推荐阅读最新更新时间:2024-05-03 17:41
3D Xpoint技术不会直接影响3D NAND的发展
2015中国集成电路促进大会近日于厦门成功举行,会后武汉新芯执行副总裁,营运长洪沨博士就公司现状和存储器发展与集微网记者做了深度交流。
首先,对于武汉新芯的制造技术是否拥有自主知识产权,洪沨博士给出了肯定的回答。武汉新芯选择与美国Spansion展开3D NAND联合技术的开发合作,双方在知识产权方面实现共享。这是因为Spansion并未处于当前NAND Flash主流市场的四家厂商之一,而且3D NAND的核心技术源自于Spansion,两家可以通过合作的方式快速发展。有记者追问为什么不选择与三星合作?洪沨博士反问,你觉得三星会跟你合作吗,三星目前在3D NAND技术上已经遥遥领先,不会帮助你成为他的竞争者的。
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SLC寿命MLC成本,宜鼎推全新iSLC NAND闪存的SATA 3IE4系列
Innodisk在德国.纽伦堡嵌入式电子与工业电脑应用展上宣布,独家研发的iSLC NAND闪存已经实现大规模量产出货,这是一款同时拥有SLC NAND级别寿命以及MLC NAND级别成本两大特点的新式闪存。宜鼎将在新推出的SATA 3IE4系列工业级SSD上,搭载该iSLC NAND,控制芯片则延续Marvell方案,拥有卓越的性能及可靠性且长寿命等优点,为工业用户带来更好的效益回报率。 iSLC NAND—更高性价比存储解决方案 目前NAND闪存主要分三种,寿命长、速度快、成本高的是SLC NAND;MLC NAND则在各方面取得平衡,虽然寿命和性能要低一点,但价格实惠,单颗容量也要比SLC NAND大。TLC NA
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基于单片机的FIash存储器坏块自动检测
随着电子技术飞速发展,智能电子产品随处可见,如PC机、移动电话、PDA、数码相机、游戏机、数字电视等,而诸如此类的电子产品的核心器件往往离不开存储器。无论是从存储器的物理结构、存储容量、数据读写速度、可靠性、耐用性,还是产品的实用性方面。其种类繁多。然而由于种种原因,越来越多的电子产品采用数据传输快、容量大的NAND型Flash存储器。虽然NAND型Flash具有许多优点,但其有随机产生不可避免的坏块,如果不能很好解决该坏块将导致高故障率。因此,这里提出一种基于DSP的Flash存储器坏块自动检测系统。 1 系统设计方案 图l为Flash存储器坏块自动检测系统结构框图。 本系统设计采用AT89C51自动
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长江存储19年量产64层3D NAND,下一代将进入128层
来自集邦咨询半导体研究中心(DRAMeXchange)的消息称,紫光旗下的NAND Flash厂长江存储今年底前将正式量产64层Xtacking 3D NAND产品,而随其2020年逐步扩冲产能,预计将对全球NAND Flash市场供应与价格带来冲击。 集邦预计,长江存储到年底扩张达至少每月60000片投片量,与其他竞争者动辄200000片以上的产能并不算大,但预估NAND Flash市场价格仍会受到一定冲击,进而导致跌价趋势持续。 实际上,长江存储技术有限公司首席技术官程卫华此前在接受《日经亚洲评论》采访时便已透露,公司将在今年年底前大规模生产64层3D NAND闪存。目前,在中国政府的支持下,长江存储正在武汉
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明年上半年DRAM吃紧、NAND恐供大于求
集微网消息,内存明年市况恐将不同调,DRAM市场仍将持续吃紧,NAND Flash市场则将于明年上半年转为供过于求。 DRAM 与 NAND Flash 市场今年都处于供不应求状态,产品价格同步高涨,只是业界普遍预期,明年 DRAM 与 NAND Flash 市况恐将不同调。 内存模块厂创见指出,DRAM 市场供货持续吃紧,价格未见松动迹象。 NAND Flash 方面,随着 3D NAND Flash 技术日益成熟,生产良率改善,可望填补供货缺口。 另一内存模块厂威刚表示,短期内全球 DRAM 大厂仍理性看待产能议题,并未有大幅破坏产业生态的计划,持续正面看待 DRAM 市况。 NAND Flash 方面,威刚指出,随着供货商
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东芝停工 NAND价格恐有所波动
全球第二大储存型快闪记忆体(NAND Flash)制造商东芝半导体(TMC)旗下五座工厂日前因地震停电,导致营运中断,虽然东芝尚未公布损害情形,但日系外资与业界都研判受创不轻,预料将扭转原本市场观望心态,使得备货需求陆续进场,促使报价连跌逾八季的NAND Flash价格止跌,下半年出现反弹契机。 台湾并无生产NAND晶片的厂商,但包括群联、威刚、创见、宇瞻、十铨等记忆体相关厂商都有NAND相关应用业务,随着NAND市况有望出现转机,相关台厂也将沾光,尤其先前已宣布趁前波NAND低价大举备货的群联,受惠更大。 日系外资认为,东芝半导体在日本三重县四日市的NY2、Y3、Y4、Y5 和Y6共五座工厂生产线,上周因强震而中断
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机构:DRAM与NAND FLASH价格下半年将下降
Gartner 表示,在 NAND Flash 方面 2017 年第 2 季将会开始呈现反转,使得全球 NAND Flash 和 SSD 的价格会在 2018 年出现明显下滑,并在 2019 年重新陷入一个相对低点。下面就随嵌入式小编一起来了解一下相关内容吧。 Gartner 表示,自 2016 年中期以来,随着 NAND Flash 的涨价,SSD 的每字节的成本也出现了惊人上涨。 不过,这种上涨趋势将在本季达到顶峰。 其原因在于中国厂商大量投入生产的结果,在产能陆续开出后,市场价格就一反过去的涨势,开始出现下跌的情况。 Gartner 进一步指出,中国曾在 2014 年表示,将在未来 10 年内花费 1
[嵌入式]
【记录】NAND FLASH控制器
结构 bin文件的结构包括两部分,主程序被放到NAND flash中的4096地址上。 前4k程序负责把主程序直接复制到SDRAM中。 前4k程序在片内的SRAM中执行,主程序在SDRAM上执行。
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