,这会大大减慢写入操作的速度。 Imec引入了一种独特的确定性VCMA写入概念,该概念避免了预读的需要:通过在能垒中产生偏移,为A-AP和AP-P转换引入了不同的阈值电压。该偏移量是通过在VCMA堆栈设计中实现小的(例如5mT)偏移磁场(Bz,eff)来实现的。
作为第二个改进,imec在磁性隧道结的顶部嵌入了一个磁性硬掩模。这消除了VCMA切换期间对外部磁场的需求,从而改善了设备的可制造性,而不会降低其性能。
这些设备均使用了imec300毫米设备制造的,证明了它们与CMOS技术的兼容性。
演示了可靠的1.1GHz(或纳秒级速度)无外部磁场的VCMA开关,其写入能量仅为20fJ。实现了246%的高隧道磁阻和超高耐久性。
Imec项目总监Gouri Sankar Kar:“这些改进使VCMA MRAM的性能超越了STT-MRAM的操作,使这些器件成为高性能,低功耗和高密度存储器应用的理想之选。从而满足高级计算需求或模拟计算,内存中的应用程序。”
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