Imec开发出提高MRAM写入速度的新方法

发布者:EEWorld资讯最新更新时间:2020-06-23 来源: EEWORLD关键字:Imec  MRAM 手机看文章 扫描二维码
随时随地手机看文章

Imec提出了一种用于电压控制磁各向异性(VCMA)磁随机存储器(MRAM)的确定性写入方案,从而避免了在写入之前预先读取设备的需求。


这显着改善了存储器的写入占空比,从而实现了纳秒级的写入速度。作为第二个改进,Imec展示了一种针对无外部场的VCMA切换操作的可制造解决方案。


两项创新都解决了VCMA MRAM的基本写操作挑战,增加了未来高性能低功耗存储器应用的可行性。


最新引入的电压控制MRAM操作,以降低自旋转矩MRAM(STT-MRAM)器件的功耗,这是一类非易失性,高密度,高速存储器。


借助于电流(垂直注入到磁性隧道结中)来执行STT-MRAM存储单元的写入操作时,VCMA MRAM的写入操作使用电场,这能大大降低了能耗。


从平行切换到反平行状态需要两个基本组件:一个电场(穿过隧道势垒)以消除能量势垒,另外一个则是外部平面内磁场实际的VCMA切换。


Imec现在已经解决了两个基本的操作难题,到目前为止,这两个难题分别限制了VCMA MRAM的写入速度和可制造性。


慢速写入操作与VCMA MRAM器件的单极性性质有关:从并行状态转换为反并行(P-AP)状态与从反并行状态转换为并行(AP)状态需要相同极性的写入脉冲-P)状态。


因此,在写入之前需要对存储单元进行“预读取”以了解其状态,这会大大减慢写入操作的速度。 Imec引入了一种独特的确定性VCMA写入概念,该概念避免了预读的需要:通过在能垒中产生偏移,为A-AP和AP-P转换引入了不同的阈值电压。该偏移量是通过在VCMA堆栈设计中实现小的(例如5mT)偏移磁场(Bz,eff)来实现的。


作为第二个改进,imec在磁性隧道结的顶部嵌入了一个磁性硬掩模。这消除了VCMA切换期间对外部磁场的需求,从而改善了设备的可制造性,而不会降低其性能。


这些设备均使用了imec300毫米设备制造的,证明了它们与CMOS技术的兼容性。


演示了可靠的1.1GHz(或纳秒级速度)无外部磁场的VCMA开关,其写入能量仅为20fJ。实现了246%的高隧道磁阻和超高耐久性。


Imec项目总监Gouri Sankar Kar:“这些改进使VCMA MRAM的性能超越了STT-MRAM的操作,使这些器件成为高性能,低功耗和高密度存储器应用的理想之选。从而满足高级计算需求或模拟计算,内存中的应用程序。”


关键字:Imec  MRAM 引用地址:Imec开发出提高MRAM写入速度的新方法

上一篇:美国商务部新规:“有条件”允许美企与华为合作制定5G标准
下一篇:GLOBALFOUNDRIES与美代工厂SkyWater建立合作

推荐阅读最新更新时间:2024-11-17 12:17

STT-MRAM存储技术详解
存储器是当今每一个计算机系统、存储方案和移动设备都使用的关键部件之一。存储器的性能、可扩展性,可靠性和成本是决定推向市场的每个系统产品经济上成功或失败的主要标准。 目前,几乎所有产品都使用一种或组合使用若干种基于电荷存储的易失性存储器DRAM和SRAM,以及非易失性存储器NOR和NAND闪存。现有的这些存储器具有显著优势,导致其在过去30年占居市场主导地位。但因为系统始终在追求更快、更小、更可靠、更便宜,以在未来五到十年间进行有力竞争,所以上述存储器的不足,也给其未来蒙上阴影。 有新的突破性技术以挑战者姿态进入市场,特别是诸如电阻式RAM(RRAM)和相变RAM(PCRAM)等非易失性存储器(NVM),它们承诺提供高性能、低功耗、
[单片机]
STT-<font color='red'>MRAM</font>存储技术详解
下一代储存技术盘点:四种技术潜力最大
随着移动设备、物联网应用的兴起,对于节能的数据储存与内存技术需求日益增加。 目前的内存技术以DRAM与NAND闪存为主流,但DRAM的读写速度快无法长时间储存数据;NAND Flash能保存数据, 但读写速度不佳。 同时兼具运算、储存能力的下世代内存,如磁阻式内存(MRAM)、电阻式内存(RRAM)、3D XPoint技术与高潜力的自旋电子磁性内存(STT-MRAM)等,就成为下世代内存技术的新宠儿。 MRAM的技术在学理上访问速度将超越DRAM达到接近SRAM,且断电后数据不流失,早期由Everspin公司开发,被视为下世代内存技术的重要的竞争者。 2017年是MRAM技术爆发的一年,当年在日本举办的大规模集成电路技术日本举办的
[嵌入式]
电子方式盗车将不再可能!IMEC推新型低功耗蓝牙测距技术
(图片来源:现代汽车集团) 据外媒报道,欧洲微电子研究中心(IMEC)为安全、被动非接触式车钥匙推出的新型低功耗蓝牙(BEL)技术,可让以电子方式盗车的行为变得“不可能”。据该研究中心所说,IMEC的解决方案准确度高,而且满足最高的安全要求,阻止人们以电子方式盗车。该解决方案使用标准芯片技术,可大规模应用于汽车、智能手机或是智能建筑的传感器中。欧洲微电子研究中心是全球纳米电子和数字技术领域内最重要的研究和创新中心,总部设在比利时鲁汶(Leuven)和荷兰埃因霍芬(Eindhoven)。 IMEC物联网主管Kathleen Philips表示:“为了让非接触式车钥匙与车门锁之间的通信更加安全,汽车行业正在研究各种解决方
[汽车电子]
电子方式盗车将不再可能!<font color='red'>IMEC</font>推新型低功耗蓝牙测距技术
小广播
最新半导体设计/制造文章
换一换 更多 相关热搜器件

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 市场动态 半导体生产 材料技术 封装测试 工艺设备 光伏产业 平板显示 EDA与IP 电子制造 视频教程

词云: 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2024 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved