LT1072构成的基本升压变换器电路

    摘要： 升压变换器通常应用在彩色监视器中。为提高开关电源的效率，设计者必须选择低开关损耗的MOSFET。在升压变换器中，利用QFET新型MOSFET能够有效地减少系统损耗。     关键词： QFET特性  低损耗  高效率  升压变换器 1 引言 在开关电源设计中，效率是一个关键性的参数。输入和输出滤波电容器、变压器磁芯的几何图形与特性及开关器件等，都会影响系统的效率。为减小滤波电容和磁性元件的尺寸，开关电源的频率在不断提高。因此，功率器件的开关损耗在整个系统损耗中占有更大的比重。选用低开关损耗的MOSFET，是提高SMPS效率的重要环节。快捷（又名仙童）半导体新发明的QFET系列，是新一代功

图1，只要将其地引脚用作负电压输入，升压变换器就可以高效地产生一个正输出电压。 　　假设一项设计需要正电压，但却只有负电压源可供使用。在图 1 所示电路中使用一块标准升压变换器 IC，你就能高效地由一个负电压源产生一个正电压。升压变换器产生的输出电压高于输入电压。由于输出电压（本例中为 5V）高于负输入电压的地电平，所以该电路并不违反升压变换器原则。图1所示电路使用EL7515，这是一个标准的升压变换器。变换器 IC 的接地脚连接到负输入电源上。地线就成了“正”的输入电源。VOUT= -VFB(R2/R1)= -1.33V(37.5 kΩ/10 kΩ)= -5V。 PNP 晶体管Q1 和 Q2构成了一个转换器，将 5V 输出电

Vishay Siliconix公司的S121j o ISDN应用设计的-48V到+5V或+3.3V变换器。它所含的集成未接地反馈误差放大器提供直接输出电压稳压。这种方法消除了所需的外部并联稳压器。Si9121也含有高电压耗尽型MOSFET，这可使变换器能直接从高输入总线电压供电而不需要外部启动电路。由于非隔离拓扑结构结合简单的磁设计使Si9121能为完全的ISDN电源提供单片解决方案。为了减少外部元件数，Si9121也含有95kHz振荡器和软启动电路。 图1示出Si9121功能框图。它采用SOIC-8引脚封装。 Si9121特性有：·固定+5V或+3.3V输出 ·集成未接地反馈放大器 ·片上70V、1.5ΩN-

一、基本 电路 拓扑与工作原理 基于电感升压 开关 型变换器的LED 驱动 电路广泛应用于 电池 供电的消费类便携 电子 设备的背光 led /' target='_blank' 照明 中。电感升压变换器基本电路拓扑主要由升压电感器(L1 )、功率 开关 MOSFET( VT1)、 控制 电路、升压二极管(VD1 )和输出 电容 器(C0)组成，如图1(a )所示。 图1电感升压变换器基本电路及其工作原理图 在便携式设各中所使用的DC/DC升压变换器，其控制器和功率MOSFET (VT1)一般都是集成在同一芯片上，有的还将升压二极管(VD1 )也集成在一起，从而使外部元器件数量最少。 当控制器驱动VT

3.3V到5v/480maT升压DCDC变换器电路 LTC1872这一款电流模式升压DC/DC控制器,其工作频率550KHz、输入电压范围2.5V~9.8V、负载电流高达2A。图2 为3.3V 到5V的升压变换器电路。其应用包括1和2节锂离子电池供电的便携装置,如PDA、GPS系统和网络系统用的板级升压变换。 此器件的高工作频率可使电感器和电容器的数值和大小减小,使设计可封装在小于110mm2的面积内。270μA低工作电流、8μA关闭电流和高达90%的效率都有助于延长电池使用寿命。LTC1872保证输出电压精度± 2.5%。输出出电压只受外部元件性能的限制。为避免N-沟MOSFET工作在低于安全输入电压电平之下,该器

    摘要： 升压变换器通常应用在彩色监视器中。为提高开关电源的效率，设计者必须选择低开关损耗的MOSFET。在升压变换器中，利用QFET新型MOSFET能够有效地减少系统损耗。     关键词： QFET特性  低损耗  高效率  升压变换器 1 引言 在开关电源设计中，效率是一个关键性的参数。输入和输出滤波电容器、变压器磁芯的几何图形与特性及开关器件等，都会影响系统的效率。为减小滤波电容和磁性元件的尺寸，开关电源的频率在不断提高。因此，功率器件的开关损耗在整个系统损耗中占有更大的比重。选用低开关损耗的MOSFET，是提高SMPS效率的重要环节。快捷（又名仙童）半导体新发明的QFET系列，是新一代功