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TI杯2021年全国大学生电子设计竞赛颁奖典礼在西安举行
TI杯2021年全国大学生电子设计竞赛颁奖典礼在西安举行 2021年12月20日,西安——TI杯2021年全国大学生电子设计竞赛(简称“电赛”)颁奖典礼昨日于西安以线上线下结合的形式隆重举行。中国科学院及 ...
关键字: TI 全国大学生 电子设计 竞赛 西安 电赛
发布时间:2021-12-20
长江师范学院模拟电路习题练习填空题
1.在常温下,硅二极管的门槛电压约为 0.5V,导通后在较大电流下的正向压降约为 0.7V;锗二极管的门槛电压约为 _0.1_V,导通后在较大电流下的正向压降约为_0.2_V。 2、二极管的正向电阻 小 ;反向电阻 大 。 3、二极管的 ......
关键字: 模拟电路
发布时间:2012-08-15
电子线路考试大纲
电子线路考试大纲 基本参考书: 模拟电路部分,童诗白、华成英: 模拟电子技术基础(第三版)教师手册 数字电路部分,阎 石:数字电子技术基础(阎石第四版课后习题答案详解) 说明:每章要求中,“熟悉”内容为基本概念类内容,“掌 ......
关键字: 电子线路考试
发布时间:2011-02-21
模拟一到五的答案
模拟试卷一(答案) 一、填空(16分) 1.单向导电性。 2.正向、反向;正向、正向。 3.0.707、3dB、±45°。 4.交流串联负反馈、交流电压负反馈。 5.0、0、78.5%、交越。 6.电压串联负反馈,放大。 二、(24分) 1.A 2.D 3.C 4.C 5.D 6.A 7 ......
关键字: 答案
发布时间:2011-01-25
模拟试卷五
一、填空题(20分) 1.处于放大状态的NPN型晶体管,UB、UC、UE 三个电位之间的关系是___ 处于饱和状态的NPN型晶体管UB、UC、UE 三个电位之间的关系是_______ ; ^^ 2.理想运算放大器的开环电压放大倍数为__,输入电阻为___,输出 ......
发布时间:2011-01-25
模拟试卷四
一、填空(20分) 1.在常温下,硅二极管的门槛电压约为__V,导通后在较大电流下的正向压降约为__V;锗二极管的门槛电压约为 __V,导通后在较大电流下的正向压降约为__V。 ^^ 2.场效应管属于__控制型器件,而晶体三极管则是___控制 ......
发布时间:2011-01-25
模拟试卷三
一、填空(26分) 1.杂质半导体有__型和__型两种;双极型晶体管的结构有__型和__型两种;场效应管根据导电沟道不同有__和__两种。 ^^ 2.图中二极管为理想器件,V1工作在__状态;V2工作在__状态;UA为__V。 ^^ 3.三极管放大电路中,测 ......
发布时间:2011-01-25
模拟试卷二
一、填空:(18分) 1.为了放大从热电偶取得的反映温度变化的微弱信号,放大电路应采用__耦合方式,为了实现阻抗变换,使信号与负载间有较好的配合,放大电路应采用____耦合方式。 ^^ 2.在三极管多级放大电路中,,总的电压增益 = ;Au1 ......
发布时间:2011-01-25
模拟试卷一
一、填空(16分) 1.半导体二极管的主要特性是___________ 。 ^^ 2.三极管工作在放大区时,发射结为____ 偏置,集电结为_____偏置;工作在饱和区时发射结为___偏置,集电结为____偏置。 ^^ 3.当输入信号频率为fL和fH时,放大倍数的 ......
发布时间:2011-01-25
2010年模拟电子技术基础模拟试题
一、(5分)判断下列说法是否正确,用“√”“×”表示判断结果填入空内。 (1)PN结不加外部偏置电压时,扩散电流等于漂移电流。( ) (2)只有电路既放大电流又放大电压,才称其有放大作用;( ) (3)若放大电路的放大倍数为负,则引入的反馈一 ......
发布时间:2011-01-25
模拟电子技术基础试卷及答案(1)
一、填空(18分) 1.二极管最主要的特性是 单向导电性 。 2.如果变压器二次(即副边)电压的有效值为10 V,桥式整流后(不滤波)的输出电压为 9 V,经过电容滤波后为 12 V,二极管所承受的最大反向电压为 14 V。 3.差分放大电路, ......
发布时间:2011-01-25
模拟电子与数字电子技术试题一
模拟电子与数字电子技术试题一 1、在图示电路中,已知ui=10sinωt V,US=5V,二极管的正向压降可忽略不计,试画出输出电压uo的波形。 (10分) 答: 根据二极管的单向导电性: 当ui<US时,二极管D导通,uo=US; 当ui>US时,二极管D截止,uo=ui      2 ......
关键字: 模拟
发布时间:2011-01-25
模拟电子技术试题十一
一 填空题: 1、工作在放大区的三极管,当IB由20μA增大到40μA,IC从1mA变为3mA,则它的β值为 。 2、发射结 偏置,集电结 偏置,则三极管处于放大状态。 3在放大电路中为了提高输出电阻应引入 负 ......
关键字: 模拟
发布时间:2011-01-25
电子技术模拟电路试题二
电子技术模拟电路试题二 一、 选择填空。(30分) 1、二极管的 极电位高于 极电位时,叫正偏(N、P、S、B)。正偏时二极管处于 状态(截止、导通),此时呈现的电阻很 (大、小)。 2、三极管工作在放大状态时,其 ......
发布时间:2011-01-20
电子技术模拟电路试题一
电子技术模拟电路试题一 一、 填空题(33分、每空1分) 1、锗材料二极管导通时,其两端电压为 伏。硅材料二极管导通时,其两端电压为 伏。 2、三极管有三种工作状态,它们是 , , 。 3、三极管是 控制元件;场效应管是 ......
关键字: 模拟电路
发布时间:2011-01-20
抢答器的分析与制作试题
抢答器的分析与制作试题 一、填空 1、三位二进制加法计数器最多能累记( )个脉冲。若要记录12个脉冲需要( )个触发器构成( )位计数器才能完成. 2、组合逻辑电路与时序逻辑电路的区别是( )。 3、完成二进制代码转化为十进制数的电 ......
关键字: 抢答器
发布时间:2011-01-20
逻辑测试笔的分析与制作试题
逻辑测试笔的分析与制作试题 一、 填空 1、完成下列数的转换: (1)(375.236)8=( )16=( )2 (2)(48A)16=( )8=( )10 (3)(372)8=( )16=( )2 (4)(11101.11)2=( )10=( )16 2、当两个OC门的输出都是高电平时,总输 ......
关键字: 逻辑
发布时间:2011-01-20
超声波雾化器的分析与制作试题
超声波雾化器的分析与制作试题 一、单选题 1. 图示电路( )。 A.为串联型晶体振荡电路,晶体用作电感 B.为并联型晶体振荡电路,晶体用作电感 C.为并联型晶体振荡电路,晶体用作电容 D.为串联型晶体振荡电路,晶体用作电容 2. 图示电路( )。 A.能否产生正弦波 ......
关键字: 超声波雾化器
发布时间:2011-01-20
直流稳压电源的分析与制作试题
直流稳压电源的分析与制作试题 一、选择题: 1、在单相桥式整流电路中,若要求负载电压Uo=18v,负载电流Io=60mA,则变压器副边电压有效值U2 为( )v, 每只整流二极管流过的电流ID为( )mA,耐压值UD为( )v。应选择( ) A. U2为 20 、ID 为30、UD为28.2 ......
关键字: 直流稳压电源
发布时间:2011-01-20
模拟电子技术试题十
模拟电子技术试题十 一、判断下列说法是否正确,用“×”或“√”表示判断结果。 (10分) (1)在运算电路中,同相输入端和反相输入端均为“虚地”。 ( ) (2)电压负反馈稳定输出电压,电流负反馈稳定输出电流。 ( ......
关键字: 模拟
发布时间:2011-01-19
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