东芝扩大用于基站和服务器的功率MOSFET阵容

PC、消费性市况在2022年第四季需求持续疲弱，且今年第一季客户端仍旧处于保守态度，使得MOSFET库存去化速度将比原先预期更加缓慢，供应链预期，最差情况可能要延续到今年第三季才可能逐步结束库存去化阶段。 PC、消费性市况在历经2022年下半年的景气寒冬，且直到2022年底前都未能有效去化，使得MOSFET市场库存去化速度缓慢。供应链指出，先前晶圆代工产能吃紧，客户端重复下单情况在2022年下半年全面浮现，即便MOSFET厂已经大幅缩减投片量，但先前下单投片的晶圆仍需按照合约持续交货。 在投片持续产出，加上客户端拉货速度牛步情况下，供应链认为，目前MOSFET厂库存水位普遍都有半年以上水准，加上通路及终端仍在消化手中MOS

英飞凌科技股份公司（FSE: IFX / OTCQX: IFNNY）进一步壮大StrongIRFET™ 40-60 V MOSFET产品阵容，推出三款采用D²PAK 7pin+封装的新器件。这些新器件具备极低的RDS(on)和高载流能力，可针对要求高效率的高功率密度应用提供增强的稳健性和可靠性。这三款全新MOSFET瞄准电池供电应用，包括电动工具、电池管理系统和低压驱动装置等。 全新D²PAK 7pin+封装使得本已种类丰富的StrongIRFET™封装阵容更加壮大。这能带来更多选项，有助于选择应对设计挑战的理想功率器件。此外，全新封装的可互换引脚排列选项可带来出色的设计灵活性。相比标准的D²PAK 7pin封装而言，该全新系

自2018年特斯拉Model3率先搭载基于全SiC MOSFET模块的逆变器后，全球车企纷纷加速SiC MOSFET在汽车上的应用落地。但目前全球碳化硅市场基本被国外垄断，据Yole数据，Cree，英飞凌，罗姆，意法半导体占据了90%的市场份额。国产厂商已有不少推出了碳化硅二极管，但具有SiC MOSFET研发和量产能力的企业凤毛麟角。 近日，据业内人士透露，国产碳化硅功率器件供应商派恩杰半导体（杭州）有限公司（简称派恩杰）的SiC MOSFET产品在新能源汽车OBC应用验证取得了重大突破，获得了新能源汽车龙头企业数千万订单，并已开始低调供货。派恩杰之所以能迅速反应市场需求源自于其公司独特的全球战略布局，早在2018年就紧锣密

适用于热插拔的Nexperia新款特定应用MOSFET (ASFET)将SOA增加了166%，并将PCB占用空间减小80% 新推出的80 V和100 V器件最大限度降低额定值，并改善均流，从而提供最佳性能、高可靠性并降低系统成本 奈梅亨，2021年8月4日：基础半导体器件领域的专家Nexperia今日宣布推出新款80 V和100 V ASFET，新器件增强了SOA性能，适用于5G电信系统和48 V服务器环境中的热插拔与软启动应用以及需要e-fuse和电池保护的工业设备。 ASFET是一种新型MOSFET，经过优化，可用于特定应用场景。通过专注于对某一应用至关重要的特定参数，有时需要牺牲相同设计中其他较不重要的参数

日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）推出通过AEC-Q101认证、全球先进的p沟道80 V TrenchFET® MOSFET---SQJA81EP。新型Vishay Siliconix SQJA81EP导通电阻达到80 V p沟道器件优异水平，可提高汽车应用功率密度和能效。SQJA81EP采用欧翼引线结构5.13 mm x 6.15 mm PowerPAK® SO-8L小型单体封装，10 V条件下最大导通电阻仅为17.3 m /典型值为14.3 m。 日前发布的汽车级MOSFET导通电阻比最接近的DPAK封装竞品器件低28 %，比前代解决方案低31 %，占位面积减小50

致力于在功耗、安全、可靠性和性能方面提供差异化的领先半导体技术方案供应商美高森美公司(Microsemi Corporation，纽约纳斯达克交易所代号： MSCC ) 发布专门用于高电流、低导通阻抗(RDSon) 碳化硅 (SiC) MOSFET功率模块的 极低电感封装 。这款全新封装专为用于公司 SP6LI 产品系列 而开发，经设计提供适用于SiC MOSFET技术的2.9 nH杂散电感，同時实现高电流、高开关频率以及高效率。美高森美将在德国纽伦堡展览中心举行的 PCIM 欧洲电力电子展 上展示使用新封装的SP6LI功率模块，以及其它现有产品系列中的SiC功率模块产品。 美高森美继续扩大其 SiC解决方案 的开发工作，已

2012年4月10日，日本东京讯—全球领先的半导体和解决方案的主要供应商瑞萨电子株式会社（TSE：6723，以下简称“瑞萨电子”）今天宣布推出八款低功耗P通道和N通道功率金属氧化半导体场效晶体管（MOSFET）产品，理想用于包括智能手机和笔记本在内的便携式电子产品。具有业界领先的低功耗（低导通电阻），新器件包括20 V (VDSS) µPA2600和30 V µPA2601，配置了超紧凑型2 mm × 2 mm封装，从而具有提升的功率效率并实现了小型移动器件封装尺寸的小型化。 随着功能丰富的智能手机的普及和用户对于这些器件无缝体验期望值的提升，现在对于更小型、更轻薄封装尺寸的器件的需求不断提高，而且要求这些器件具有更低的功耗

      国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 推出全新HEXFET®功率MOSFET系列。该器件采用业界标准SOT-23封装，具有超低导通电阻 (RDS(on)) ，适用于电池充电及放电开关、系统和负载开关、轻载电机驱动，以及电信设备等应用。       新款SOT-23 MOSFET 器件采用IR最新的中压硅技术，通过大幅降低90% RDS(on)显著改善了电流处理能力，为客户的特定应用优化了性能及价格。       IR 亚太区销售副总裁潘大伟表示：“这个全新的SOT-23 MOSFET系列支持从 -30V至100V的宽电压范围，并提供不同水平的 RDS(on) 和栅极