推荐阅读最新更新时间:2023-10-12 23:13
东芝扩充海外内存芯片厂,会是中国吗
据国外媒体报道,东芝首席执行官田中久雄(Hisao Tanaka)周五表示,公司将在始于明年4月份的下一财年决定在何处新建一座内存芯片工厂,并且在选择建厂地址时会考虑海外地区。
东芝在不到4个月前在四日市新开了一座NAND闪存芯片加工厂,田中久雄在接受采访时称,需求超过了产能,公司必须扩大产能。NAND闪存芯片主要被用于智能手机和其他电子产品。
田中久雄称:“三星已经在中国西安市建厂,海力士也在中国建了一座生产厂。”当被问及中国是否会是海外建厂的最佳地区时,他补充说:“但是三星在美国也建了一座生产厂。”
他说,东芝的目标是让该生产厂在2017年内投产。他补充说,公司也不排除在日本国内选择厂址的可能。
至于东芝的
[单片机]
集邦:NAND Flash需求下半年将明显回升
集邦 科技(TrendForce)旗下研究部门DRAMeXchange调查指出,受第一季淡季效应的影响,零售市场的记忆卡与 随身碟 需求持续疲软,再加上OEM客户的新机种上市时间点最快也会落于第二季,使得NAND Flash下游客户端皆持续采取保守的库存策略,以降低营运风险。
在买方购买意愿不强的情况下,卖方过去采取的降价促销策略效果有限,价格若继续下跌,恐将侵蚀自身的获利水准,使得部分卖方降价意愿已大幅降低;以上因素造成3月下旬NAND Flash合约价呈现微幅走跌。 集邦科技表示,2012年上半年 NAND Flash 产业需求端疲软情况, 下半年 在搭载Ivy Bridg
[手机便携]
中美贸易战,韩国半导体最受伤?
据外媒报道,在全球存储芯片市场,韩国公司是难以忽视的统治性力量。下面就随嵌入式小编一起来了解一下相关内容吧。 截至去年第四季度,三星电子和SK海力士在全球 DRAM 内存与 NAND 闪存市场的合计份额分别达到了74.7%和49.1%。此外,三星电子和SK海力士还占据了韩国出口额的20%以上。 然而,韩国半导体行业最近却遭遇了意想不到的障碍。据多家外媒报道称,中国已经提出,提高从美国进口半导体芯片的比例,取代来自韩国和中国台湾的产品。 去年,中国从韩国进口了价值463亿美元的存储芯片,占中国存储芯片进口额的52.3%。相较2016年,中国从韩国进口的存储芯片总额同比增长了惊人的51.3%。 另一方面,美国去
[嵌入式]
2018年NAND Flash供给年增42.9%,全年度供需由紧俏转为平衡
根据集邦咨询半导体研究中心(DRAMeXchange)指出,2017年 NAND Flash产业需求受到智能手机搭载容量与服务器需求的带动,加上供给面受到制程转进进度不如预期的影响下,供不应求的状况自2016年第三季起已持续六个季度;展望2018年, NAND Flash供给将增加42.9%,需求端将成长37.7%,明年整体供需状况将转为供需平衡。下面就随我同学小编一起来了解一下相关内容吧。 DRAMeXchange资深研究经理陈玠玮指出,从 NAND Flash的供给面来看,因为NAND制程从2D转进3D不如预期,导致2017年非三星阵营的新增产能没有百分之百完善利用,再加上转换期间所带来的产能损失,让2017年
[网络通信]
东芝称五六月份将暂停对外供应NAND闪存芯片
Digitimes报道,日本东芝公司近日通知客户称将于五六月份暂时终止NAND闪存芯片产品的供货。东芝指日本大地震导致晶圆片及其它制作闪存芯片用的原材料缺乏是导致东芝暂停供货的主要原因,并没有对外澄清这次停供芯片是否是由于本公司的生产设施遭受地震破坏所致。
其实这次日本大地震发生之前就已经出现了NAND闪存芯片短缺的现象,三月底,JP Morgan公司的分析师还曾预测称NAND闪存芯片的供货量到今年五六月份间会下滑30%左右。这位分析师当时表示:“据我们估计,日本NAND闪存芯片的供货量在这两个月内会缩减30%左右的幅度。需要注意的是,其实早在地震之前,由于来自智能手机和平板电脑方面的供货需求非常强势,NAND
[手机便携]
3.移植uboot-使板卡支持nor、nand
在上一章,我们添加了nor,nand启动后,uboot启动出如下图所示: 上面的Flash: *** failed *** 是属于uboot第二阶段函数board_init_r()里的代码, 代码如下所示(位于arch/arm/lib/board.c): /*第二阶段*/ void board_init_r(gd_t *id, ulong dest_addr) //gd uboot重定位地址 { ... ... puts( Flash: ); //打印flash: flash_size = flash_init(); //初始化nor_flash
[单片机]
东芝:NAND Flash全面转进43纳米制程
为因应NAND Flash产业景气寒冬,以及进入传统淡季后价格进一步重挫,日系大厂东芝(Toshiba)计划在2009年第1季前,将制程技术全数转进43纳米,现有56纳米制程将逐步退役,届时东芝将是全球NAND Flash制造商成本结构最低者,为2009年初即将来临的淡季潮作准备;反观2大竞争对手三星电子(Samsung Electronics)和海力士(Hynix)分别在51和48纳米制程进度不如预期,尤其是海力士进度大幅落后,更将拉大彼此距离。
2008年NAND Flash价格一再重挫,完全没有旺季效应可言,之前跌势集中在主流规格8Gb和16Gb芯片,虽然近期逐渐止跌,但现在各界几乎已有共识,未来将轮到32Gb
[焦点新闻]
arm:启动代码判断是从nand启动还是从norflash启动,拷贝程序到内存的过程
一、nand启动和nor启动: CPU从0x00000000位置开始运行程序。 1、nand启动: 如果将S3C2440配置成从NANDFLASH启动(将开发板的启动开关拔到nand端,此时OM0管脚拉低)S3C2440的Nand控制器会自动把Nandflash中的前4K代码数据搬到内部SRAM中(地址为0x40000000),同时还把这块SRAM地址映射到了0x00000000地址。CPU从0x00000000位置开始运行程序。 2、如果将S3C2440配置成从Norflash启动(将开发的启动开关拔到nor端,此时OM0管脚拉高),0x00000000就是norflash实际的起始地址,norf
[单片机]