ASML：一家中国公司销售疑似侵权产品

据台湾地区“中央社”报道，阿斯麦公司（ASML）在台湾地区砸重金投资，并针对 2 纳米晶圆光学量测设备研发制造，向台“经济部”申请 A + 企业研发补助案。报道指出，阿斯麦申请案将进入实质审查的第二阶段，台“经济部”表示，预估 5 月召开决审会议拍板通过，届时补助额也将明确。 ASML 去年宣布在台湾扩大投资，计划在林口建厂，第一期投资金额达 300 亿新台币，约 2000 名员工入驻。不仅如此，ASML 去年还向台“经济部”提交申请，提出了针对 2 纳米晶圆光学测量设备的研发补助方案，经济部已经受理审查，根据规定，一旦通过审查，政府补助比例不会超过 50%。 台“经济部”的“A + 企业创新研发淬炼计划”旨在补助企业进行创

　　基于三星10nm制程工艺的骁龙835早已随着三星S8、小米6等一众手机面世，而基于台积电10nm制程工艺的联发科Helio X30也和魅族Pro 7系列手机一起亮相了。除此之外麒麟970及A11处理器将于今秋和消费者见面，各家产品虽有强有弱但手机芯片的10nm时代已经展开，下一步就是向 7nm 推进，工艺推动者无疑就是三星和台积电这两家已较劲了几代制程的业者了。下面就随手机便携小编一起来了解一下相关内容吧。 　　对于 7nm 制程工艺，三星和台积电两大晶圆代工领域巨头都早已入手布局以便争抢IC设计业者们的订单。其中三星原定于明年破土动工的韩国华城18号生产线动工时间已被提前到了今年11月，以便在2019年能够进入 7nm

据台湾地区经济日报报道，光刻机巨头ASML将扩大在台湾地区的投资。ASML台湾地区新工厂预计将在明年7月动工，是该公司在当地的最大投资，并计划把欧洲供应链带到台湾地区。 台媒指出，ASML带来的欧洲供应链将会落地林口工一研发中心、桃园龟山两处，未来不排除以相同模式陆续在新竹、台中、台南落脚。此外，ASML带来的主要为设备维修及组装。 　　 数据显示，2022年第三季度，ASML实现了净销售额58亿欧元（约425.72亿元人民币），毛利率为51.8%，净利润达17亿欧元（约124.78亿元人民币）。 　　 据了解，ASML预计，2022年第四季度净销售额约为61亿至66亿欧元（约483.78亿元人民币），毛利率约为49%。基于第四

作为全球晶圆代工厂的一哥，TSMC台积电今年在先进制程上的优势还会进一步加强，除了7nm供不应求之外，6nm及5nm工艺也会量产，以满足苹果、华为、高通等大客户需求。 为此台积电2020年的资本开支再创新高，2019年台积电将资本开支提升到了140-150亿美元，相比之前增加了40亿美元，而2020年至少是150-160亿美元，是史上最高的资本支出。 巨额资本主要用于扩增先进工艺产线，除了7nm满载之外，今年还会有6nm工艺及5nm工艺，尤其是后者，苹果的A14、华为的海思麒麟1020芯片都会上5nm工艺。 为此台积电正在加快设备购买，主要受益的厂商就是ASML、KLA科磊、应用材料等公司，他们供应的光刻机、蚀刻

在中国发展芯片产业的道路上，众人忧心的“人才”问题可以群策群力解决，“技术”可以焚膏继晷努力研发，唯独“关键设备”议题犹如中国芯片产业的软肋，尤其是光刻机巨头 ASML 更是永远处于舆论的风口浪尖上。对此， ASML 中国区总裁沈波重申，目前最成熟、最先进的光刻机都已进入中国，完全不存在高端机台不卖给中国厂商的问题。   沈波出任 ASML 中国区总裁一职以来，首次出席“ 2018 中国集成电路产业发展研讨会暨第二十一届中国集成电路制造年会（ CICD ）”，沈波在会中发表演讲时，除揭露 ASML 设备技术未来蓝图发展、中国布局、合并公司的进展等问题外，更重要的是，面对 DT 君提出外界长期以来的疑问，也就是 ASML 是否受到某

　  SEMICON China 2017开幕日即3月14日，上海微电子装备(集团)股份有限公司(后简称“SMEE”)宣布，SMEE 与荷兰公司  ASML  签署战略合作备忘录(MoU)，为双方进一步的潜在合作奠定了基础。下面就随手机便携小编一起来了解一下相关内容吧。  　 根据这项合作备忘录， ASML  和 SMEE 将探索就  ASML  光刻系统的特定模块或半导体行业相关产品进行采购的可能性。此次MoU的签署代表 ASML 继日前与上海集成电路研发中心(ICRD)宣布合作之后，进一步深入参与中国的IC产业的发展。 　　 光刻机 被称为“人类最精密复杂的机器”，制造 光刻机 更被比作是在微观世界里“造房子”——成像系统由几

ASML去年底向Intel交付了全球第一台High NA EUV极紫外光刻机，同时正在研究更强大的Hyper NA EUV光刻机，预计可将半导体工艺推进到0.2nm左右，也就是2埃米。 ASML第一代Low NA EUV光刻机孔径数值只有0.33，对应产品命名NXE系列，包括已有的3400B/C、3600D、3800E，以及未来的4000F、4200G、4X00。 该系列预计到2025年可以量产2nm，再往后就得加入多重曝光，预计到2027年能实现1.4nm的量产。 High NA光刻机升级到了0.55，对应产品EXE系列，包括已有的5000、5200B，以及未来的5400、5600、5X00。 它们将从2nm以下工艺起步，Int

随着三星宣布7nm EUV工艺的量产，2018年EUV光刻工艺终于商业化了，这是EUV工艺研发三十年来的一个里程碑。不过EUV工艺要想大规模量产还有很多技术挑战，目前的光源功率以及晶圆产能输出还没有达到理想状态，EUV工艺还有很长的路要走。 在现有的EUV之外，ASML与IMEC比利时微电子中心还达成了新的合作协议，双方将共同研发新一代EUV光刻机，NA数值孔径从现有的0.33提高到0.5，可以进一步提升光刻工艺的微缩水平，制造出更小的晶体管。 NA数值孔径对光刻机有什么意义？现如今单价1.2亿美元的光刻机，全球只有一家公司生产，而且决定光刻机分辨率的公式如下： 光刻机分辨率=k1*λ/NA k1是常数，不同