晶体管输出驱动电路

　　有统计表明，90％的交通事故是由于人的因素造成的，危险来源于复杂的交通状况，包括不合理信息、缺少信息以及过度紧张等。为了有效地减少盲区，避免眩光，提高夜间行车的安全性，一些著名汽车公司提出了先进前照灯系统或自适应前照系统(AFS)的概念，其特点是车辆前灯能主动调整照明光轴方向，自动适应夜间行车环境(包括迎面车辆、弯道坡度、高速公路、城市街区等情况)的变化。近年来，高亮度LED的发展很快，汽车前照系统中采用高亮度或超高亮度LED将是一种发展趋势。目前，已有1201m超高亮度LED的报道，8个超高亮度LED就能产生10001m的光强。LED光源除了显而易见的寿命长，结构坚固，功耗低等优点外，其固有的体积小，设计更灵便，反应快，控制

1、驱动 电路 的基本要求 一个理想的 IGBT 驱动电路应具有以下基本性能： (1)动态驱动能力强，能为IGBT栅极提供具有陡峭前后沿的驱动 电压 脉冲； (2)IGBT导通后，栅极驱动电路提供给IGBT的驱动电压和 电流 要有足够的幅度，使IGBT的功率输出级总处于饱和状态，瞬时过载时，栅极驱动电路提供的驱动功率要足以保证IGBT不退出饱和区而损坏； (3)能向IGBT提供适当的正向栅压，一般取+15V为宜； (4)能向IGBT提供足够的反向栅压，利于IGBT的快速关断，幅值一般为5V-15V； (5)由于IGBT多用于高压场合，驱动电路必需有足够的输入输出电隔离能力且不影响驱动信号

      据近期《纳米快报》报道，科学家们在一个类细胞膜内植入了一个纳米尺寸的晶体管，该晶体管可由“细胞”内部的燃料进行驱动。此项研究将可用于创造出新型人机接口，植入设备可传达细胞膜内与疾病相关蛋白的内部工作信息，并最终创造出可读取甚至影响大脑或神经细胞的新方法。 　　论文作者之一、美国加州大学科学家亚历山大·诺伊表示，该设备堪称是生物学与电子学结构的“天作之合”。“我们能提取蛋白这种真实的生物学机器，使其成为可正常工作的电子电路的一部分”。 　　为了创建植入电路，加州大学研究人员使用了几乎在所有手机和电脑上都有的一个简易晶体管，还使用了被称为下一代材料的碳纳米管来取代最常用的硅材料。然后，科学家用脂质双层对碳纳米晶体管

晶体管的持续微缩化对我们的日常生活有着超乎寻常的影响力。回想1997年，IBM所制造的巨型超级计算机“深蓝”重量达到1.4吨，运算能力为11.38 GFLOPS 。“深蓝”在六局国际象棋大赛中击败了著名的俄罗斯国际象棋大师卡斯帕罗夫。而如今，“深蓝”所拥有的运算能力在一部智能手机中就能实现，例如，iPhone 4S所采用的A5处理器的运算能力就能达到16 GFLOPS。2011年，IBM的沃森（Watson）超级计算机由10个机架的IBM Power 750服务器组成，配备15TB的随机存取储存器（RAM）以及2,880个处理器，运算总能力达到80 TFLOPS，在《危险边缘》战胜了两位最优秀的节目冠军。你能想象在10年内，我们手

全球透视 1958 年的布鲁塞尔世界博览会，是二战结束后的首次「万国联欢」，各国都非常重视这个展示国力的舞台，纷纷拿出看家宝贝。其中，苏联人展出一台可以由数字程序控制的机床，艳惊四座，最后被评为金奖，封冠全球。 遗憾的是，苏联人很快就失去了这一优势。如今苏联在设备数字程序控制上已经落后于世界平均水平。 这是苏联科技的一段「典型」往事，我们还可以找到很多个类似故事。现在来看苏联科技发展史我们发现，几乎所有高光时刻，都诞生于科技创新最活跃的美苏争霸年代。 1961 年 4 月 12 日，27 岁的苏联空军上尉加加林驾驶着飞船，绕地球飞了一圈。从把第一颗人造卫星送上天到把第一名活人送上天，苏联人仅仅用了三年

薄膜晶体管液晶显示器（TFT-LCD）具有重量轻、平板化、低功耗、无辐射、显示品质优良等特点，其应用领域正在逐步扩大，已经从音像制品、笔记本电脑等显示器发展到台式计算机、工程工作站（EWS）用监视器。对液晶显示器的要求也正在向高分辨率、高彩色化发展。 由于CRT显示器和液晶屏具有不同的显示特性，两者的显示信号参数也不同，因此在计算机（或MCU）和液晶屏之间设计液晶显示器的驱动电路是必需的，其主要功能是通过调制输出到LCD电极上的电位信号、峰值、频率等参数来建立交流驱动电场。 本文实现了将VGA接口信号转换到模拟液晶屏上显示的驱动电路，采用ADI公司的高性能DSP芯片ADSP-21160来实现驱动电路的主要功能。 硬件电

　　 Intel 这几年制造工艺的推进缓慢颇受争议，而为了证明自己的技术先进性， Intel 日前在北京公开展示了 10nm 工艺的CPU处理器、FPGA芯片，并宣称同样是 10nm ，自己要比对手领先一代，还透露了未来7nm、5nm、3nm工艺规划。下面就随半导体小编一起来了解一下相关内容吧。 　　按照目前的消息，CannonLake将是 Intel 的第一款 10nm 工艺处理器，但在它之前，FalconMesaFPGA可编程芯片会更早使用10nm。 　　不过据最新报道，Intel10nm的第一站，其实是NAND闪存，而且是64层堆叠的3D闪存。 　　至于为何在闪存上首先使用新工艺，很大可能是因为NAND闪存结构相对简单，基

在日本东京举办的超大规模集成电路研讨会(VLSI Symposium)上，半导体研究中心IMEC发布了一项该公司在32纳米以下工艺技术的重大进展。所提出的报告重点介绍多栅极场效应晶体管(MugFET)，英飞凌称，这是已经实现的多项研究结果中的最大成果。 英飞凌的研究工作小组由CMOS Device Innovation的首席科学家Klaus Schrufer领导，据一位公司发言人表示，它不仅实现了更高的复杂性，也成功地测试了关键路径上的信号开关时间以及开关可靠性。 利用这种晶体管类型实现的器件支持迄今为止测量过的最短的反向器延迟时间—达到13.9ps。这相当于比以前的实现方案改进了40%。虽然这种器件以65纳米工艺技术