0 引 言
美国国家半导体公司的超高速ADC-ADC08D1000是一款高性能的模/数转换芯片。它具有双通道结构,每个通道的最大采样率可达到1.6 GHz,并能达到8位的分辨率;采用双通道“互插”模式时,采样速率可达2 GSPS;采用128脚LQFP封装,1.9 V单电源供电;具有自校准功能,可通过普通方式或扩展方式对其进行控制;可工作在SDR,DDR等多种模式下。下面对该芯片进行详细介绍。
1 ADC08D1000的结构和管脚说明
1.1 ADC08D1000的结构
ADC08D1000的结构如图1所示,主通道由输入多路模拟开关、采样保持电路、8位ADC和1:2分离器/锁存器组成。它共有两路相同的通道。控制逻辑由普通方式或扩展方式进行配置,对整个芯片进行控制。
1.2 ADC08D1000的管脚说明
ADC08D500采用128脚LQFP封装,管脚图见图2。
其关键管脚说明如下:
(1)OUTV/SCLK:输出电压幅度/串行接口时钟。高电平时,DCLK和数据信号为普通差分幅度;接地时,差分幅度会降低,从而减少功耗。当扩展控制模式开启时,此脚为串行时钟脚。
(2)OUTEDGE/DDR/SDATA:DCLK时钟沿选择/DDR功能选择/串行数据输入。当此脚连接到1/2 VA或者悬空时,进入DDR模式。扩展控制模式时,这个脚作为SDATA输入。
(3)DCLK_RST:DCLK的复位。一个正脉冲可以复位和同步多片ADC中的DCLK输出。
(4)PD/PDQ:低功耗模式管脚。逻辑高电平加在此脚会使芯片进入休眠状态,当逻辑高电平加在PDQ上只会使Q通道ADC进入休眠状态。
(5)CAL:校准过程初始化引脚。
(6)FSR/ECE:全量程选择以及扩展控制模式选择,在非扩展控制模式,逻辑低电平会把全量程差分输入范围(峰峰值)设置为650 mV;逻辑高电平会把全量程差分输入范围(峰峰值)设置为870 mV。当此脚连接到1/2VA或者悬空时,进入扩展控制模式。
(7)CLK+/CLK-:ADC的LVDS时钟输入。这个差分时钟信号必须是交流耦合的。输入信号将在CLK+的下降沿被采样。
(8)VINI+/VINI-/VINQ+/VINQ-:ADC的模拟输入脚。
(9)CalRun:校准运行指示。高电平有效。
(10)DI/DQ/DId/DQd:I通道和Q通道的LVDS数据输出。
(11)OR+/OR-:输入溢出指示。
(12)DCLK+/DCLK-:差分时钟输出,用于将输出数据锁存。延迟和非延迟输出数据与此信号同步。当工作在SDR模式时,这个信号的速率为1/2输入时钟速率;当工作在DDR模式时,这个信号为1/4输入时钟速率。[page]
2 ADC08D1000的功能描述
2.1 自校准
自校准在上电后运行,也可以由用户引发。在量程转换或温度有较大变化时需要运行自校准,建议在上电20 s后进行。在休眠模式时,不能进行自校准。
正常操作下,上电或用户触发都能引发自校准。用户触发时,使CAL为至少10个周期的低电平加上至少10个周期高电平,自校准的运行时间大概为140 000个时钟周期,注意在上电时保持CAL为高可以阻止自校准的发生。自校准运行时,CALRUN为高。自校准时,CALDLY不能悬空。
2.2 采样
数据在CLK+的下降沿被采得,13个周期后在DI/DQ得到,14个周期后在DId/DQd得到,还要加上一个小的延时,只要CLK给出,就开始采样。
2.3 控制模式
一些基本的控制都能通过普通模式来设置,比如自校准、休眠模式和量程设置等。ADC08D500还提供扩展控制模式,借助串行接口来配置芯片内部的寄存器,扩展控制模式不能动态地选择。使用扩展模式时,引脚控制被忽略。控制模式通过14脚(ECE)来选择。
2.4 时钟
CLK必须为交流耦合的差分时钟。DCLK用来送给外部器件来锁存数据,可以选择采样方式(SDS/DES)和数据输出方式(SDR/DDR)。
(1)DES双边沿采样。双边沿采样时,用双通道对同一个输入信号采样,一个在上升沿采样,另一个在下降沿采样,因此相当于两倍的采样率。在这种模式下,输出的并行4 B数据,按时间先后顺序为DQd,DId,DQ,DI。普通控制模式时,只能对I路进行双边沿采样,扩展控制模式时,可以选择I路或Q路。
(2)输出边沿设置。在SDR模式下,通过设置OutEdge(Pin14)来选择输出数据在上升沿还是下降沿锁存,高电平为上升沿,低电平为下降沿。
(3)DDR。可以通过对4脚进行设置来选择输出方式,高电平为SDR上边沿锁存,低电平为SDR下边沿锁存,悬空为DDR。SDR时DCLK频率与数据输出率一致,DDR时DCLK频率为数据输出率的一半。
3 ADC08D1000的控制
3.1 普通控制
普通控制方式主要是对对应管脚的电平设置,主要有CAL,CALDLY,FSR,OUTEDGE,OUTV,PD和PDQ等方式。以双边沿采样、650 mV(峰峰值)、低边沿SDR非低功耗模式为例,用VHDL语言对其进行配置。为了保证采样精度,考虑到实际应用中的发热及环境变化等因素,采用初始化延时的方法,利用芯片本身的自校准功能予以解决,普通模式下的程序如下:
3.2 扩展控制
3.2.1 控制字格式
当FSR/ECE脚连接到1/2 VA或者悬空时,进入扩展控制模式。扩展控制接口包括3个管脚:SCLK,SDATA,SCS,用来配置8个只写寄存器。
SCS:当写一个寄存器时,此脚应置低。
SCLK:最大为100 MHz,在上升沿写数据。
SDATA:写每个寄存器需要32位数据,包括头、地址和寄存器值。从最高位开始移入,格式为000000000001(头12位)+4位地址+16位数据。地址和值的含义请见寄存器描述部分。写各寄存器时不用间断,可以在第33个脉冲时继续写下一个寄存器。[page]
3.2.2 寄存器描述
用于扩展控制的寄存器共有8个,分别描述如下:
(1)配置寄存器(地址1h)
位15:必须为“1”。
位14:必须为“0”。
位13:必须为“1”。
位12:DCS,占空比稳定器。当该位置“1”时,一种占空比稳定电路应用到CLK上,使输入时钟更稳定。默认为“1”。
位11:DCP,DDR时钟相位。此位只有在DDR模式下才有效。当本位为“0”时,DCLK的边沿与数据的边沿同相;当本位为“1”时,DCLK的边沿与数据的边沿同差180°(在数据的中间),默认为“O”。
位10:Nde,DDR使能。当此位为“0”时,为DDR模式。此时输出数据在DCLK的上升沿和下降沿输出。当此位为“1”时,为SDR模式,默认为“0”。
位9:OV,输出电压。此位决定LVDS输出电压(峰峰值)的幅度,置“1”时,为600 mV,置“0”时,为450 mV,默认为“1”。
位8:OE,输出边沿。此位决定在SDR模式下数据的输出边沿。置“1”时,输出数据在DCLK+的上升沿变化;置“0”时,输出数据在DCLK+的下降沿变化;
默认为“0”。
位7:0,必须为“1”。
(2)I通道偏置(地址2h)
位15:8,偏置值:I通道的输入偏置值;00h为0偏置,FF为45 mV;步进为0.176 mV;默认为00h位7:符号位。“0”为正偏置,“1”为负偏置,默认为“0”。
位6:0,必须为“1”。
(3)I通道满量程电压调整(地址3h)
位15:7,满量程电压调整值,满量程电压随此值(峰峰值)单调线性变化。
0000 0000 0 560 mV
1000 0000 0 700 mV
1111 1111 1 840 mV
默认值为1000 0000 0;
位6:0,必须为“1”。
(4)Q通道偏置(地址Ah)
与I通道偏置定义相同。
(5)Q通道满量程电压调整(地址Bh)
与I通道满量程电压调整定义相同。[page]
(6)DES使能(地址Dh)
位15:DES使能:置“1”配置双边沿采样模式。置“0”配置单边沿采样模式。默认为“0”。
位14:自动时钟相位控制。置“1”时打开自动时钟相位控制,此时,DES粗调和微调失效。一个相位检测电路被用来保证I路和Q路的采样边沿相差180°。置“O”时关闭自动时钟相位控制,I路和Q路的采样边沿相位差由DES粗调和微调值来设定,默认为“0”。
位13:0,必须为“1”。
(7)DES粗调(地址Eh)
位15:输入选择,置“0”时I路用于双边沿采样,置“1”时Q路用于双边沿采样。默认为“0”。
位14:调整方向选择,置“0”时,I路滞后于Q路;
置“1”时,Q路滞后于I路。默认为“0”。
位13:11:粗调幅度,步进为20 ps。默认为“000”。
位10:0:必须为“1”。
(8)DES微调(地址Fh)
位15:7,微调幅度。步进为0.1 ps。默认为00h。
位6:0,必须为“1”。
以双边沿采样、650 mV(峰峰值)、低边沿SDR非低功耗模式为例,用VHDL语言配置如下:
4 结 语
ADC08D1000在满足超高速采样的情况下各种性能都有很好的表现。采样精度高,出错概率小,功耗较低,正常运行下功耗不超过1.6 W,低功耗模式下不超过20 mW。工作模式灵活,可以根据需要配置成多种工作方式。在卫星机顶盒、测量仪器、射频采样等中高端的各种需要高速采样的场合值得推荐使用。
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