西格里集团在美国圣玛丽进一步投资涂层技术

11月3日-5日，首届慕尼黑华南电子展在深圳国际会展中心（宝安新馆）拉开序幕。此次展会上，上海瀚薪科技有限公司（简称“上海瀚薪”）携多款重磅碳化硅新品亮相，吸引了众多参展人士的眼球。 上海瀚薪是一家致力于研发与生产第三代宽禁带半导体功率器件及功率模块的高科技企业，也是国内唯一一家能大规模量产车规级碳化硅MOS管、二极管并规模出货给全球知名客户的高科技公司。 瀚薪科技秉承专注务实的理念，一直在碳化硅领域坚持自己的自主发展之路并取得瞩目的成绩。“事实上，在第三代半导体碳化硅这个领域，我们一直是排在全球前列。”上海瀚薪董事长徐菲接受集微网记者采访时表示，2018年Digital Times的市场调研报告中的碳化硅器件排名中瀚薪科技已经是

SiC的潜力被业界一致看好，产业链上下游纷纷加大资源的投入力度，在很多应用还未完全落地的情况下，激烈的竞争已经提前展开，在2021年的集中体现就是产能的扩张和新项目的开启。同时，为了提前锁定产能，下游企业（主要是车企）纷纷与上游企业进行绑定，这也让产业资源更加向头部企业集中。 总体而论，2021的SiC行业延续了近几年的火爆局面，并已经初步显现未来几年的竞争格局。 国际厂商纷纷转进8英寸 扩产成风 在SiC器件的产业链中，由于制造工艺难度大，产业链价值主要集中于上游衬底环节。以SiC MOSFET元件来说，仅仅是SiC衬底本身，就已决定60%的SiC MOSFET元件成败。4 英寸及6 英寸是当前SiC衬底主流尺寸规格，与Si

前言：臻驱科技（上海）有限公司（以下简称“臻驱科技”）是一家以研发、生产和销售新能源车动力总成及其功率半导体模块为核心业务的高科技公司。2019年底，臻驱科技与日本罗姆半导体公司成立了联合实验室，并签订战略合作协议，合作内容包含了基于某些客户的需求，进行基于罗姆碳化硅芯片的功率半导体模块，及对应电机控制器的开发。本文即介绍臻驱对碳化硅功率模块的开发、测试及系统评估。 碳化硅功率半导体近年来在能源转换应用中正在成为一个热门的话题：由于材料属性，使得它具有比硅基半导体器件更高的最大结温、更小的损耗，以及更小的材料热阻系数等。 因此，很多人宣称，当碳化硅功率器件应用于能源转换后，变频器系统将有更高的功率密度、更小的体积、更高的允

　　“预计到2021年三季度，汽车及工业应用将占到公司营收的50%份额，其中汽车市场占比将达35%，工业应用市场占比为15%”ROHM半导体集团中国营业部董事长竹内善行对于未来发展机遇如是表述：“快速增长的 电动汽车 市场，将为ROHM公司带来巨大的增长空间”。下面就随汽车电子小编一起来了解一下相关内容吧。 　　12月2日， 电动汽车 全球顶级赛事“FIA Formula E锦标赛2017-2018(第4赛季)”赛事在香港正式拉开帷幕。全球知名半导体厂商ROHM为文图瑞电动方程式车队(VENTURI Formula E Team)提供了“全 SiC ”功率模块，在保障效率的同时，大幅度降低逆变器尺寸及重量，在轻量化及节能方面表现

射频解决方案的领先供应商Qorvo今天宣布，公司已收购位于新泽西州普林斯顿的 United SiliconCarbide (UnitedSiC)，一家领先的碳化硅 (SiC) 功率半导体制造商。据介绍，收购 United Silicon Carbide 将 Qorvo 的影响力扩大到快速增长的电动汽车 (EV)、工业电源、电路保护、可再生能源和数据中心电源市场。据报道，在收购之后，UnitedSilicon Carbide 将成为 Qorvo 基础设施和国防产品 (IDP) 业务的一部分，由 Chris Dries 博士领导，Chris Dries 博士曾任 United Silicon Carbide 总裁兼首席执行官，现在是

2022年1月6日，致力于亚太地区市场的领先半导体元器件分销商---大联大控股宣布，其旗下品佳推出基于 英飞凌（Infineon） SiC MOSFET和驱动器的11kW DC-DC转换器方案。 图示1-大联大品佳基于Infineon产品的11kW DC-DC转换器方案的展示板图 随着以 电池供电 的移动电子设备和分布式电源系统应用的飞速发展，人们对DC-DC电源模块的性能提出了更高的要求。除了常规的电性能指标外，人们希望其具备更小的体积、更大的功率密度、更高转换效率的同时，能够拥有良好的散热功能。为此，大联大品佳基于Infineon SiC MOSFET和驱动器推出了11kW DC-DC转换器方案（REF-DAB11K

    可在单相和三相应用中实现更高效率和可靠性。       2014年6月16日——英飞凌科技股份公司推出第五代1200V thinQ!™碳化硅肖特基二极管，进一步扩展了碳化硅产品阵容。新的1200V碳化硅二极管在工作温度范围内提供超低正向电压，其浪涌电流承受能力提高了一倍以上，并且具备卓越的散热性能。得益于这些特性，该产品可以在太阳能逆变器、不间断电源（UPS）、三相SMPS（开关电源）和电机驱动等应用中大大提高效率，并且可靠运行。     “第五代”碳化硅二极管采用了新的紧凑式芯片设计，将PN结设计融合到肖特基二极管单元场中。这种设计降低了芯片区的微分电阻。因此，二极管损耗比之上一代产品降低了多达30%，譬如在20 k

为了满足半导体应用提高效率和性能的需求，全球领先的高性能功率和便携产品供应商飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor) 宣布收购碳化硅 (Silicon Carbide; SiC) 功率晶体管企业TranSiC公司，扩展其领先的技术能力。 这项收购为飞兆半导体带来获经验证效率的业界领先双极SiC晶体管技术、宽温度范围下的出色表现，以及超越MOSFET和JFET技术的卓越性能。飞兆半导体同时借着这项收购获取经验丰富的SiC工程师团队和科学家团队，以及多项SiC技术专利。 飞兆半导体公司主席、总裁兼首席执行官Mark Thompson称：“通过综合SiC技术和飞兆半导体现有的MOSFET、