士兰微投资上海超丰科技-经营范围包括集成电路芯片设计

百度和三星本周二宣布，百度首款云到边缘人工智能加速处理器百度昆仑已完成开发，将于明年初量产。 　　 百度昆仑芯片基于百度自主研发的，面向云、边缘和人工智能的神经处理器架构XPU。芯片将采用三星的14纳米制造工艺以及I-Cube TM封装解决方案。 　　 这款芯片提供512 GBps的内存带宽，在150瓦的功率下实现260 TOPS的处理能力。此外，这款新的芯片支持针对自然语言处理的预训练模型Ernie，推理速度比传统GPU/FPGA加速模型快3倍。 借助这款芯片的计算能力和能效，百度可以支持包括大规模人工智能计算在内的多种功能，例如搜索排序、语音识别、图像处理、自然语言处理、自动驾驶和PaddlePaddle等深度学习平台

　　作为中国领先的射频及混合信号芯片供应商，锐迪科微电子(以下简称“ RDA ”)今日宣布累计量产20亿颗GSM功率放大器 芯片，并正式推出全系列硅基CMOS工艺的GSM功率放大器 RTM72xx产品。下面那就随测试测量小编一起来了解一下相关内容吧。 　　自2007年7月份推出第一款GSM 射频 功率放大器 芯片(以下简称“PA”)以来， RDA 凭借其产品稳定可靠的品质和卓越优良的性能，获得了客户的广泛认可。截止2017年2月份，实现累计出货20亿颗。历经近十年的市场严酷考验， RDA 的GSM PA芯片已成功应用于各个平台的手机和模块中，RDA成为GSM市场最成功的本土PA公司。 　　此次RDA推出的RTM72xx系列

英特尔近日宣布明年将全力布局AI，还要推出多个专用AI处理器晶片，包括代号为“Lake Crest”的AI晶片，以及搭配Xeon处理器代号为“Knights Crest”的AI晶片，都将专攻深度学习应用。至于Xeon Phi晶片也将会推出新产品。 一直以来，GPU的高度平行运算能力在AI应用获得很大关注，不过，在平行运算略占下风的CPU厂商近年来也开始提高CPU的运算能力，例如处理器大厂英特尔在新一代CPU处理器内，就陆续特别增加晶片核心数量，最近英特尔更宣布明年将全力布局AI，甚至还要推出多个专用的AI处理器晶片。 英特尔明年将推出多个专用AI晶片 有了之前布局行动晶片太晚而苦于追赶的惨痛经验，英特尔这次选择提早切入

今天开始驱动DS18B20温度采集芯片！ 从网上收集的资料 DS18B20的内部结构 DS18B20内部结构主要由四部分组成：64位光刻ROM、温度传感器、非挥发的温度报警触发器TH和TL、配置寄存器。DS18B20的管脚排列如下: DQ为数字信号输入/输出端；GND为电源地；VDD为外接供电电源输入端（在寄生电源接线方式时接地）。 光刻ROM中的64位序列号是出厂前被光刻好的，它可以看作是该DS18B20的地址序列码。64位光刻ROM的排列是：开始8位（28H）是产品类型标号，接着的48位是该DS18B20自身的序列号，最后8位是前面56位的循环冗余校验码（CRC=X8+X5+X4+1）。光刻ROM的

北京时间9月26日早间消息，据报道，美国半导体巨头英特尔公司准备在意大利建设一座投资几十亿欧元的芯片封装厂。两位知情人士透露，意大利政府和英特尔已经敲定意大利东北部威尼托地区的小镇维加西奥（Vigasio），作为这座芯片工厂的选址地点。 　　 英特尔在意大利建设的这座芯片封装厂，是其欧洲大型投资计划的一部分。去年3月，该公司宣布未来十年内，将会在欧洲投资800亿欧元（约775亿美元），部署半导体产能。 　　 意大利芯片封装厂的初步投资为45亿欧元，未来还将扩大投资。英特尔介绍称，这座工厂将会创造1500个直接就业岗位，另外还将通过供应商和合作伙伴创造3500个间接就业岗位。工厂的竣工投产时间在2025年到2027年之间。 　　 据

苹果已经发布了新的 M1 芯片，并正式开始了从 Intel 到 Apple Silicon 的过渡，这似乎对三星电子也有所帮助。 根据 BusinessKorea 的报告，三星电子很有可能成为 M1 芯片的制造商。如果报道属实，那么三星将在大约五年后为苹果生产芯片。 目前，M1 芯片由台积电（TSMC）制造。但是如果该公司很难满足订单的需求，苹果可能会将部分订单转移给三星。 值得注意的是，新推出的 M1 芯片是使用 5nm 工艺制造的，而台积电和三星是目前世界上仅有的两家具有制造 5nm 芯片能力的工厂。 M1 芯片装有惊人的 160 亿个晶体管，大大高于 iPhone 12 的 A14 仿生使用的 118 亿个。

　　中国正打造一个世界级的半导体产业，生产广泛用于电子设备的存储芯片。中国正斥资240亿美元打造一个世界级的半导体产业，将与一家美国公司合作生产广泛用于电子设备的存储芯片。 　　武汉新芯集成电路制造有限公司(XMC)发言人表示，武汉新芯周一将在湖北省武汉市动工兴建中国自己的首家闪存芯片工厂。这家芯片代工企业为中国政府所有。 　　武汉新芯去年与美国闪存生产商Spansion Inc. (CODE)结成合作伙伴，共同研发下一代芯片技术。Spansion后来在一桩50亿美元的全股票合并交易中被柏士半导体(Cypress Semiconductor Corp.， CY)收购。 　　存储芯片用于在电子产品中储存数据，目前中国还没有

    台湾瑞晶电子公司宣布成功试产了尔必达的30nm制程2Gb密度DDR3内存芯片产品，这次试产尔必达30nm制程产品的结果达到了公司预期的期望值，瑞晶并称公司将按计划进行制程的切换工作。新的2Gb DDR3内存芯片采用的是尔必达开发的30nm制程技术制作，这种制程功耗低且产出效率高.相比采用40nm制程制作的芯片，每片晶圆可多产出45%数量的芯片。     这种30nm制程2Gb密度DDR3芯片可满足DDR3-1600标准，工作电压1.35V，可兼容DDR3+标准（seamless BL4 access：可以提升突发长度为4时的芯片突发读写操作的效率）,应用在消费电子类产品上后可提升产品的整体性能。     瑞晶的发言人表示：