图1所示的分立DC/DC转换器设计仅使用了一些现有的标准组件(例如:逻辑IC和MOSFET等),服务于变压器驱动器,以及一个用于稳定输出电压的LDO.该电路使用许多通孔组件制成样机,从而使其比集成组件的体积要大,但是由于使用TI的Little Logic器件,板空间得到了极大缩减。
这种设计的主要好处是较少的材料清单(BOM),以及为1到6kV范围隔离电压选择隔离变压器的自由度。我们的目标是:通过使变压器驱动器级为稳定输出全集成DC/DC转换器和独立变压器驱动器提供一款低成本的替代方案。
图1:隔离式3.3V到5V推拉式转换器
工作原理
低成本、隔离式DC/DC转换器一般为推挽式驱动器类型。工作原理非常简单。带推挽输出级的方波振荡器驱动一个中心抽头变压器,其输出经过整流,可以稳定或非稳定DC形式使用。一个重要的功能性要求是方波必须具有50%占空比,以确保变压器铁心对称磁化。另一个要求是磁化电压(E)和磁化时间(T)的乘积(称作ET乘积,单位为Vμs),不得超出由其厂商规定的变压器典型ET乘积。我们还必须紧挨振荡器安装使用先断后通电路,以防止推挽输出级的两个变压器铁芯柱同时导电从而引起电路故障。
分立设计
着名的三反相门振荡器由 U1a、U2a 和 U2b 组成,选择它是因为它在供电波动方面较为稳定。通过一个100-pF陶瓷电容器(COSC)和两个10-kΩ电阻器(ROSC1和ROSC2),它的正常频率被设定为330kHz.在3.0-V到3.6-V电源电压波动范围内,振荡器拥有接近50%的占空比,以及低于±1.5%的最大频率波动。图2显示了ROSC1和ROSC2(TP1) 相加点和振荡器输出(TP2)处的波形。所有电压均为参考电路基准电压测得。
图2:TP1和TP2的振荡器波形
施密特触发电路NAND栅极(U1c、U1d)实现先断后通功能,以避免MOSFET导通阶段交叠。其他两个NAND门(U2c,U2d)配置为反相缓冲器,从而产生驱动N通道MOSFET(Q1、Q2)必需的正确信号极性。图3显示了完整的先断后通动作。为了适应标准逻辑门的有限驱动能力,我们选择了MOSFET,因为其较低的总电荷和较短的响应时间。
图3:先断后通波形
隔离变压器 (T1) 拥有 2:1 的次级对初级匝数比、0.9 mH的初级线圈电感,以及3kV的保证隔离电压。图4显示了变压器的输入和输出波形。
图4:变压器波形
两个二极管(D1、D2)均为快速肖特基整流器,在满负载电流条件下(200 mA 时VFW < 0.4 V)提供低正向电压的同时进行全波整流。从这些二极管后面的降压电容器 (Cb3) 直接获得输出电压是可能的。这种情况下,输出不稳定,但具有DC/DC转换器的最大效率。然而,设计人员必须保证不超出受影响电路的最大电源电压,其在低负载或开路状态下时较容易发生。如果最小负载条件下的非稳定输出电压过高,则必需在全波整流器之后使用一个线性稳压器,以提供稳定的输出电源电压。
线性稳压器的主要好处是低纹波输出。其他好处还包括短路保护和超温关闭。但是,主要缺点是效率非常低。
图5显示了4.93 V输出电压条件下图1所示电路的纹波,而图6将该电路的效率同具有稳定输出的集成DC/DC组件进行了对比。
图5:VOUT=4.93V时的输出纹波
图6:效率对比
下表提供了分立式DC-DC转换器的BOM.请注意,旁路电容器值大于常用于一些低速应用的10 nF.这是由于高速CMOS技术(例如:AHC、AC和LVC等)具有高动态负载,因此旁路电容器值必须为0.1 μF或者更高以保证正常运行。这对驱动MOSFET的反相缓冲器特别重要,其旁路电容器值为0.68 μF.
结论
不存在电路板空间限制的情况下,具有稳定输出的隔离式3.3-V到5-V DC/DC转换器分立设计可以成为稳定输出集成DC/DC组件的一款现实低成本代替方案。分立设计的主要好处是可以自由选择隔离变压器,以满足各种隔离电压要求。
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推荐阅读最新更新时间:2023-10-18 16:38
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