英飞凌推出650V高性能IGBT TRENCHSTOP5-电子工程世界

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英飞凌展示可满足客户高要求的性能一流的IGBT——650V TRENCHSTOP5

2013年6月19日，上海讯——英飞凌科技股份有限公司 (FSE:IFX / OTCQX:IFNNY) 在上海PCIM Asia 2013 电力电子、智能运动、可再生能源管理展览会上突出展示了650V TRENCHSTOP 5。新一代的薄晶圆IGBT绝缘栅双极型晶体管——TRENCHSTOP? 5自从2012年秋季推出以来，已经获得了巨大的市场关注，它被认为是一种革新的技术。如今已有400多家客户收到样品，英飞凌于2013年5月开始量产，很多客户也将开始试产。

TRENCHSTOP 5实现了IGBT产品性能的一大飞跃，与当前市场上主流IGBT的技术相比，其系统效率具有极大的改进。与竞争对手的IGBT相比，其系统效率提升了将近1%。除了效率提升，更高的击穿电压也提高了可靠性，让客户获得竞争优势和实现产品差异化，因此它备受客户的青睐。

高效率和功率密度是TRENCHSTOP? 5成为开关频率范围为16 kHz至30 kHz光伏逆变器的Boost电路和开关频率范围为20 kHz至70 kHz UPS PFC电路和电池充电电路的首选器件的关键原因。提升的效率可使工作结温更低，确保了更长的使用寿命及高可靠性，实现了更高的功率密度设计。后者可以让客户重新考虑设计采用更小的封装，例如用TO-220来替代TO-247。

另外，设计者在对噪音极其敏感的系统（如音频放大器）的设计中，首次采用 TRENCHSTOP? 5便发挥出它的巨大价值。由于TRENCHSTOP? 5具有极强的耐用性和软开关特性，在宽电压输入时设计师可以获得极稳定的放大器级母线电压，可满足最佳的音频品质和低系统重量要求。

TRENCHSTOP? 5具有出众的效率，与英飞凌的HighSpeed (H3) 系列相比，关断损耗降低60%，与开通损耗密切相关的饱和压降也具有正温度系数。与H3相比，其栅极充电小2.5 倍，更易于驱动，因此可使用较小的驱动器以降低成本。此外，TRENCHSTOP? 5采用的快速二极管，其正向导通压降受温度影响小，其反向恢复时间少于50ns。低输出电容提供了出色的轻载效率，极其适合于以最大额定功率40% 以下的运行为主的应用设计。

关键字：英飞凌 IGBT 编辑：冀凯引用地址：英飞凌推出650V高性能IGBT TRENCHSTOP5

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