稳住DRAM价格，三星、SK海力士将调整供给量

业界对存储器市场景气预估意见纷歧，传出三星电子(Samsung Electronics)与SK海力士(SK Hynix)可能弹性调整供给量配合市场需求，避免DRAM价格下跌。但除了国外分析师对市场景气看坏，韩国金融业界也预估两大韩厂会持续扩大DRAM供给量，呼吁厂商暂缓投资。

据韩媒Digital Daily报导，最近有若干产业分析报告书提到，韩国存储器厂商的DRAM库存量换算成金额时，大约是厂商公布的4倍之多，消息引起韩国业界反弹，认为报告书内容毫无根据。

韩国业界表示，存储器制程技术持续发展，自然会带动产品价格下滑，若欲维持一定市场价格，则需要厂商主动节制出货量。三星电子与SK海力士尚未确定设备投资金额，若能采取符合市场情况的弹性调整策略，将可避免价格暴跌。

主张存储器价格已攀升到最高点的专家认为，三星电子与SK海力士持续新增投资，因此会造成价格下跌。2018年7月便有分析师提到，三星电子为了牵制竞争对手，将会点燃流血竞争的战火，造成市场供给过剩。

实际上三星电子放慢平泽工厂的DRAM产线扩产速度，考虑采取较保守的供给策略，平泽工厂的剩余投资最快在2018年底才会执行。SK海力士即将启用的M15新厂将以生产NAND Flash为主，DRAM工厂M16预定2019年才会动工。

报导分析，三星电子近来调降利润低的移动DRAM生产比重，提高利润高的服务器DRAM供给，DRAM价格缓慢下跌可能受此转换过程影响，并非完全是因为市场普遍认为的供给过剩所造成。

专家认为NAND Flash价格下跌虽是影响市场景气的因素，但价格上涨才是反常。厂商的制程、技术愈来愈进步，理应让生产成本与市场价格下跌。

韩国金融业界呼吁两大韩厂应减少扩产投资，避免价格过度价跌，认为三星电子应不会进行2018年下半DRAM与NAND Flash的新增产线投资，即便有投资也是小规模水平。SK海力士在第3季执行部分NAND Flash新增投资，DRAM则要到2018年底或2019年初才会有小幅度投资。