芯片产业进入快速发展期

英国《金融时报》2月23日文章，原题：美国监管机构阻中国半导体交易 美国监管机构阻止了一家“中国政府支持”的基金以5.8亿美元收购(美国)一家半导体测试公司。在特朗普政府加大对外国投资审查的当前，这是遭阻止的最新一宗交易。 位于马萨诸塞州的Xcerra 周四称，已终止华芯投资的一家子公司(湖北鑫炎)的收购协议。 Xcerra首席执行官戴夫·塔切利提及美国外国投资委员会(CFIUS)称：“尽管我们竭力争取，但显然CFIUS不会对这笔交易放行。” 半导体技术可用于军事。长期以来，美国对中国投资其半导体产业很敏感。现在，越来越多中国投资美国公司的交易未能得到批准，原因在于华盛顿国家安全审查缓慢以及北京与特朗普政府的贸易紧张加剧。 美国外

　　美国 Entegris 公司15日在上海宣布，与福建博纯材料有限公司签订协议以扩大在中国的业务，博纯材料将在其位于泉州的工厂制造 Entegris 特殊化学品。下面就随半导体设计制造小编一起来来了解一下相关内容吧。 　　 Entegris 是一家专为全球微电子及其他高科技行业提供特殊化学品和先进材料处理解决方案的公司，2016年销售额达12亿美元。目前，Entegris在美国和韩国制造特殊化学品，并在中国的北京、上海和西安有相关业务。此次与博纯材料的合作将在中国扩展产能，并缩短对中国客户的供货周期。 　　Entegris亚太区全球销售总裁李迈北在接受记者采访时表示，Entegris自2001年正式在华开设分支机构，目前来自中

士兰微发布关于投资建设士兰集昕二期项目的公告。 公告显示，士兰微子公司杭州士兰集昕微电子有限公司（以下简称“士兰集昕”）为公司8吋集成电路芯片生产线（以下简称“8吋线”）的运行主体。士兰集昕8吋线于2017年6月底正式投产，产出逐步增加，2018年总计产出芯片29.86万片。目前已有高压集成电路、高压MOS管、低压MOS管、肖特基管、IGBT等多个产品导入量产。8吋线持续上量对公司的整体营收增长起了积极推动作用。 为进一步提高芯片产出能力，提升制造工艺水平，士兰集昕拟对8吋线进行技术改造。本项目利用士兰集昕现有的公用设施，在现有生产线的基础上，通过增加生产设备及配套设备设施，形成新增年产43.2万片8英寸芯片制造能力。 本项目总

　　北京时间12月11日晚间消息，激进投资者Elliott Management今日表示，高通严重低估了恩智浦半导体公司（NXP Semiconductors）的价值。 　　高通去年10月宣布，将以380亿美元收购恩智浦半导体公司，约合每股110美元。而Elliott Management今日表示，恩智浦半导体目前价值每股135美元。 　　Elliott Management持有恩智浦半体约6%的股份。早在今年8月，Elliott Management就曾表示，高通的报价低估了恩智浦半体的价值。 　　当初，高通宣布以每股110美元的价格收购恩智浦半导体时，恩智浦半导体的股价还不到100美元，每股110美元的报价相当于溢价11.5%

一直以来，我们都认为智能手机是韩国三星电子的拳头业务，而事实上还有普通消费者不熟悉的半导体业务。在全球半导体市场，三星电子也举足轻重。据韩联社5月12日引述行业消息人士称，三星电子将是2015年全球唯一增加资本开支和投资的半导体企业。 英特尔、台积电纷纷削减资本开支 据消息人士介绍，由于个人电脑沦为夕阳市场，加上智能手机芯片市场被ARM架构和阵营垄断殆尽，美国英特尔公司目前在芯片市场上境况窘迫，正在开发物联网芯片弥补手机芯片的失误。今年，英特尔将在生产线投资上投入87亿美元，和去年相比缩减13亿美元。 此外，中国台湾的半导体巨头台积电(全球最大代工厂商)，今年的资本开支也将削减10亿美元，至

　　据《日本经济新闻》12月10日报道，全球最大半导体代工企业台湾积体电路制造(简称台积电、TSMC)联合首席执行官(CEO)刘德音12月7日表示，将向电路线宽为3纳米(纳米为10亿分之1米)的新一代半导体投资超过200亿美元。通过对尖端领域投入巨资，台积电领先于韩国三星电子等竞争对手。 　　刘德音7日下午在台湾北部新竹发表演讲时透露了上述消息。目前美国苹果新款iPhone等配备的10纳米线宽半导体属于最尖端产品。7纳米产品将于2018年启动量产，3纳米产品预计2022年量产。目前已具体落实3纳米产品项目的企业只有台积电。新工厂建在台南。 　　半导体大体上分为负责存储的存储器和负责运算的逻辑半导体。台积电的产品以逻辑半导体为主，目

近日，小米集团和纳微（Navitas）半导体宣布，其GaNFast充电技术已被小米采用，用于旗舰产品小米10 Pro 智能手机。 GaNFast功率IC使用氮化镓（GaN），这是一种新的半导体材料，其运行速度比以前的硅（Si）电源芯片快100倍，因此仅需45分钟即可对小米10 Pro 进行0至100％的充电。 小米65W GaN充电器Type-C 65W的核心器件采用的是纳微半导体的NV6115和NV6117 GaNFast功率IC，它们针对高频、软开关拓扑进行了优化，通过FET、驱动器和逻辑的单片集成，创建了非常小并且非常快的易于使用的 “数字输入，电源输出” 高性能电源转化模块。使用GaNFast技术，小米65W GaN充

市场调研机构Gartner公布最新调查数据显示，与去年相比，今年全球的资本投资将增长15.1%达到546亿美元，预期明年将下降0.1%，到2008年全球的资本投资将出现反弹，增长18.4%。 调研公司表示，今年全球半导体设备投资将增长23.5%，但明年半导体行业表现疲软，设备投资将下降2.7%，2008年设备投资将回升，预期将增长23.3%。 调研公司分析师克劳斯说：“今年全球预约的半导体设备投资将继续强劲，半导体制造商很快将扩展它们的产能。然而，如果闪存芯片和DRAM储存芯片的需求没有实现增长，供过于求的威胁将潜在的增大，越来越多的存货将引起设备制造商更大的担心。” 他表示，半导体设备投资的增长和半导体收入的增长是一种辩证的