聚灿光电(下称“公司”)发布《变更募集资金投资项目暨对全资子公司增资》的公告称,为了提高募集资金使用效率,结合公司经营发展战略和项目建设的具体要求,公司拟将原募集资金项目“聚灿光电科技股份有限公司 LED 芯片生产研发项目”变更为“聚灿光电科技(宿迁)有限公司 LED 外延片、芯片生产研发项目(一期)”。
据公告显示,“聚灿光电科技股份有限公司LED芯片生产研发项目”的立项时间为2015年5月8日,实施主体为聚灿光电科技股份有限公司。项目计划总投资约35210.7万元,其中拟使用募集资金14544.56万元,项目内容年产中高端LED芯片180万片。截止目前,该项目的建设工作尚未全面开展,募集资金暂未投入使用。
“聚灿光电科技(宿迁)有限公司LED外延片、芯片生产研发项目(一期)”的立项时间为2018年1月5日,实施主体为聚灿光电科技(宿迁)有限公司(下称“聚灿宿迁”)。本项目总投资为65993.1万元,其中:建设投资61685.3万元,建设期利息857.5万元,流动资金3450.3万元。第一期拟使用募集资金14580.08万元(含衍生利息),其余部分将通过向银行申请贷款等方式自筹资金解决。
拟变更募投项目已取得相关审批文件,情况如下:
聚灿光电表示,本次募投项目的变更,未实质改变募集资金的投向及项目实施内容,与公司主营业务保持高度一致,不存在变相改变募集资金投向、损害股东利益的情形。同时,全部募集资金(含衍生利息)及部分自有资金以增资方式投入全资子公司聚灿宿迁,有利于增强子公司的资本实力,降低财务风险、优化资源配置、提高管理效率,符合公司长期发展战略和规划。
此外,聚灿光电还公告称,本次公司拟变更募集资金投资项目后,拟增资聚灿宿迁人民币15000万元,其中资金来源募集全部资金(含衍生利息)及部分自有资金。本次增资后,聚灿宿迁注册资本将变更为20000万元,公司仍持有100%股份。15000万元中的12749万元拟用于置换公司于前期设备采购款,余款拟用于聚灿宿迁其他新增设备采购款项。
聚灿光电表示,本次募投项目的变更,未实质改变募集资金的投向及项目实施内容,与公司主营业务保持高度一致,不存在变相改变募集资金投向、损害股东利益的情形。同时,全部募集资金(含衍生利息)及部分自有资金以增资方式投入全资子公司聚灿宿迁,有利于增强子公司的资本实力,降低财务风险、优化资源配置、提高管理效率,符合公司长期发展战略和规划。
关键字:LED芯片
编辑:王磊 引用地址:聚灿拟变更募集资金投资LED芯片项目 1.5亿增资子公司
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LED夜景照明的特点
可用于夜景照明的光源有很多种,在选择光源时我们应该主要从效果、性能和成本上去考虑。在比较不同解决方案的成本时,不单是比较光源价格,更应进行全寿命期的综合经济分析比较,因为一些高效、长寿命光源,虽价格较高,但使用数量减少,运行维护费用降低,经济上和技术上是合理的。 夜景照明中所采用的传统光源,如白炽灯和卤素灯,即点即亮,具有很好的显色性;但其发 光效 率低,寿命也相对较短,因而很少再被采用。目前常用的泛光照明光源是高气压放电灯,如高压汞灯、高压钠灯和金属卤化物灯,这些光源 功率 较大,可以实现大面积的泛光照明。不过,这些光源共有的缺点是,灯在点亮后需要一段时间才能稳定工作;而且,如果灯意外熄灭,需要等灯管充分冷却后才能
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用于通用照明的大电流密度的高电压交/直流LED芯片
目录
一、背景 二、直流LED芯片 (一)大电流密度的直流LED芯片
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1、正装结构的大电流密度LED芯片 2、垂直结构的大电流密度LED芯片 3、3维垂直结构的大电流密度LED器件 (二)高电压的直流LED芯片 1、正装结构的高电压的LED芯片 2、倒装结构的高电压的LED芯片 (三)高电压和大电流密度的直流LED芯片 1、垂直结构的高电压的大电流密度LED芯片 2、3维垂直结构的高电压的大电流密度LED芯片 三、交流
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关于LED芯片的那些事
相较于白炽灯、紧凑型荧光灯等传统光源,发光二极管(LED)具有发光效率高、寿命长、指向性高等诸多优势,日益受到业界青睐而被用于通用照明(General Lighting)市场。LED照明应用要加速普及,短期内仍有来自成本、技术、标准等层面的问题必须克服,技术方面,包括色温、显色性和效率提升等问题,仍有待进一步改善。而LED在通用照明市场的应用涉及多方面的要求,须从系统的角度去考虑,如LED光源、电源转换、驱动控制、散热和光学等。
薄膜芯片技术崭露锋芒
目前,LED芯片技术的发展关键在于基底材料和晶圆生长技术。基底材料除了传统的蓝宝石材料、硅(Si)、碳化硅(SiC)以外,氧化锌(ZnO)和氮化镓(GaN)等
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八成LED芯片2015年实现国产化
在中山古镇一灯饰卖场前,选购灯具的市民张小姐犹豫了半天,最终还是决定选购价格便宜的节能灯。“LED灯虽然环保,但动辄要上百元,是普通灯泡的数倍。太贵了,用不起。”
张小姐的感叹,正道出了许多市民的心声。近年来,虽然LED日渐红火,高昂的价格却始终成为阻止其飞入百姓家的最大门槛。但这一局面不久有望得到彻底改变。
5月7日,科技部发布《半导体照明科技发展“十二五”专项规划(征求意见稿)》(下称《规划》)。“到2015年80%以上的芯片实现国产化”这一目标,引发了业界的高度关注。如果目标能够实现,LED照明有望大幅降价,从而一举开启民用市场。
价格高企:民用市场难推广
事实上,近年来宏观
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Si衬底LED芯片制造和封装技术
引言
1993年世界上第一只GaN基蓝色led问世以来,LED制造技术的发展令人瞩目。目前国际上商品化的GaN基LED均是在蓝宝石衬底或SiC衬底上制造的。但蓝宝石由于硬度高、导电性和导热性差等原因,对后期器件加工和应用带来很多不便,SiC同样存在硬度高且成本昂贵的不足之处,而价格相对便宜的si衬底由于有着优良的导热导电性能和成熟的器件加工工艺等优势,因此Si衬底GaN基LED制造技术受到业界的普遍关注。
目前日本日亚公司垄断了蓝宝石衬底上GaN基LED专利技术,美国CREE公司垄断了SiC衬底上GaN基LED专利技术。因此,研发其他衬底上的GaN基LED生产技术成为国际上的一个热点。
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【有问有答】LED芯片使用中的五大技术问题
看见一个资深工程师自己在本站网站上总结了几个LED芯片使用过程中经常遇到的问题及如何解决,分享给大家,请看下文。 1、正向电压降低,暗光: A:一种是电极与发光材料为欧姆接触,但接触电阻大,主要由材料衬底低浓度或电极缺损所致。 B:一种是电极与材料为非欧姆接触,主要发生在芯片电极制备过程中蒸发第一层电极时的挤压印或夹印,分布位置。 另外封装过程中也可能造成正向压降低,主要原因有银胶固化不充分,支架或芯片电极沾污等造成接触电阻大或接触电阻不稳定。 正向压降低的芯片在固定电压测试时,通过芯片的电流小,从而表现暗点,还有一种暗光现象是芯片本身发光效率低,正向压降正常。 2、难压焊:(主要有打不粘,电极脱落,打穿
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LED芯片厂积极扩张 产业进入成长期
据Semiconductor引述研究机构SEMI报导,统计全球180座LED/光电晶圆厂(Opto/LEDFab)分布,日本厂商拥有最多的LED/光电晶圆厂,然LED晶圆厂的分布地区排行,则以台湾、日本及大陆包办前3名。 位于台湾、日本及大陆的LED厂数量目前分别占全球40%、23%及22%.2009年景气不佳,全球仍有7座新的LED厂启用,且2010及2011年预计分别还有5座及6座预备启用,主要位于大陆、台湾、日本、印度及俄罗斯。 尽管台湾已拥有全球最高的LED晶圆制造能力,然包含晶元光电等台湾LED厂商仍计划于2010年持续投资,以追上预计将比当前多上20~30%的未来需求。2010年金属有机物化学气相
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最新统计中国LED芯片厂家增至62家
LED产业研究机构LEDinside日前发布最新报告,截止2009年8月,中国大陆现存LED芯片生产企业达62个,近几年呈快速上涨的势头。1999年是中国LED芯片企业开始飞速发展的开始,在98年中国仅有3个相关企业,99年增加了6个,并从99年至2009年每年都有2-7个企业进入LED芯片行业。
从1999年-2009年11年里有7年时间每年新进入LED芯片企业的数量在6个及以上。低谷在2002年,仅有2个企业进入LED芯片行业。最高峰在2009年,仅1月至8月就有7个企业进入LED芯片行业。芯片生产企业数量更是从1998年3个增至2009年8月62个。
2000年之前虽有企业进入LED芯片行业,
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