北汽新能源联手罗姆半导体，推动SiC产品技术研发-电子工程世界

11月30日，北汽新能源(北汽蓝谷 600733)与罗姆半导体集团合作成立SiC产品技术联合实验室。北汽新能源执行副总经理陈上华与罗姆半导体集团董事末永良明现场签署了合作协议书，并共同为SiC产品技术联合试验室揭牌。

该联合实验室的成立，是北汽新能源在新能源汽车领域不断加强自主技术实力的重要举措，联合实验室成立后，北汽新能源将可以与罗姆半导体集团共同深入到碳化硅等新技术的预研中，并围绕碳化硅的新产品进行全面合作开发。

　　近年来，以SiC为代表的第三代功率半导体材料，已经被广泛应用在新能源汽车领域，对于电驱动系统而言，采用SiC器件可以进一步提高系统效率、减小体积、减轻重量，相比传统Si基IGBT方案有着较为明显的优势。

　　罗姆半导体集团作为全球第三代半导体――“SiC产品”首屈一指的主导企业，具备一流的开发团队，完整的产品生产线，先进的器件仿真、特性分析、可靠性验证和应用研究实验室，在相关市场上更是拥有丰富的推广经验和应用实绩。

　　未来，双方将基于SiC产品技术联合实验室，从行业角度出发，共同探索新技术趋势下的新型功率半导体器件及系统应用经验，开发出更具性能优势的新能源汽车电驱产品，在诸多行业竞争者中脱颖而出。

关键字：北汽新能源罗姆半导体 SiC 引用地址：北汽新能源联手罗姆半导体，推动SiC产品技术研发

上一篇：没有几家车企在电子领域耕耘如此之深，世界上也不多见！
下一篇：让汽车“联网”的终端T-Box方案

推荐阅读最新更新时间：2024-07-25 20:18

Power Integrations推出具有温度读数功能的新型SCALE-iFlex LT NTC IGBT/SiC模块门极驱动器

Power Integrations推出具有温度读数功能的新型SCALE-iFlex LT NTC IGBT/SiC模块门极驱动器 SCALE-2技术将流行的100mmx140mm IGBT和SiC半桥功率模块的均流能力提高了20% 德国纽伦堡，PCIM 2023 – 2023年5月9日讯 – 深耕于中高压逆变器应用门极驱动器技术领域的知名公司Power Integrations 今日推出SCALE-iFlex™ LT NTC系列IGBT/SiC模块门极驱动器。新款门极驱动器适配于流行的100mmx140mm IGBT半桥模块，例如Mitsubishi LV100 和 Infineon XHP 2，以及耐压在23

[电源管理]

Power Integrations推出具有温度读数功能的新型SCALE-iFlex LT NTC IGBT/<font color='red'>SiC</font>模块门极驱动器

PowerAmerica：碳化硅和传统硅技术之争

12月24日，首届集微汽车半导体生态峰会以线上+线下形式举行。 PowerAmerica 常务董事兼首席技术官 Victor Veliadis 发表主题为《SiC与传统硅技术之争：现状与困境》的演讲。 Victor Veliadis开场表示，有能力支撑先进硅晶圆制造技术的企业非常至少，但除了存储和逻辑芯片，还有很多领域有机会盈利，如物联网、AI、5G等。在这些领域，成熟制程仍能投入芯片生产。碳化硅功率器件是大型分立器件，能够承受大电流和高阻塞电压。基于电压、电流、频率、效率、温度及特定应用等考量，在较低频率下，硅基器件占据主导地位，但进入更高频率时，开关损耗会变大，硅基器件效率将下降，这是碳化硅和氮化镓极具竞争力的领域。

[手机便携]

扩大碳化硅供应，英飞凌联手GT Advanced Technologies

英飞凌科技股份公司（FSE: IFX / OTCQX: IFNNY）与GT Advanced Technologies（GTAT）已经签署碳化硅（SiC）晶棒供货协议，合同预期五年。通过这份供货合同，英飞凌将进一步确保满足其在该领域不断增长的需求。碳化硅是功率半导体的基础材料，可用于打造高效、耐用、高性价比的系统。英飞凌现已面向工业应用市场推出业界规模最大的CoolSiC™产品组合，并且正在迅速扩大面向消费和汽车应用的产品组合。英飞凌工业功率控制事业部总裁Peter Wawer表示：“我们看到对碳化硅的需求在稳步增长，特别是在工业应用方面。不过，很明显，汽车行业正在迅速跟进。凭借我们现在签订的供应协议，我们保证能够以多样化的

[半导体设计/制造]

中科钢研集成电路产业园或打破碳化硅晶体衬底片依赖进口

中科钢研在青岛建有集成电路制造项目，该项目入选了2019年青岛市重点项目。据青岛日报最新报道，中科钢研集成电路产业园项目负责人张翠荣表示，将按照莱西市“挂图作战”的路线图，以作战姿态全力推进，确保今年9月份竣工投产。总投资6.5亿元、占地83亩的青岛中科钢研集成电路产业园项目已于3月10日复工，办公楼、科研楼、宿舍及餐厅进入内部装修阶段。据莱西经济开发区消息，2019年8月16日，青岛市委副书记、市长孟凡利一行到莱西经济开发区调研中科钢研碳化硅集成电路产业园项目推进情况。中科钢研副总经理赵然表示，该项目建成后，能使我国摆脱碳化硅晶体衬底片依赖进口的尴尬局面，产品国产化后，成本将大幅降低，能在军工、通信、高铁、新能源汽车等方面广

[手机便携]

东芝推出全新1200V和1700V碳化硅MOSFET模块

东芝推出全新1200V和1700V碳化硅MOSFET模块，助力实现尺寸更小，效率更高的工业设备中国上海，2022年1月27日——东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，推出两款全新碳化硅（SiC）MOSFET双模块---“MG600Q2YMS3”和“MG400V2YMS3”：前者额定电压为1200V，额定漏极电流为600A；后者额定电压为1700V，额定漏极电流为400A。作为东芝首批具有上述额定电压的产品，它们与之前发布的MG800FXF2YMS3共同组成了1200V、1700V和3300V器件产品线。这两种新模块在安装方式上兼容广泛使用的硅（Si）IGBT模块。两种新模块的低损耗特性满足了工业设备

[电源管理]

东芝推出全新1200V和1700V<font color='red'>碳化硅</font>MOSFET模块

UnitedSiC（现名Qorvo）宣布推出具有业界出众品质因数的1200V第四代SiC FET

UnitedSiC（现名Qorvo）宣布推出具有业界出众品质因数的1200V第四代SiC FET 2022年5月11日 – 移动应用、基础设施与航空航天、国防应用中 RF 解决方案的领先供应商 Qorvo® 今日宣布推出新一代1200V碳化硅（SiC）场效应晶体管（FET）系列，这些产品在导通电阻方面具备业界出众的性能表征。新的UF4C/SC系列1200V第四代SiC FET非常适合主流的800V总线结构，这种结构常见于电动车车载充电器、工业电池充电器、工业电源、直流太阳能逆变器、焊机、不间断电源和感应加热应用。 UnitedSiC（即Qorvo）功率器件总工程师Anup Bhalla称：“性能较高的第四代产品扩充

[电源管理]

UnitedSiC（现名Qorvo）宣布推出具有业界出众品质因数的1200V第四代<font color='red'>SiC</font> FET

又下一城，Cree宣布与安森美签署长期SiC晶圆供应协议

日前，Cree宣布与安森美签署一项多年长期SiC晶元供货协议，Cree将向安森美半导体生产和供应其Wolfspeed碳化硅晶圆，该协议价值超过8500万美元，用于向安森美半导体供应Cree先进的150mm碳化硅（SiC）裸晶圆和外延晶圆，用于高增长市场，如电动汽车和工业应用。 2019年1月，Cree与ST签署一项为期多年的2.5亿美元规模的生产供应协议，Wolfspeed将会向ST供应150㎜SiC晶圆。 2018年10月，Cree又宣布了一项价值8,500万美元的长期协议，将为一家未公布名称的“领先电力设备公司”生产和供应SiC晶圆。 2018年2月，Cree与英飞凌签订了1亿美元的长期供应协议，为其光伏逆变器、机器人、充电基

[电源管理]

又下一城，Cree宣布与安森美签署长期<font color='red'>SiC</font>晶圆供应协议

碳化硅将推动车载充电技术随电压等级的提高而发展

虽然“续航焦虑”一直存在，但混合动力、纯电动等各种形式的电动汽车 (EV) 正被越来越多的人所接受。汽车制造商继续努力提高电动汽车的行驶里程并缩短充电时间，以克服这个影响采用率的重要障碍。电动汽车的易用性和便利性受到充电方式的显著影响。由于高功率充电站数量有限，相当一部分车主仍然需要依赖车载充电器 (OBC) 来为电动汽车充电。为了提高车载充电器的性能，汽车制造商正在探索采用碳化硅 (SiC) 等新技术。这篇技术文章将探讨车载充电器的重要性，以及半导体开关技术进步如何推动车载充电器的性能提升到全新水平。如今市场上有多种使用不同推进系统的汽车，包括仅由内燃机 (ICE) 提供动力的汽车、结合使用内燃机和电力系统的混合动力汽车

[电源管理]