相变存储器PCRAM产业化取得突破性进展-电子工程世界

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电子网消息，近日，纳思达股份有限公司（以下简称“公司”）收到全资子公司珠海艾派克微电子有限公司（以下简称“艾派克微电子”）的通知，艾派克微电子、中国科学院上海微系统与信息技术研究所（以下简称“中科院上海微系统所”）以及中芯国际集成电路制造有限公司（以下简称“中芯国际”）在相变储存器（“PCRAM” ，Phase Change Random Access Memory）产业化获突破性进展，三方联合研发打印机用基于PCRAM耗材芯片，在130纳米技术节点取得了工程应用的突破，并成功批量生产与销售。

这是继国家01专项（核心电子器件、高端通用芯片及基础软件产品）中的国产CPU成功在艾派克微电子产业化应用后，国家02专项（《极大规模集成电路制造技术及成套工艺》项目）中的重大存储器项目在艾派克微电子的参与下实现重大技术突破，并在艾派克微电子实现了产业化销售。

PCRAM的写速度比传统EEPROM或FLASH非易失性存储器快1000倍，此技术的成功突破，将为公司带来良好的商业机会，并进一步提高公司的核心竞争力。

关键字：存储器 PCRAM 编辑：王磊引用地址：相变存储器PCRAM产业化取得突破性进展

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