Diodes DFN2020封装P通道MOSFET降低负载开关损耗-电子工程世界

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Diodes公司 (Diodes Incorporated) 新推出的DMP1022UFDF及DMP2021UFDF P通道MOSFET采用了设计小巧的2mm x 2mm DFN2020封装，分别提供12V和20V的额定值。新产品适用于追求高效电池管理的平板电脑、智能手机、超极本等便携式消费性电子产品的负载开关，以及物联网的应用。

两款MOSFET在低栅极驱动情况下提供低导通电阻，有效满足那些希望用简易的方法关闭低压电源轨的电路设计人员。这还确保低至1.5V的电源轨能够以最低通损耗进行开关。DMP1022UFDF在-2.5V栅极驱动下的导通电阻少于20mΩ；DMP2021UFDF在-1.8V栅极驱动下的导通电阻则少于26mΩ。以MOSFET作为高侧负载开关来关断闲置处理器核心和其它非活跃电路，能有效延长电池寿命。

新产品采用了占位面积仅4mm2的小型DFN2020封装，离板高度只有0.6mm，同样非常适合对空间要求严格的应用。这款封装还具有带散热漏极焊盘，其低于10°C/W的结点至焊盘热阻提供散热功能，从而降低裸片温度并提升器件可靠性。

DMP1022UFDF及DMP2021UFDF各以一万个为出货批量。

关键字：Diodes 编辑：冀凯引用地址：Diodes DFN2020封装P通道MOSFET降低负载开关损耗

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