Intel和镁光在新加坡建NAND闪存工厂-电子工程世界

泡泡网内存频道4月23日近日镁光公司（Micron）发布新闻公告称，其与英特尔（Intel)于新加坡投资30亿美元兴建的NAND闪存制造厂目前已开始进入投产阶段。

据悉，美光和英特尔在美国拥有两家合资芯片厂，随着市场对芯片产品需求的不断扩大，双方又联手兴建了这座工厂。这间工厂为新加坡当地创造了1200个工作岗位，由于此前爆发全球金融危机，加上内存市场较低迷，双方曾推迟过该工厂的兴建计划，但在2010年该项兴建计划才得以继续，并于今年提前完工。

但这间闪存制造工厂首先将采用25nm生产工艺，年底前再采用20nm制程。一周前，英特尔与美光公司共同宣布推出20nm制程的NAND闪存芯片，重新夺回了NAND闪存制作工艺的王座。预计在今年下半年由两者合资的IMFT公司将进行芯片量产，主要面向智能手机、平板电脑和固态硬盘等领域。

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