日本存储芯片制造商Elpida 储存公司日前宣布,公司已经开始大规模生产基于70纳米制造工艺的1GB和512MB储存容量的DDR2 SDRAM芯片。
Elpida储存公司称,它是目前全球首家采用70纳米工艺制造1GB和512MB的DDR2 SDRAM芯片的厂商,该产品将率先在其广岛(Hiroshima)的晶圆厂出货。Elpida 储存公司是NEC和日立的合资企业。
采用70纳米工艺制造1GB和512MB储存容量的DDR2 SDRAM芯片应用广泛,其中包括用于大规模数据处理任务的高端服务器、高性能移动设备、数字电视、下一代DVD摄像机、数码相机以及其他需要高性能影像处理功能的数字消费电子产品中。
70纳米制造工艺不但支持时钟频率为800MHz和1GHz的高性能运行环境,同时减小了芯片尺寸,提高了设备的空间利用律,其中512MB储存容量的DDR2 SDRAM芯片,成为目前世界上尺寸最小的芯片封装。
采用70纳米工艺的DDR2 SDRAM芯片目前已经开始投产,预计第一批出货将在明年第一季度上市。
Elpida储存公司在加紧产品研发的同时,密切关注市场需求。公司计划在巩固服务器和PC市场的同时,将其70纳米工艺制程引入到移动电话的移动RAM芯片上,同时考虑拓展到其他高端移动设备上,比如高端移动数字消费电子产品中。
关键字:存储 消费 封装
编辑: 引用地址:Elpida推出首款1GB容量70纳米DDR2 SDRAM芯片
推荐阅读最新更新时间:2023-10-11 14:56
Cypress与HI-TECH发布最新编译器,加倍PSoC器件的存储能力
Cypress半导体公司和HI-TECH Software日前宣布了一项新的编译技术,能够扩展动态可配置PSoC混合信号阵列的存储容量和性能。这款新的ANSI C编译器,即面向PSoC混合信号阵列的HI-TECH C PRO,开拓了HI-TECH的Omniscient Code Generation(全知代码生成,OCG)技术,能够从根本上降低PSoC的代码量。
PSoC混合信号阵列集成了可编程的模拟和混合功能,带有一个8位MCU内核,高达32KB闪存和高达2KB的SRAM。能够广泛用于成本敏感、空间受限的消费类应用,包括触摸屏接口、电动机控制以及近感探测及其它。PSoC设备能够进行动态重配,在相同硅片上执行多个独立的功能,
[半导体设计/制造]
技术文章—九种常见的元器件封装技术解析
元件封装起着安装、固定、密封、保护芯片及增强电热性能等方面的作用。同时,通过芯片上的接点用导线连接到封装外壳的引脚上,这些引脚又通过印刷电路板上的导线与其他器件相连接,从而实现内部芯片与外部电路的连接。 因此,芯片必须与外界隔离,以防止空气中的杂质对芯片电路的腐蚀而造成电气性能下降。而且封装后的芯片也更便于安装和运输。由于封装的好坏,直接影响到芯片自身性能的发挥和与之连接的PCB设计和制造,所以封装技术至关重要。 衡量一个芯片封装技术先进与否的重要指标是:芯片面积与封装面积之比,这个比值越接近1越好。 ▍封装时主要考虑的因素: 芯片面积与封装面积之比,为提高封装效率,尽量接近1:1。 引脚要尽量短以减少延迟,引
[半导体设计/制造]
工艺稳定、降低功耗两不误,日立瑞萨成功开发相变存储技术
日立有限公司与瑞萨科技公司(Renesas Technology Corp.)近日宣布,开发出一种有助于保持低功耗工作性能,同时实现稳定制造的新型相变存储元件技术。
在新技术中,连接MOS晶体管和相变薄膜的接线柱之间形成了一种五氧化钽(Ta2O5)界面层,并优化了界面层的厚度。在相变存储元件的工程样品中采用这种结构,已证实在电源电压为1.5V时,编程操作的电流仅为100μA。此外,Ta2O5界面层和相变薄膜之间极佳的附着性有可能为存储元件的制造提供进一步的稳定性。
相变存储器是一种非易失性存储器,能够利用电流产生的热量改变薄膜电阻进行编程;其薄膜在高阻值时为非晶体状态,在低阻值时为晶体状态。不同的电阻代表数据值的1和0
[焦点新闻]
CEA:中国取代北美 成2013年全球最大消费性电子产品市场
科技网站《VentureBeat》周日(5日)报导指出,中国正开始推动全球消费性电子产业。 此趋势已多年可见,但要到去(2013)年时,亚洲新兴市场消费性电子产品才正式超越北美地区。 美国消费电子协会(Consumer Electronics Association,CEA)资深分析师Steve Koenig表示:「北美地区将落居老二位置。」 由于中国有人口优势,该国能够迅速成长并不令人意外。该国人口超过100万的城市多达160个,远多过美国的9个。 今(2014)年中国国内生产毛额(GDP)成长率预计将达到7.4%,速度正快过北美地区。 Koenig并说,快速的改变步伐,以及中国有多快地成为1股全球性力量,都更令人惊讶。
[手机便携]
基于DSP的外部存储器引导方法实现
TI公司的高速数字信号处理器TMS320C6000系列DSP支持并行处理,采用甚长指令字(VLIW)体系结构,内部设置有8个功能单元(两个乘法器和6个ALU),8个功能单元可并行操作,最多可以在一个周期内同时执行八条32位指令。指令操作为“流水线”工作方式。应用高性能DSP可以大大提高数据密集型应用系统的性能,能快速完成滤波、卷积、FFT等数字信号处理或进行更复杂的运算,在现代信 内部结构上的差异,TMS320C6000系列与TMS320C54系列的引导方式有很大差别。在开发应用TMS320C6000系列DSP时,许多开发者,尤其是初涉及者对DSP ROM引导的实现有些困难,花费许多时间和精力摸索。笔者结合开发实例,介绍了实现外
[工业控制]
片外FIash存储器IAP的n种方案
引 言
以ARM芯片为处理器核的嵌入式应用系统,以其小体积、低功耗、低成本、高性能、丰富的片内资源以及对操作系统的广泛支持,得到了人们越来越多的青睐。包括工业控制领域、无线通信领域、网络应用、消费电子、成像和安全产品等,如今,ARM微处理器及嵌入式技术的应用几乎已经渗透到了各个领域。其中ARM7作为ARM微处理器系列中的一员,是低功耗的32位RISC处理器。Samsung公司的S3C4510B、Philips公司的LPC20XX、LPC21XX、LPC22XX系列等都是ARM7处理器。这些为数繁多的ARM7处理器,因其片内外设不同而各擅所长,但都应用同样的ARM7TDMI核(或ARM7TDMI—S核,这是ARM7TDMI
[模拟电子]
NXP率先为全球所有消费市场提供可用于数字和模拟高清晰液晶电视的单芯片平台
Nexperia TV520/507 参考设计为电视制造商提供前所未有的效率、速度和成本优势
中国北京, 2006 年 9 月 7 日 —— 由飞利浦创立的全球十强半导体公司 NXP 半导体今天发布了两款全新的电视参考设计:用于 DVB/PAL 的 Nexperia TM TV520/32 和用于模拟电视的 Nexperia TV507 。这两款参考设计均基于同一个全球性芯片平台,使电视制造商能够开发出具有业界最佳图像质量以及独特获益设计的混合型数字和模拟液晶电视。 随着用于 DVB/PAL 的 TV520/32 的问世以及先前发布的用于 ATSC 的 TV520/30 以及 TV520/
[新品]
智能手机的高性能小封装逻辑电平转换方案
近一两年来,在苹果公司iPhone手机的带动下,智能手机市场迅速扩大。智能手机等便携产品的一个重要特点是功能越来越多,从而支持更广泛的消费需求。但智能手机等便携产品内部用于支持不同功能的集成电路(IC)或模块的工作电压往往不同,如基带处理器和应用处理器电压一般在1.5 V至1.8 V之间,而现有许多外设工作电压一般为2.6至3.3 V,如USIM卡、Wi-Fi模块、调频(FM)调谐器模块工作电压为2.8 V,而相机模块为2.7 V。
图1:逻辑电平 转换 器应用示意图。
因此,智能手机等便携产品中的不同IC与外设模块之间存在输入/输出电压失配问题,要使这些器件与模块之间互相通信,需要高效的逻辑电压电平转换
[半导体设计/制造]