Fairchild发布了FDMQ8205,增强了 GreenBridge™ 4颗MOSFET有源桥技术

eeworld网晚间消息 — 2017 年 4 月12 日 — 日前，Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，将159 PUL-SI系列卡扣式铝电容器中的500V器件的使用寿命延长到5000小时。Vishay BCcomponents的电容器适用于太阳能逆变器、工业电机控制和电源，在+105℃下的使用寿命长达5000小时。 159 PUL-SI电容器采用带减压阀的圆柱形铝壳，之间用蓝色套筒绝缘，有从22 x 25mm到35 x 60mm的多种外形尺寸。器件的额定电压从200V到500V，纹波电流达2.80A，100Hz条件下最大ESR低至150mΩ，最高工作温度为+105℃。 1

摘要：简要介绍IrDA红外数据传输的特征；详细说明各种常见IrDA类型器件的构成；重点阐述常用红外数据传输电路的设计及其注意事项。 关键词：红外数据传输 红外检测 IrDA 编/解码 调制/解调 引 言 红外数据传输，成本低廉、连接方便、简单易用、结构紧凑， 在小型移动设备中得到了广泛的应用。近年来，很多著名半导体厂商，如Agilent、Vishay、Sharp、Zilog、Omron等，相继推出了许多遵循同一规范的不同类型的器件。本文就IrDA红外数据传输、各种IrDA器件的构成及其不同类型的红外通信电路设计进行综合阐述。 1 红外数据传输及其规范简介 　　红外数据传输，使用传播介质——红外线。红外线是波长在7

高分辨率转换器存在的一些问题是电压参考噪声、稳定性，以及该参考电路驱动转换器电压参考引脚的能力。R1、C2和C3无源滤波器随电压参考噪声急剧下降。这种低通滤波器的转角频率为1.59Hz。该滤波器可减少宽带噪声和极低频噪声。附加R-C滤波器使噪声水平降至20位ADC的可控范围以内。这一结果令人鼓舞。但是，如果电流受到拉力，从ADC参考引脚流经R1，则压降会破坏转换，因为每个位判定 (bit decision) 都有一次压降。图1所示电路还是为您的16位以上的转换器提供了一款不错的解决方案。 　　 　　图 1 16位以上ADC电压参考电路 　　图1所示电路图有一个运算放大器(op amp)，旨在“隔离”C2、R1和C

    凭借20多年的混合动力汽车研发经验，福特开发出了一种电池模型试验，这种试验能够模拟锂电池经过10年或15万公里的工作后的损耗情况。这项试验被称为“关键寿命试验”（Key Life Test）。     近年来才在电动车界逐渐采用的锂铁电池并没有像普锐斯采用的镍氢电池一样的长达十年的市场考验，直到今天，我们也没有任何实车完成如此漫长时间的测试。 针对这个问题，福特公司在2010年在《国际能量研究期刊》(International Journal ofEnergy Research)上发表学术论文并介绍了这项试验。     公司的耐久性试验既包含电池组，也包含电池芯，试验中模拟了多种恶劣环境，包括亚利桑那州凤凰城的14

    引言           随着通信产业的不断发展,移动终端已经由原来单一的通话功能向话音、数据、图像、音乐和多媒体方向综合演变。     而对于移动终端,基本上可以分成两种：一种是传统手机(feature phone);另一种是智能手机(smart phone)。智能手机具有传统手机的基本功能,并有以下特点：开放的操作系统、硬件和软件的可扩充性和支持第三方的二次开发。相对于传统手机,智能手机以其强大的功能和便捷的操作等特点,越来越得到人们的青睐,将逐渐成为市场的一种潮流。     然而,作为一种便携式和移动性的终端,完全依靠电池来供电,随着智能手机的功能越来越强大,其功率损耗也越来越大。因此,必须提高智能手机的

2012年7月9日，中国上海讯 — 科锐公司（Nasdaq: CREE）宣布推出可适用于军用和商用S 波段雷达中的高效GaN HEMT 晶体管。新型 S 波段GaN HEMT 晶体管的额定功率为60W，频率为 3.1至3.5GHz 之间，与传统Si或 GaAs MESFET 器件相比，能够提供优越的漏极效率（接近70%）。同时，高效率和高功率密度的结合有助于最大限度地降低散热的要求，并减少在商用雷达系统应用中的尺寸与重量。 科锐无线射频（RF）及微波部门总监 Jim Milligan表示：“新型 S 波段 GaN HEMT 器件的推出丰富了科锐高效 S 波段GaN晶体管与单片式微波集成电路（MMIC）产品系列，从而为客户在商用雷

    摘要： 介绍基于SRAM的可重配置PLD的原理；通过对多种串行配置的比较，提出单片机与存储器串行配置方式；从系统复杂度、可靠性和经济性等方面进行比较和分析。     关键词： 复杂可编程逻辑器件 静态随机存储器 被动串行 引言 基于SRAM（静态随机存储器）的可得配置PLD（可编程逻辑器件）的出现，为系统设计者动态改变运行电路中PLD的逻辑功能创造了条件。PLD使用SRAM单元来保存配置数据决定了PLD内部的互连和功能。改变这些数据，也就改变了器件的逻辑功能。由于SRAM的数据是易失的，因此，这些数据必须保存在PLD器件以外的EPROM、EEPROM或Flash ROM等非易失存储器

天眼查显示，宁波安建半导体有限公司（简称：安建半导体）近日获1.8亿元B轮融资，资方包括超越摩尔资本、弘鼎创投、龙鼎投资、联和资本、君盛投资、金建诚投资。 图片来源：天眼查 安建半导体成立于2016年，是一家半导体功率器件厂商。安建半导体本次募集资金将主要用于高、低压MOS和IGBT全系列产品开发、第三代半导体SiC器件开发和IGBT模块封测厂建设。 据悉，安建半导体创始人单建安本硕博毕业于加拿大多伦多大学电气工程专业，1988年博士毕业后任美国纽约飞利浦研究所高级研究员，1991年回国一同创办香港科技大学，任电子与计算机工程系教授。2012年被授予美国电子电气工程师学会院士(IEEE Fellow)。在港科大任教期间，单建