晶体三极管的反向击穿电压测试方法

　　DC/DC开关控制器的MOSFET选择是一个复杂的过程。仅仅考虑MOSFET的额定电压和电流并不足以选择到合适的MOSFET。要想让MOSFET维持在规定范围以内，必须在低栅极电荷和低导通电阻之间取得平衡。在多负载电源系统中，这种情况会变得更加复杂。 　　DC/DC开关电源因其高效率而广泛应用于现代许多电子系统中。例如，同时拥有一个高侧FET和低侧FET的降压同步开关稳压器，如图1所示。这两个FET会根据控制器设置的占空比进行开关操作，旨在达到理想的输出电压。降压稳压器的占空比方程式如下：　　占空比(高侧FET)=VOUT/(VIN*效率) 　　(1) 　　占空比(低侧FET)=1-DC(高侧FET)      

把离子的增减作为栅极电压的变化进行检测的离子感应场效应晶体管（ISFET）除了用于DNA分析之外，在生物领域也有很多用途。例如，东京大学工学系研究科材料光学专业副教授坂田利弥就在研究通过为ISFET组合其他功能，来综合调查细胞的各种状态。 其做法之一是通过组合MEMS和晶体管，详细调查活细胞及该细胞感染的病毒的活动（图C-1）。细胞的活动状态通过呼吸时呼出的二氧化碳使溶液的pH值发生变化来掌握。如果细胞死亡，就会释放出钾离子（K+）。另外，如果病毒感染了细胞，或侵入细胞内部，细胞的重量和MEMS的振动条件会发生变化，因此振动频率会改变。 图C-1：出现组合MEMS和晶体管的开发案例 东京大学坂田研究室

这是一个非常简单的三晶体管音频放大器电路，可以为8Ohm扬声器提供250mW的功率。互补晶体管BC337和BC227（Q3和Q2）用作输出对。晶体管Q1（BC 547）充当前置放大器。POT R5 可用作音量控制。电容C1将直流电与音频源去耦。电阻R2确保放大器具有更好的稳定性。该放大器非常适合应用于小型收音机和作为高功率音频放大器的前置放大器。 电路图。 笔记。 该电路可由 9V DC 供电。 在 Vero 板上组装电路。 K1 可以是 8 欧姆扬声器。 为了获得更好的性能，请正确去耦输入和输出接地。 锅R5可用于调节音量。

    中国上海，2012年9月21日——GLOBALFOUNDRIES 推出一项专为快速增长的移动市场的最新科技，进一步拓展其顶尖的技术线路图。GLOBALFOUNDRIES 14 nm-XM技术将为客户展现三维 “FinFET”晶体管的性能和功耗优势，不仅风险更低，而且能够更快速地推向市场，从而帮助无晶圆厂生态系统在保持其移动市场领先地位的同时，开发新一代智能移动设备。 XM是eXtreme Mobility 的缩写，作为业界领先的非平面结构，它真正为移动系统级芯片（SoC）设计做了优化，能提供从晶体管到系统级的全方位产品解决方案。与目前20纳米节点的二维平面晶体管相比，该技术可望实现电池功耗效率提升 40%~60

2013年4月12日，上海——4月11日下午， OFweek光电新闻网 （以下简称OFweek）和OFweek电子工程网在深圳联合主办了2013电子行业年度评选活动，英飞凌科技公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY，以下简称英飞凌）产品40V OptiMOSTM T2功率晶体管荣获了技术创新奖。英飞凌科技（中国）有限公司汽车电子事业部市场总监杜曦先生出席了颁奖仪式并代表英飞凌领取了该奖。 英飞凌40 V OptiMOSTM T2功率MOSFET器件结合采用了创新的封装技术和英飞凌的薄晶圆工艺，规格性能超出同类所有其他产品。英飞凌采用扩散焊接芯片贴装工艺生产TO-220、TO-262和TO-263等无铅封装。鉴于

先看三极管相关参数： 如图 已知：Usc=12V，Rc=6K, Rb=70k,放大倍数B=50， 求：当USB=-2V,2V,5V时候，静态工作点Q，位于什么区间。 解： 1：当USB=-2v时候，Ib=0,Ic=0;可见，Q点位于截止区。 2：由已知条件求得集电极的饱和电流I cmax=Usc/Rc=2ma. 这里应该假设2v时候，处于临界状态，那么Ue=0.7V 当USB=2V时，Ib=(USB-0.7)/Rb=1.3/70k=0.019ma Ic=B*Ib=0.019ma*50=0.95ma, 由此可见，计算出来的Ic=0.95ma值还没有达到最大饱和

三极管的检测方法与经验 1 中、小功率三极管的检测 A已知型号和管脚排列的三极管，可按下述方法来判断其性能好坏 (a)测量极间电阻。将万用表置于 R×100 或 R×1k 挡，按照红、黑表笔的六种不同接法进 行测试。其中，发射结和集电结的正向电阻值比较低，其他四种接法测得的电阻值都很高，约为几百千欧至无穷大。但不管是低阻还是高阻，硅材料三极管的极间电阻要比锗材料三极管的极间电阻大得多。 (b)三极管的穿透电流 ICEO 的数值近似等于管子的倍数 β 和集电结的反向电流 ICBO 的 乘积。ICBO 随着环境温度的升高而增长很快，ICBO 的增加必然造成 ICEO 的增大。 而 ICEO的增大将直接影响管子工作的稳定性，所以

1 串联反馈型 晶体管 稳压电路 的计算模型 　　串联反馈型晶体管稳压电路中含有的元器件种类繁多，把他作为我们研究问题的对象，使得研究结果具有普遍性。串联反馈型晶体管稳压电路如图1所示。图中，Ui为电网电压经变压、整流、滤波后的输出电压值；VT1为调整管，VT2为放大管，VD为稳压管，内阻为r。假设，VT1的参数为rbe1，β1；VT2的参数为rbe2，β2。 　　根据电路图可知电路有5个独立节点，输入为节点1，输出为节点5，其余节点按顺序标于图中。 　　根据放大电路导纳矩阵的建立方法，可以对此电路建立计算模型。 　　(1)首先去掉晶体管VT1和VT2，写出剩余部分电路的导纳矩阵。