新型半导体激光器问世可避免对人眼造成伤害

　　 O 引 言 　　半导体激光器(LD)是一种固体光源，由于其具有单色性好，体积小，重量轻，价格低廉，功耗小等一系列优点，已被广泛应用。LD是理想的电子－光子直接转换器件，有很高的量子效率，微小的电流和温度变化都将导致其输出光功率的很大变化。因此，LD的驱动电流要求非常高，必须是低噪声、稳定度高的恒流源，一般电源很难满足要求。此外，瞬态的电流或电压尖峰脉冲，以及过流、过压都会损坏半导体激光器。这里将以TI公司的DSP芯片TMS320F2812为控制核心，实现带有多种保护的双闭环高精度半导体激光驱动电源系统。 　　 1 系统总体设计 　　恒流源一般采用集成运算放大器和一些分立元器件及单片机构成的“压控恒流源”方法实现，

计算和数据通信组织一直想要发掘数据速度和计算能力方面的最新成果。许多业内专家认为，芯片至芯片和片上光子技术将成为影响未来计算的最重要技术。硅光电技术竞赛正在如火如荼地进行中，硬件制造商们很想分享这20多亿美元的大蛋糕。虽然支持片上激光器的应用已经存在好多年了，但与制造、测试和校准有关的高额成本阻碍了硅光子应用的广泛普及。 本文将介绍和比较在硅光电子领域中使用的多种激光器技术，包括解理面、混合硅激光器和蚀刻面技术。我们还会深入探讨用于各种技术的测试方法，研究测试如何在推动成本下降和促进硅光子技术广泛普及的过程中发挥重要作用。 解理面激光器(Cleaved Facet Lasers) 图1显示了如何将

　　总部位于弗吉尼亚州Glen Allen的市场研究公司CIR刚刚发布的报告显示，电信和数据通信激光器2012年的销售额将从今年的10亿美元增至29亿美元。 　　CIR称，该市场的急剧增长主要是由于以下几个因素：光学将会把铜无情地赶出该网络，10GigE是首个最重要的光学以太网，FTTx将首次将光学应用到居民接入网络，光学将取代笨重的铜Infiniband连接，储存网络中从铜到光纤的过渡现已全部完成。所有这些趋势创造了一个以前完全没有存在过的激光器市场。 　　可调谐激光器的应用脚步将加快。最近对Santur和Syntune进行的融资活动使可调谐激光器行业得到了发展。CIR预计到2012年该市场将达到8.70亿美元。预计随

光显示技术的发展历程 激光器发明不久，人们就开始了激光显示的研究，1996年以前使用气体激光器为光源，实现了扫描式激光全色显示，但因气体激光寿命短，效率低，体积庞大而不能实用化，近年来，由于半导体激光器（LD）和LD泵浦的全固态激光器（DPL）的快速发展，打开了激光显示技术向产业发展的大门。国际上德、日、美、韩等国均投入大量人力物力进行全固态激光显示技术的研究。国际显示巨头已认识到一次显示领域的革命的到来。国际上如日本Sony，三菱电气、精工爱普生、韩国三星、美国德州仪器、德国欧士朗、耶拿光学等巨头正在加紧该技术的研发。 　　 目前，国际激光显示技术已发展到产业化前期阶段，核心关键技术的工业化和配套产业的培育以及应用示范成为当前

原理上AR+激光器电源须具有稳流功能,其方框图如衅所示,它包括以下几部分:

　　全球变暖问题已经成为人类最关心的环境问题，它的核心是气候变化，含碳温室气体浓度增加所加剧的温室效应是气候变化的主要原因。正确客观的评价各类陆地生态系统对大气中主要温室气体浓度的贡献是当前全球变化和全球气候、环境变化研究中的重要内容。长期以来，人们根据陆地生态系统排放（或吸收）主要痕量气体的基本特征和近地层大气中气体传输的机制，发展了各种通量测量方法。但是，由于陆地生态系统排放和吸收痕量气体的过程极为复杂，不同痕量气体排放和吸收之间相互影响，而且这些痕量气体的通量值很低，给观测带来很大困难。而且地气交换过程涉及从微小尺度到中尺度，范围宽广，然而迄今为止，在几公里到几十公里尺度上，特别在非均匀下垫面和地形起伏情况下，有代表性的区域湍

　　如今 光纤激光器 的应用已经得到市场的验证和认可，成为现在主流加工的激光光源，特别是在激光切割机领域有着不可动摇的地位。但是，作为异军突起的 碟片激光器 也开始慢慢崭露头角。其实， 光纤激光器 和 碟片激光器 同属于高端激光光源，可能会有人想知道这两者之间到底有什么差别， 碟片激光器 是否将会终结 光纤激光器 的一枝独秀局面呢?下面就随半导体小编一起来了解一下相关内容吧。 　　首先在技术层面，光纤激光器和碟片激光器的光电转换率都在30%—35%左右，输出的功率也都在0W—20KW之间;不过在光束质量方面，光纤激光器要优于碟片激光器，但是大多数工业应用如汽车的车身焊接，切割等应用过好的光束质量不见得是明智的选择。然而在超

　　据日经BP社报道，日本横河电机开发出可通过MEMS结构来改变面发光激光器（VCSEL）的波长的技术，并在日前举行的“微机械/MEMS展”上进行了展示。展出元件中，通过金凸块接合技术层叠了基于磷化铟(InP)的VCSEL芯片、以及集成有用于改变波长的MEMS部件的硅芯片。 　　此次的元件在硅芯片上形成了带有凹面镜的多层反射膜，在该反射膜与VCSEL芯片发光部之间设置了间隙。波长由这一间隙的距离决定。由于间隙能够随着配备有多层反射膜的静电致动器发生微小变化，因此可利用这一点来控制波长。应用于光纤通信领域，输出普通的波长为1.55微米波段的激光时，能够在50nm的范围内改变其波长。该技术在实际应用时，在采用波长复用技术的光通信