SST和GLOBALFOUNDRIES宣布其汽车级55nm嵌入式闪存技术已获认证

      2009年2月12日，恒忆（Numonyx）在北京发布业内首款采用45纳米工艺技术的多级单元（MLC）NOR闪存样片。在为客户提供高度的产品连续性和可靠性的同时，新产品发布还使恒忆能够大幅度提高存储产品的性能。新产品遥遥领先上一代65nm产品，是当前市场上最先进的NOR闪存。恒忆NOR闪存芯片广泛用于手机，运行关键的手机操作系统，管理个人数据，存储相片、音乐和视频。       这款45nm的1兆位(Gb)单片闪存基于Numonyx™ StrataFlash® 存储器架构，引脚兼容恒忆目前量产的65nm NOR闪存芯片。产品架构的兼容性和连续性使手机原始设备制造商能够降低开发成本，延长现有产品平台的生命周期，利用大

void SPI_FLASH_Init(void) { GPIO_InitTypeDef GPIO_InitStructure; SPI_InitTypeDef SPI_InitStructure; NVIC_InitTypeDef NVIC_InitStructure; /* Enable the SPI periph */ RCC_APB2PeriphClockCmd(FLASH_SPI_CLK, ENABLE); /* Enable SCK, MOSI and MISO GPIO clocks */ RCC_AHB1PeriphClockCmd(FLASH_SPI_SCK_GPIO_CLK | FL

SEMICON Taiwan 2013将于本周三(4日)揭开序幕，晶圆代工大厂格罗方德(GlobalFoundries)首席执行长Ajit Manocha今(3日)也提前来台召开记者会。关于如何看待18寸晶圆厂发展进程？Ajit Manocha指出，市场上预测全球第一座18寸晶圆厂可能在2018~2019年兴建完成，但格罗方德认为「可能更晚」，估计第一座18寸晶圆厂可能要等到2020年才会落成，而格罗方德「不会是第一座前进18寸晶圆厂者，但也不会是最后一个」。 相较于台积电(2330)预估，18寸晶圆厂可能在2015~2016年展开布建，而预计2018年前后即可以10/7奈米展开初期量产，格罗方德对18寸晶圆厂的进程显然保

新浪科技讯 北京时间9月21日晚间消息，路透社今日援引知情人士的消息称，美国半导体制造公司GlobalFoundries(格罗方德半导体股份有限公司)已要求欧盟对台积电展开反垄断调查。 GlobalFoundries由AMD拆分而来、与阿联酋阿布扎比先进技术投资公司(ATIC)和穆巴达拉发展公司(Mubadala)联合投资成立的半导体制造企业。在芯片代工市场，GlobalFoundries是台积电的最大竞争对手之一。该市场的其他竞争厂商还包括台联电和中芯国际等。 调研公司IC Insights数据显示，2016年台积电是全球最大代工厂商，市场份额高达58%。基于销售额，台积电还是全球第三大芯片厂商，仅位居三星和英特尔之后。

这里有个坑，我的路虎开发板原理图上是AT45DB161这样的芯片，实际上丝印却是SST25VF016B，这两个器件都是存储设备，但是它们不是pin对pin的，这里大家需要注意下！！！ /******************** (C) COPYRIGHT 2008 STMicroelectronics ******************** * File Name : spi_flash.h * Author : MCD Application Team * Version : V2.0.3 * Date : 09/22/2008 * Description : Header

在嵌入式应用中，海量存储密度正在以前所未有的速度增长。像便携式媒体播放器、蜂窝电话、数码相机、便携式导航设备、无线网卡、闪盘这样的消费产品由于需要处理越来越多的多媒体内容而要求更高的海量存储密度。 NAND闪存已经成为消费类应用中用作海量存储的主要选择，因为它相比NOR闪存而言具有单位比特成本更低、存储密度更高的优势，并且具有比硬盘更小的尺寸、更低的功耗以及更可靠的优势。 因为NAND闪存在消费市场上的需求量很高，因而存储成本下降得很快，像POS(销售点)终端、打印机以及其他应用可以用NAND存储器以更低的成本达到更高的密度。 然而，由于这些嵌入式应用对更高NAND闪存密度的要求在不断提高，设计师需要从各种NAND闪存类型、

2013年5月2日，德国纽必堡/德累斯顿与新加坡讯——英飞凌科技（FSE: IFX / OTC QX: IFNNY）与GLOBALFOUNDRIES 公司今日宣布，双方围绕40纳米（nm）嵌入式闪存（eFlash）工艺，签订一份合作技术开发与生产协议。双方合作的重点是立足于英飞凌的嵌入式闪存单元设计以及采用40纳米工艺制造汽车单片机和安全微控制器（MCU）的经验，进行相关技术的开发。GLOBALFOUNDRIES 公司旗下的多家晶圆厂将生产新一代40纳米嵌入式闪存MCU，其中新加坡的晶圆厂将成为第一个生产该类器件的晶圆厂，紧随其后的是公司位于德国德累斯顿的晶圆厂。 英飞凌科技管理委员会成员Arunjai Mittal指出：“利用

28nm商机正一波接一波涌现。继应用处理器、基频处理器与电视主晶片之后，无线区域网路(Wi-Fi)、近距离无线通讯(NFC)和射频收发器(RF Transceiver)等通讯晶片也已开始导入28nm先进制程。同时，行动装置业者对影像处理效能要求日益攀升，并积极寻求数位和类比混合讯号整合方案，亦将驱动相关晶片商扩大采用28nm技术。 格罗方德执行长Ajit Manocha提到，该公司亦将类比制程视为未来的布局重点，正全力展开部署。 格罗方德(GLOBALFOUNDRIES)执行长Ajit Manocha表示，行动装置设计空间愈来愈吃紧，通讯和显示等功能规格又日新月异，促使晶片商积极导入更先进的制程，除系统主处理器业者从2012年