直接发光绿色氮化铟镓(InGaN)激光试验成功-电子工程世界

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欧司朗光电半导体成功研发直接发光绿色氮化铟镓(InGaN) 激光，标志着实验室研究取得重大突破。该款激光的光输出高达 50 mW，发射波长为 515 nm 的真绿光线。与目前采用倍频技术的半导体激光相比，直接发光绿色激光器体积更小，温度稳定性更高，调制能力更强，更易于控制。

欧司朗光电半导体已成功突破氮化铟镓 (InGaN) 材料系统以往的局限性。在预开发阶段，欧司朗光电半导体即已采用氮化铟镓 (InGaN) 材料成功生产出首款光输出较高的直接发光绿色激光二极管。该款二极管可发射“真绿”光线，光谱范围介于 515 至 535 nm 之间。在这个光谱范围内，目前市售的优质高效半导体激光器仅限于倍频版本。然而，从中期来看，直接发光绿色激光器可在众多应用中取代倍频激光器，因为相比之下，直接发光绿色激光器更易于控制，温度稳定性更高，体积更小，而且在数百兆赫时调制能力更强。

该款激光器的初步性能数据已非常振奋人心。在脉冲模式下，实验室原型在室温下的光输出已达到 50 mW，阀值电流密度约为 9 kA/cm²。欧司朗光电半导体技术总监 Christian Fricke 博士表示：“这台演示器足以证明，可以使用氮化铟镓 (InGaN) 生产绿色激光器。因此，我们将着手开始生产具有成本效益的紧凑型高品质绿色激光光源。”绿色激光器广泛应用于医疗和工业领域，也可用作移动迷你投影机的光源。采用直接发光绿色激光器，可使这类投影机的体积更小、性能更佳。目前，欧司朗光电半导体已推出商用蓝色氮化铟镓 (InGaN) 激光二极管。

由德国教育与研究部 (German Ministry for Education and Research) 资助的 MOLAS 研究项目（截至 2011 年 3 月，FKZ 13N9373），正全力开发应用于超紧凑型移动激光投影系统的技术。激光投影机拥有强大的优势，可始终呈现清晰、真彩、高对比度的图像，而不受投影距离和投影表面的影响。这些巨大优势有朝一日必将惠及手机和相机用户。作为该项目的参与者，欧司朗正着力开发适用于移动投影系统的基于氮化铟镓 (InGaN) 材料系统的高效激光光源。首款直接发光绿色激光器的研制成功，标志着欧司朗已实现重大的初期目标。

图片来源：欧司朗

实验室可靠数据证明：凭借新研发的直接发光绿色激光，欧司朗光电半导体在移动激光投影领域开创了一个重要的新里程碑。

关键字：氮化铟镓 InGaN 直接发光激光编辑：小甘引用地址：直接发光绿色氮化铟镓(InGaN)激光试验成功

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