​NAND缺口达颠峰　推升SSD价涨逾10%

DRAMeXchange最新研究显示，受惠于强劲的智慧型手机出货、eMMC/eMCP平均搭载容量提升及SSD的稳健成长，第四季NAND Flash缺货情况达今年最高峰，各产品别价格续创年度新高，预估缺货态势将持续至2017年第1季，届时企业级与用户级SSD合约价涨幅将超过10%，行动式相关产品的eMMC/UFS价格涨幅将更高。

今年第四季NAND Flash通路端颗粒与wafer价格创下年度新高、eMMC／UFS合约价季涨幅9～13%，企业级与用户级SSD合约价也上涨5～10%。
DRAMeXchange研究协理杨文得表示，整体缺货状况可分为两方面，从供给端分析来看，各家NAND Flash原厂转进3D-NAND 的速度加快，但除了三星外，厂商在转换过程中良率提升进度较缓，使得3D-NAND供应吃紧，而制程转换造成2D-NAND的供给快速下滑，也让2D-NAND缺货的情况更为明显。

从需求端观察，现阶段eMMC／eMCP与UFS等产品仍属2D-NAND制程，在中国智慧型手机品牌如华为、OPPO、vivo出货表现强劲下，持续追加高容量eMMC／eMCP的订单需求，是2D-NAND缺货最大的因素，同时也让NAND原厂将产能多数供应手机业者，大幅减低供货给模组厂的比重，间接使通路颗粒及wafer价格也跟着上涨。

杨文得表示，在2D-NAND供货持续紧缩、手机行动式NAND平均搭载量及SSD需求仍稳健提升之下，预期NAND Flash在OEM（代工厂）端缺货的态势将延续至2017年第一季，价格再攀新高。不过，由于NAND Flash价格从今年第二季起涨，累计涨幅已有相当程度。

目前通路端终端的售价调整已让需求上升速度有减缓迹象，智慧型手机及个人电脑厂的储存成本也大大攀升，掌握整机成本的难度更为增加，因此，虽然明年第一季NAND Flash涨价格局已然确立，但后续的价格走势将更依赖智慧型手机出货与平均搭载容量的提升情况，及各NAND Flash厂3D-NAND制程转进的进度。