三星公布EUV技术7、11纳米LPP工艺，明年开始投产

电子网综合报道，日前三星电子正式宣布，其将11nm FinFET制程技术（11nm LPP，Low Power Plus）提上研发日程，预计将于明年推出首款采用该工艺的芯片。

11nm LPP工艺由之前的三星14nm LPP进化而来，相比后者，前者表现将提升15%，且在相同功耗的情况下芯片面积减少10%。

由于目前三星在旗舰手机领域主推自家10nm FinFET工艺，因而其期望11nm工艺将成为中高端智能手机的主力军。新工艺将在明年上半年进行量产。11nm LPP工艺主要应用于中高端手机产品，形成市场差异化，如果没有意外的话，明年上半年就能见到相应的产品投放了，不过由于三星处理器本身的原因，有可能首先用在自家的手机上面，如果高通等公司使用该工艺，则会应用在更多Android手机上。

与此同时，三星还确认了包含EUV (extreme ultra violet，远紫外区) 光刻技术的7nm LPP制程已经提上日程，目标是将在明年的下半年开始初步试产。

业界普遍认为7nm工艺是一个重要节点，是半导体制造工艺引入EUV技术的关键转折，这是摩尔定律可以延续到5nm以下的关键；引入EUV工艺可以大幅提升性能，缩减曝光步骤、光罩数量等制造过程，节省时间和成本。

不过显然引入EUV技术并不容易，其需要投入大量资金购买昂贵的EUV设备，同时需要进行大量的工艺验证以确保在生产过程中获得较佳的良率，才能以经济的成本适用于生产芯片。

三星恰恰拥有这个优势，它由于拥有多个产业，可以为它的先进半导体制造工艺提供资金支持，而它多年来也愿意为此付出巨额的资金；三星也是全球最大的存储芯片生产企业，可以通过在存储芯片上锤炼先进工艺，例如在过去这三年其就采用EUV技术处理了20万片晶圆生产SRAM。

根据三星的进度，我们可以初步判断，预计今年年底推出的骁龙845用上7nm制程的可能性不大，有较大可能可能依然采用10nm制程工艺。预计明年Exynos 9810、麒麟980、Helio X40等芯片同样将延续此工艺。但最早我们能在2019年年初看到搭载7nm芯片的智能手机。

三星成为了最早公布7nm工艺的厂商，但7nm LPP工艺预计要等到明年下半年才能量产，采用了EUV极紫外光刻技术。两款工艺的进一步参数和细节预计在9月15日于东京的半导体会议上公布。

而三星最大的竞争对手台积电方面，在今年3月份则被爆出在和联发科合作试产7nm制程12核心芯片，但根据台积电10nm今年难产的现状来看，实际能够投放市场的时间目前还说不准。

台积电作为全球最大的半导体代工企业也有它的优势，由于它一直居于领先地位，获取了丰厚的利润，这为它持续研发先进工艺提供了资金支持，近两年在三星的逼迫下它正在不断提升研发投入。

不过由于它采取了更谨慎的态度，在研发先进工艺上稍微保守，在研发16nm工艺的时候它就先在2014年量产了14nm工艺然后再在2015年引入FinFET工艺，而三星则直接在2015年量产14nm FinFET首次取得在先进工艺上对台积电的领先优势。

在7nm工艺上的竞争，可能会引发全球两大芯片企业高通和苹果订单的变动，业界传出消息指高通很可能将其明年的高端芯片骁龙845交给台积电，而三星则可能夺得苹果A12处理器的订单。