4nm大战,三星抢先导入将EUV,研发GAAFET-电子工程世界

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电子网消息，晶圆代工之战，7nm制程预料由台积电胜出，4nm之战仍在激烈厮杀。 Android Authority报道称，三星电子抢先使用极紫外光(EUV)微影设备，又投入研发能取代「鳍式场效晶体管」(FinFET)的新技术，目前看来似乎较占上风。

Android Authority报导，制程不断微缩，传统微影技术来到极限，无法解决更精密的曝光显像需求，必须改用波长更短的EUV，才能准确刻蚀电路图。 5nm以下制程，EUV是必备工具。三星明年生产7nm时，就会率先采用EUV，这有如让三星在6nm以下的竞赛抢先起跑，可望加快发展速度。

相较之下，台积电和格罗方德的第一代7nm制程，仍会使用传统的浸润式微影技术，第二代才会使用EUV。

制程微缩除了需拥抱EUV，也需开发FinFET技术接班人。晶体管运作是靠闸极(gate)控制电流是否能够通过，不过芯片越做越小，电流信道宽度不断变窄，难以控制电流方向，未来FinFET恐怕不敷使用，不少人认为「闸极全环场效晶体管」( Gate-all-around FET，GAAFET)是最佳解决方案。

今年稍早，三星、格芯和IBM携手，发布全球首见的5nm晶圆技术，采用EUV和GAAFET技术。三星路径图也估计，FinFET难以在5nm之后使用，4nm将采用GAAFET。尽管晶圆代工研发不易，容易遇上挫折延误，不过目前看来三星进度最快。该公司的展望显示，计划最快在2020年生产4nm，进度超乎同业，也许有望胜出。

关键字：4nm 编辑：王磊引用地址：4nm大战,三星抢先导入将EUV,研发GAAFET

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