推荐阅读最新更新时间:2023-10-13 10:27
赢在3G,专家坐堂热议移动终端创新设计
日前,记者从第十一届高交会电子展(ELEXCON)新闻发布会获悉,由创意时代和中国通信学会共同举办的“2009中国3G终端设计大会暨手机关键元器件3G之选(CMKC2009)”将于高交会电子展期间(11月16-17日)在深召开,联发科、恒忆、顺络电子、精工电子、楼氏电子、三信电气等手机关键元器件供应商将携手中国移动、iSuppli以及三星首席android专家登台亮相,为3G时代移动终端创新设计献言进策,中国通信学会副理事长刘彩也将出席大会。
随着3G市场的启动,中国手机市场的巨大潜力受到了全世界的关注。有业界人士表示,未来几年中国3G市场必将改变全球手机产业的格局,如何利用3G契机快速发展已经成为各大手机厂商目
[手机便携]
Holtek半导体推出适用于白光LED的驱动IC
随着白光LED成本下降,白光WLED被广泛应用于各个领域,HOLTEK半导体看好白光LED的发展,针对显示器背光的应用开发一系列白光LED驱动IC,日前推出了HT7937适用于串联式白光LED的驱动IC。
HT7937提供高输出电压,驱动高达5颗串联式LED。采用串联式设计,可以让流经每颗LED的电流相同,达到每颗LED亮度相同的目的。回授电压为95mV,藉由连接4.7奥姆对地的电阻,可以设定流经LED的电流为20mA,低至95mV的回授电压,可使回授电阻消耗的功率极小,boost的转换效率高达84%。
内建过电压保护功能,于LED损坏造成回授路径开路时,将输出电压限制于保护电压之下,进一步保护IC不
[电源管理]
IGBT/MOSFET技术促使太阳能面板转换效率猛进
随着节能观念兴起,再生能源的发电效率也逐渐受到重视,为迎合市场需求,太阳能业者皆无所不用其极努力打造节能高效的太阳能发电系统。受惠近期太阳能光伏逆变器中的IGBT与MOSFET两项功率元件技术显著进步,太阳能面板转换效率已大幅提升。 IGBT技术演进日趋成熟 IGBT与N通道(N-ch)型MOSFET不同处在于,N-ch型MOSFET的基板极性为N;而IGBT的基板极性为P。由IGBT的构造图可看出,IGBT是由N-ch型的MOSFE与PNP型双极面结型晶体管(BipolarJunctionTransistor,BJT)组合而成。 第二代的穿透型平坦式(PunchThroughPlanar)IGBT(图1)在内部N-chMOS
[新能源]
我国传感器和仪器仪表元器件市场分析
CMIC(中国市场情报中心)最新发布:我国传感器和仪器仪表的技术和产品,经过发展,有了较大的提高。全国已经有1600多家企事业单位从事传感器和仪表元器件的研制、开发、生产。但与国外相比,我国传感器和仪表元器件的产品品种和质量水平,尚不能满足国内市场的需求,总体水平还处于国外上世纪90年代初期的水平。存在的主要问题有:
(1)科技创新差,核心制造技术严重滞后于国外,拥有自主知识产权的产品少,品种不全,产品技术水平与国外相差15年左右。
(2)投资强度偏低,科研设备和生产工艺装备落后,成果水平低,产品质量差。
(3)科技与生产脱节,影响科研成果的转化,综合实力较低,产业发展后劲不足。
到2020
[模拟电子]
预驱动器和MOSFET控制功率负载的电路设计
随着汽车电子设备的不断增多,如自动变速箱,电动后视镜折叠、中控自动门锁等高级功能的普及,我们电控模块的驱动方式也发生了改变,从传统的板内继电器的驱动方案到现在越来越多的半导体驱动芯片(预驱动器、 MOSFET )的解决方案。 现在的主流应用是采用板内继电器来控制功率 负载 。虽然继电器的成本比较低,控制也相对简单,但是其大体积、短寿命和会产生噪声的缺点也非常明显,具体请参考表1。 表1:板内继电器驱动方案优缺点比较 随着技术的不断推进,板内继电器带来的问题迫切需要解决,负载的故障状态也需要诊断,因此新型的预 驱动 器和MOSFET控制功率负载的解决方案越来越多的得到关注,现如今安森美半导体MOSFET的Rds(on)
[电源管理]
用于计算应用的占位面积优化功率器件
I.概述
本文将:
. 总结针对计算应用的典型同步降压调节器负载设计规范;Tjcn、负载电流、DC和瞬态调节
. 简单概述带来典型的每相20 - 30 A电流的因素;工作频率、瞬态响应和效率
. 解释三要素概念= 额定输出电流由三个因素确定:输出功率/电流、效率,以及Tjcn-amb热阻抗
. 总结功率级(Power Stage)器件设计特性,优化效率和热阻抗
. 展示在效率、功率损耗和温升等方面的测量数据
. 解释采用如何测量安装在电源板上的零部件的热阻抗
. 探讨受输出电压影响的效率和 热阻抗 ,及所产生的HS/LS占空比(duty cycle)
. 结论
II.典型的同步降压计算负
[电源管理]
得益于晶圆减薄工艺与创新的封装,功率MOSFET在不断进步
要点
1.导通电阻与栅极电荷规格的改善正在变得更难以实现和更昂贵。
2.作为功率开关器件的选择,硅远未到死亡尽头,仍然还有发展余地。
3.对性能增强的探索来自于晶圆减薄和封装创新。
SiC(碳化硅)和GaN(氮化镓)是使用宽带隙半导体的新型开关功率晶体管,它们很可能会持续显著地增加功率转换效率(参考文献1)。但是,一直表现良好的硅功率MOSFET现在占市场统治地位,未来很多年,这种现状仍将持续下去。今年2月5日~9日在佛罗里达州奥兰多召开的APEC(实用功率电子大会),传统上一直是最大的功率开关器件展示会,也是检验功率MOSFET技术的一个好场所。
功率MOSFET通常会按其阻断电压
[电源管理]
PAM推出内置MOSFET高压LED驱动器
PAM(Power Analog Microelectronics)推出内置MOSFET高压30瓦的LED驱动器,采用台积电的双极型CMOS-DMOS(BCD)工艺制成。具有从5.5V 到40V很宽的输入电压范围,它是一个非常灵活的LED驱动器,可以工作于升压、降压、升降压(SEPIC)三种工作方式。它可以利用内置的MOSFET来驱动10个3瓦的LED,或者30个1瓦的LED。由于它在很宽的电压范围内的恒流特性和95%以上的效率,使它不论是在输入电压跌落或很高的环境温度时,都能正常工作。因为利用了台积电的40伏BCD工艺,和PAM公司已申请的专利,它还集成了一个功率MOSFET管。其他的功能还包括过流保护、过压保护、欠压锁定和过温
[电源管理]