明年NAND Flash产能陆续开出，南茂争抢长江存储订单

电子网综合报道，上周，紫光集团董事长赵伟国在浙江乌镇召开的第四届世界互联网大会上透露，长江存储已经研发出了 32 层 64G 的完全自主知识产权的 3D NAND 芯片，明年将实现量产。据DIGITIMES 报道，市场观察人士透露，南茂科技有望获得由长江存储开发的 3D NAND 闪存芯片的后端封测订单。

美光(Micron)在台中设立封测厂后，对于力成、南茂等台厂的冲击并不小。尤其对于南茂来说，主要承接的美光存储器封测订单多转移至力成西安厂，南茂必须争取大陆厂商释出的 NOR Flash 封测订单，来弥补美光订单的空缺。据业内消息人士透露，目前南茂科技已经从长江存储的全资子公司武汉新芯处获得 NOR 闪存的订单。

有专家指出，清华紫光与南茂科技的战略合作非常成功。2016 年底，南茂科技以约 7200 万美元的价格将上海孙公司宏茂微电子 54.98% 股权转予清华紫光集团全资子公司西藏紫光国微及策略投资人与员工，南茂持有股权降至 46%，双方透过共同合资经营宏茂微电子的形式，展开策略联盟。2017 年 3 月，双方正式完成股权交割。

目前，长江存储一期已于 9 月 28 日提前完成封顶，（一期）一号生产及动力厂房建筑面积达 52.4 万㎡，预计将于 2018 年投入使用，达产后总产能将达到 30 万片/月，年产值将超过 100 亿美元。因此，2018 年，南茂科技非常有机会争取到长江存储的订单。

此外，也有供应链厂商表示，随着 3D NAND Flash 良率逐渐改善，2018 年第 1 季 NAND Flash 供应问题可望缓解，存储器相关封测厂商如力成、华泰、南茂、华东等可望松口气，后续更将争取紫光旗下长江存储的订单。

可以说，NAND Flash 的供应问题缓解，对于手握非韩系各大存储器厂封测订单的力成来说影响有限，但对于二线中、小型存储器封测来说，这将有助于营运的改善。举个例子，存储器封测二线厂商华泰 2017 年的营运表现一般，第 4 季必须仰赖 EMS 代工服务来支撑营运，但若 2018 上半年 NAND Flash 缺货状况改善，这将有助于华泰产能利用率回升，2018 年更是有机会扭转亏损。

而在 DRAM 方面，由于美光在美国加州提起民事诉讼，控告联电及福建晋华侵害 DRAM 的营业秘密，这对于亟欲重返 DRAM 封测的矽品来说，未来在DRAM 封测的布局尚有变数。但是，由于紫光已经获得矽品苏州厂 30% 的股权，因此业界认为未来矽品与紫光集团合作将进一步深化，也有机会争取长江存储的存储器封测订单。

然而，NAND Flash 的产能得到缓解，价格却随着淡季到来、需求下滑而有望走低。昨日在“集邦拓墣2018关键零组件趋势论坛”上，TrendForce指出，NAND Flash产业2018年上半年需求走弱，价格有机会走跌。下半年在需求回升与 NAND Flash 原厂稳健扩充产能下，可能再次呈现供不应求局面，价格跌势也将停止。预估 2018 年 NAND Flash 平均销售单价（ASP）将较 2017 年衰退 10% 至 20%。