针对高性能计算7纳米 FinFET工艺 ARM与台积电签订战略合作

近期业界传出高通(Qualcomm)将首颗FinFET制程芯片订单下给三星电子，且为高通首度将新制程订单直接跳过台积电，震撼半导体业界，由于台积电与三星正展开16/14纳米制程激战，台积电最大客户高通新世代FinFET制程订单却下给三星，此举有别于过去芯片大厂考量技术及产能，新世代制程都会先在台积电投片，再转到其他晶圆代工厂生产的前例。 三星重押FinFET世代全力抢下高通订单 半导体业者透露，三星为扶植旗下LSI部门，内部下达密令，一定要用尽所有代价绑住高通这位手机芯片大客户，甚至祭出几乎是没获利、全力技术／人力支持策略，以吸引高通在鳍式场效电晶体(Fin Field-Effect Transistor；F

晶圆代工大厂联电(UMC)日前宣布，与 ARM合作、基于联电14奈米FinFET制程生产的PQV测试晶片已经投片(tape out)，代表ARM Cortex-A系列处理器核心通过联电高阶晶圆制程验证；同时联电也宣布与新思科技(Synopsys) 拓展合作关系，于联电14奈米第二个PQV测试晶片上纳入新思DesignWare嵌入式记忆体IP与DesignWare STAR记忆体系统测试与修复解决方案。 与ARM的14奈米合作案延续自双方成功将ARM Artisan 实体 IP整合至联电28奈米高介电金属闸极(High K/Metal gate)量产制程。而联电14奈米FinFET制程技术验证，是联电FinFET制程启

Needham & Co.半导体设备分析师Edwin Mok 27日针对晶圆代工领域提出了透彻分析，认为相关的半导体设备订单有望在今(2014)年下半年攀高，但16/14奈米FinFET(鳍式场效电晶体)订单却将递延一季。 barron`s.com报导，Mok发表研究报告指出，据了解晶圆代工厂格罗方德(GlobalFoundries；GF)正在提高纽约州Malta厂的20奈米制程产能，而三星电子(Samsung)也正在逐渐增加Austin厂的设备，这似乎支持了近来传出的高通(Qualcomm)将20奈米晶圆代工订单转交给三星、格罗方德的媒体报导。 Mok指出，由于台积电(2330)在28奈米晶圆代工领域拥有

　　FD SOI技术在 物联网 蓬勃发展的大环境下，以其低功耗、集成射频和存储、高性能等优势获得业界各方重视;在以芯原、Globalfoundries(格芯)、三星等为代表的企业的推动下，该产业链正逐步得到完善。下面就随模拟电子小编一起来了解一下相关内容吧。 此外，在中国大力发展集成电路的当口，FD-SOI技术还给中国企业带去更多的发展空间和机遇，如何充分利用FD-SOI技术优势，实现差异化创新成了众IC设计企业的探讨重点。此外，5G网络与 物联网 的不断进化，对RF技术革新的强烈需求，对RF SOI技术带来更广大的市场前景。 　　FD SOI生态系统逐步完善 　　2017年以来，全球半导体市场迎来了爆发式增长，其中SO

恩智浦推出两款采用台积公司16纳米FinFET技术的处理器，加速汽车处理创新 荷兰埃因霍温——2021年6月2日——全球汽车处理市场领导者恩智浦半导体（NXP Semiconductors N.V.，）携手台积公司 今日宣布，将采用台积公司先进的16纳米 FinFET制程技术量产恩智浦S32G2汽车网络处理器和S32R294雷达处理器。随着汽车不断发展为强大的计算平台，此次量产标志着恩智浦的S32处理器系列迈向了更先进的制程节点。恩智浦对S32系列的持续创新旨在帮助汽车制造商简化汽车架构，推出面向未来的完全互联和可配置的汽车。 S32G2汽车网络处理器支持服务型网关、汽车与云端的连接和无线更新，从而提供大量基于数据的服务

中芯国际延揽前三星电子(Samsung Electronics)、台积电技术高层梁孟松后，首次于线上法说会中现“声”说法，他表示非常看好中芯在产业中的机会与位置，但也深具挑战；针对外界最关心的高阶制程进度，共同执行长赵海军表示，先进制程14纳米FinFET将于2019年量产，第二代28纳米HKMG制程也会于2018年底问世，外界都睁大眼睛等着检视成绩单。 中芯国际15日的线上法说中，仍是由赵海军主持会议，梁孟松仅简短发言，代表加入新团队后的首次现“声”，也满足外界的好奇心。同时，赵海军也指出，梁孟松是以共同执行长的身分加入，因此不会只是负责技术而已，也会参与策略面。 中芯国际董事长周子学表示，作为中国最重要的半导体公司之一，一

Mentor Graphics公司（纳斯达克代码：MENT）今天宣布，Calibre nmPlatform 已通过TSMC 10nm FinFET V0.9 工艺认证。此外，Mentor Analog FastSPICE 电路验证平台已完成了电路级和器件级认证，Olympus-SoC 数字设计平台正在进行提升，以帮助设计工程师利用 TSMC 10nm FinFET 技术更有效地验证和优化其设计。10nm V1.0 工艺的认证预计在 2015 年第 4 季度完成。 Mentor Graphics 联合 TSMC 为双方客户采用的 10nm FinFET 技术新增了一系列新功能，其中包括先进工艺的双重曝光、DRC检查、TS

　　22nm以后的晶体管技术领域，靠现行Bulk MOSFET的微细化会越来越困难的，为此，人们关注的是平面型FD-SOI（完全空乏型SOI）元件与基于立体通道的FinFET。由于这些技术都不需要向通道中添加杂质，易于控制特性的不均现象，因而成了22nm以后晶体管技术的有力候选。而且前者还具有能够采用与此前相同的电路布局进行设计的特点。后者虽要求采用新的电路布局及工艺技术，但有望比前者更加容易实现微细化（高集成化）。两种技术以各自特色为宣传重点，开始激烈争夺新一代技术的宝座。在 “2010 Symposium on VLSI Technology”（2010年6月15～17日，在美国夏威夷州檀香山举行）上，似乎为了显示人们对二者的