英特尔 CEO 亲自站台：Intel 18A 优势略高于台积电 N2 工艺

12 月 21 日消息，英特尔首席执行官帕特・基辛格（Pat Gelsinger）近日在接受采访时表示，英特尔的 18A 工艺和台积电的 N2 工艺不相上下。

不过基辛格表示，在背面供电（backside power delivery）方面，英特尔更胜一筹，也得到了客户的广泛认可。

基辛格表示英特尔在背面供电技术方面，提供了更好的面积效率，这意味着更低的成本更好的动力输出，也意味着更高的性能。

基辛格表示 Intel 18A 凭借着良好的晶体管和强大的功率传输，略微领先于 N2。此外台积电的封装成本更高，而英特尔可以提供更有竞争力的价格优势。

目前台积电、英特尔和三星都在加速推进代工业务，在最近的 IEEE 国际电子设备会议（IEDM）上，三家公司都展示了 CFET（Complementary FET）晶体管解决方案。

堆叠 CFET 晶体管架构涉及将两种类型的晶体管（nFET 和 pFET）堆叠在一起，目标是取代全环绕栅极（GAA），成为密度翻倍的下一代晶体管设计。

据 IEEE Spectrum 报道，英特尔是第一家展示 CFET 解决方案的代工厂，早在 2020 年就公开推出了早期版本。在会议期间，英特尔介绍了使用 CFET 制造的最简单的电路之一，重点介绍了逆变器的改进。

CMOS 反相器将相同的输入电压发送到堆叠在一起的双晶体管的栅极，产生与输入逻辑相反的输出，并且逆变器在单个鳍片上完成。

英特尔还通过将每个器件的纳米片数量从两个增加到三个，将两个器件之间的间隔从 50 nm 减少到 30 nm，从而改进了 CFET 堆栈的电气特性。

专家们预计，从现在开始，CFET 技术的大规模商业化可能还需要 7 到 10 年的时间。