Entegris 发布针对先进半导体制造的新型化学机械研磨后清洗-电子工程世界

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PlanarClean AG 产品针对 10 nm 及以下的铜和钨工艺进行了优化

BILLERICA, Massachusetts，2016 年 1 月 28 日 – Entegris, Inc. (NASDAQ: ENTG)（一家为先进制造环境提供良率提升材料和相关解决方案的领先企业）日前发布了针对半导体制造的新型化学机械研磨（CMP）后清洗解决方案。新型 PlanarClean® AG 系列产品设计用于 10 nm 及以下的工艺中，并新增到 Entegris 的领先 CMP 后清洗解决方案产品组合。

“多年来，Entegris 一直是 CMP 后清洗方面的行业领导者。我们的 PlanarClean 系列产品已广泛用于全球的晶圆厂。由于许多新材料（如钴和钨）的添加，先进节点处的晶圆生产变得更加复杂，为了解决这个问题，我们仔细重制了PlanarClean 解决方案，既能提供卓越的清洗能力，同时不破坏先进薄膜或新材料”，Entegris CMP 后清洗解决方案总监 Cuong Tran 表示。“PlanarClean AG 满足先进工艺的需求，同时还符合我们客户制定的新安全指南。”

硅晶圆生产中的 CMP 工艺包含机械研磨步骤，该步骤使用化学研磨液配方将多余的导电或绝缘材料从集成设备表面上去除，实现平整、光滑的表面，用于构建多层集成电路。CMP 后清洗步骤去除纳米级颗粒，减少潜在的晶圆缺陷，同时保持已经放置到位的材料层的完整性。

在高级工艺中，接触清洗过程的薄膜和材料的数量和类型发生了变化，凸显了对特别配方清洗解决方案的需求。此外，研磨液中所使用的微粒也有所改变，使得许多传统 CMP 后清洁剂在领先技术中显得无效和低效，特别是在前段 (FEOL) 流程中。如今这些挑战迫使半导体制造商考虑使用配方清洗解决方案代替商品清洗解决方案。

PlanarClean AG 配方解决方案能够满足这些需求，在包含铜、钴和钨的高级工艺中提供一步式的卓越清洗，同时保护底层的薄膜和材料。其专有配方可以提高可靠性和产量、实现极低甚至零腐蚀和缺陷并增加待机时间，进而带来更高的性能。此外，PlanarClean AG 可降低清洗步骤中所需的化学品量，提供使用成本优势，并满足晶圆厂化学品的最新 EHS 安全要求。相关产品已在多家领先晶圆厂成功经过评估，目前可供所有客户购买。

关键字：Entegris 编辑：冀凯引用地址：Entegris 发布针对先进半导体制造的新型化学机械研磨后清洗

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