推荐阅读最新更新时间:2024-10-28 10:29
一种改进的超低压电压基准源设计
1 概述 在便携式设备广泛使用的今天,低电源电压和低功耗已经成为模拟电路设计的主要主题之一。其中电压基准源是模拟电路设计中的关键模块,应用广泛。它一般要求低电源电压敏感性,低温度漂移特性。传统的基准源电路都是基于带隙基准,利用标准CMOS工艺中的垂直PNP管,但输出电压一般为1.2V左右。随着电路工作电压的继续下降,基准源的输出电压也需要下降。作为可供选择的另一种方案,可以利用阈值电压的不同温度特性产生电压基准。利用有选择的沟道注入,不同浓度的栅注入引入功函数之差。但以上均不适用于标准的CMOS工艺。文献 提出了一种新的设计思路,利用NMOS管△VGS的负温度系数乘上权重与PMOS管的△VGS的负温度系数相减后得到与温度无关的基
[应用]
精密负电压基准源设计
与基于电感的电压控制器相比,电荷泵具有小尺寸的优势,它被广泛用于便携式产品中,提供负的电源电压。将电荷泵电路与电压基准源相结合,能够在正电源供电时获得一反相基准电压(图一)。该电路不同于由三端基准和运放倒相器构成的反相基准源,它不需要外加精密电阻和负电源即可获得精密的输出。电荷泵倒相器(U2)将5V 精密基准源(U1)的输出反相,产生-5V基准电压。U1输入电压范围为5.2V至12.5V,如需获得-2.5V的基准电压,可用MAX6125(输入电压+2.7V至12.5V)替代U1。该方案电路结构非常紧凑,芯片采用SOT23封装,外部只需要三个标贴电容。 输出精度一方面取决于U1 的初始精度,如MAX6125/MAX61
[电源管理]
ATmega88 EEPROM数据存储器
ATmega88包含512字节的EEPROM数据存储器。它是作为一个独立的数据 EEPROM 的寿命至少为 100,000 次擦除周期。 EEPROM 的访问由地址寄存器,数据寄存器和控制寄存器决定。 具体的 SPI 及并行下载 EEPROM 数据请参见 P254“存储器编程”。 EEPROM 读/ 写访问 EEPROM 读/ 写访问EEPROM 的访问寄存器位于I/O 空间。 EEPROM的写访问时间由Table 3给出。自定时功能可以让用户软件监测何时可以开始写下一字节。用户操作EEPROM 需要注意如下问题:在电源滤波时间常数比较大的电路中,上电/ 下电时VCC 上升/ 下降速度会比较慢。此时CPU 可能工作于低于晶振所要求
[单片机]
3.5V电源、工作稳定的低电压、低功耗基准电压发生电路
3.5V电源、工作稳定的低电压、低功耗基准电压发生电路 电路的功能 三端式电路可广泛用于需要恒流置偏的场合,可则外接电阻RSET在1UA~10MA范围内随意设定输出电流。 I+=10UA时,要保证恒流,必须的端电压为0.7V,比较低。在低电源电压的电池驱动电路中则可提高电压利用率。 电路工作原理 国际半导体公司LM334是三端子调节器,可用外接电阻RSET设定I+=66.7*10的-3/RSET的电流,如RSET=6.8欧~68千欧,则可获得1UA~10MA的恒定电流,调整率为0.02%/V。 具体应用实例有:用3.5V以上的电压置偏电流带隙基准电压二极管。如果工作电流在10UA以上,则决定恒流电路的电
[电源管理]
用电池驱动的低功耗基准电压发生电路
用电池驱动的低功耗基准电压发生电路 电路的功能 以电池作动力的电子电路必须采用低功耗型。对于放大电路来说,只要采用低功耗OP放大器即可。但要实现基准电压源的低功耗却很麻烦。普通齐纳二极管若减少偏流,性能就会恶化,所以应有数MA的工作电流。 本电路是低功耗基准电压电路,采用了可用30UA置偏的低功耗基准电压用IC(LM385)。 电路工作原理 电路构成并无特别之处,与“温度补偿式齐纳二极管+10V基准电压发生电路”的电路相同,但选用了低功耗OP放大器,而且置信电阻采用了高阻值,尽量降低消耗电流。 如果基准电压二极管的偏流IS为30UA,R1=(VO-VZ)/IZ=83K,R2则由流过电阻分压电路的电流IS
[电源管理]
双路基准电压源电路
电压源,即理想电压源,是从实际电源抽象出来的一种模型,在其两端总能保持一定的电压而不论流过的电流为多少。 电压源 具有两个基本的性质:第一,它的端电压定值U或是一定的时间函数U(t)与流过的电流无关。第二,电压源自身电压是确定的,而流过它的电流是任意的。
[电源管理]
一种采用曲率补偿技术的高精度能隙基准电压源
1 引 言 电压基准源足集成电路中一个重要的单元模块,是D/A,A/D转换器及脉冲宽度调制电路中的基本单元。他的温度稳定性及抗噪能力不仅是影响A/D,D/A转换精度的关键因素,甚至影响到整个系统的精度和性能。基准电压的精度决定了所有IC系统所能达到的最佳性能。因此基准电压电路对于温漂,以及于精度有关的指标要求比较高。由于带隙基准源能够实现高电源抑制比和低温度系数,是目前各种基准电压源电路中性能最佳的基准源电路。 为了实现高精度,通常都用硅半导体材料本身固有的特征电压作为基准电压,但由于硅半导体材料具有一定的温度系数,所以为解决温漂问题,通常选择一种与基准电压的温度系数极性相反但绝对值相近的器件或电路(如△VBE电路),使两者结
[应用]
ATmega16 基准电压使能信号和启动时间
ATmega16 具有片内能隙基准源,用于掉电检测,或者是作为模拟比较器或ADC的输入。ADC 的2.56V 基准电压由此片内能隙基准源产生。 电压基准的启动时间可能影响其工作方式。启动时间列于Table 16。为了降低功耗,可以控制基准源仅在如下情况打开: 1. BOD 使能 ( 熔丝位BODEN 被编程) 2. 能隙基准源连接到模拟比较器(ACSR 寄存器的ACBG 置位) 3. ADC 使能 因此,当BOD 被禁止时,置位ACBG 或使能ADC 后要启动基准源。为了降低掉电模式的功耗,用户可以禁止上述三种条件,并在进入掉电模式之前关闭基准源。
[单片机]