IGBT—未来功率半导体的中流砥柱

发布者:EEWorld资讯最新更新时间:2019-08-19 来源: EEWORLD关键字:IGBT 手机看文章 扫描二维码
随时随地手机看文章
IGBT(绝缘栅双极型晶体管),是由 BJT(双极结型晶体三极管) 和 MOS(绝缘栅型场效应管) 组成的复合全控型-电压驱动式-功率半导体器件,其具有自关断的特征。简单讲,是一个非通即断的开关,IGBT没有放大电压的功能,导通时可以看做导线,断开时当做开路。IGBT融合了BJT和MOSFET的两种器件的优点,如驱动功率小和饱和压降低等。


IGBT模块是由IGBT与FWD(续流二极管芯片)通过特定的电路桥接封装而成的模块化半导体产品,具有节能、安装维修方便、散热稳定等特点。



IGBT是能源转换与传输的核心器件,是电力电子装置的“CPU” 。采用IGBT进行功率变换,能够提高用电效率和质量,具有高效节能和绿色环保的特点,是解决能源短缺问题和降低碳排放的关键支撑技术。



IGBT是以GTR为主导元件,MOSFET为驱动元件的达林顿结构的复合器件。其外部有三个电极,分别为G-栅极,C-集电极,E-发射极。



在IGBT使用过程中,可以通过控制其集-射极电压UCE和栅-射极电压UGE的大小,从而实现对IGBT导通/关断/阻断状态的控制。


1)当IGBT栅-射极加上加0或负电压时,MOSFET内沟道消失,IGBT呈关断状态。


2)当集-射极电压UCE<0时,J3的PN结处于反偏,IGBT呈反向阻断状态。


3)当集-射极电压UCE>0时,分两种情况:


②若栅-射极电压UGE<Uth,沟道不能形成,IGBT呈正向阻断状态。
②若栅-射极电压UGE>Uth ,栅极沟道形成,IGBT呈导通状态(正常工作)。此时,空穴从P+区注入到N基区进行电导调制,减少N基区电阻RN的值,使IGBT通态压降降低。

image.png


IGBT各世代的技术差异


回顾功率器件过去几十年的发展,1950-60年代双极型器件SCR,GTR,GTO,该时段的产品通态电阻很小;电流控制,控制电路复杂且功耗大;1970年代单极型器件VD-MOSFET。但随着终端应用的需求,需要一种新功率器件能同时满足:驱动电路简单,以降低成本与开关功耗、通态压降较低,以减小器件自身的功耗。1980年代初,试图把MOS与BJT技术集成起来的研究,导致了IGBT的发明。 


1985年前后美国GE成功试制工业样品(可惜后来放弃)。自此以后, IGBT主要经历了6代技术及工艺改进。

image.png


从结构上讲,IGBT主要有三个发展方向:


1)IGBT纵向结构:非透明集电区NPT型、带缓冲层的PT型、透明集电区NPT型和FS电场截止型;


2)IGBT栅极结构:平面栅机构、Trench沟槽型结构;


3)硅片加工工艺:外延生长技术、区熔硅单晶;


其发展趋势是:①降低损耗 ②降低生产成本


总功耗= 通态损耗 (与饱和电压 VCEsat有关)+开关损耗 (Eoff Eon)。同一代技术中通态损耗与开关损耗两者相互矛盾,互为消长。


IGBT模块按封装工艺来看主要可分为焊接式与压接式两类。高压IGBT模块一般以标准焊接式封装为主,中低压IGBT模块则出现了很多新技术,如烧结取代焊接,压力接触取代引线键合的压接式封装工艺。


随着IGBT芯片技术的不断发展,芯片的最高工作结温与功率密度不断提高, IGBT模块技术也要与之相适应。未来IGBT模块技术将围绕 芯片背面焊接固定 与 正面电极互连 两方面改进。模块技术发展趋势:


  • 无焊接、 无引线键合及无衬板/基板封装技术;
  • 内部集成温度传感器电流传感器及驱动电路等功能元件,不断提高IGBT模块的功率密度、集成度及智能度。


image.png

IGBT的主要应用领域


作为新型功率半导体器件的主流器件,IGBT已广泛应用于工业、 4C(通信、计算机、消费电子、汽车电子)、航空航天、国防军工等传统产业领域,以及轨道交通、新能源、智能电网、新能源汽车等战略性新兴产业领域。

image.png

1)新能源汽车


IGBT模块在电动汽车中发挥着至关重要的作用,是电动汽车及充电桩等设备的核心技术部件。IGBT模块占电动汽车成本将近10%,占充电桩成本约20%。IGBT主要应用于电动汽车领域中以下几个方面:


A)电动控制系统 大功率直流/交流(DC/AC)逆变后驱动汽车电机;


B)车载空调控制系统 小功率直流/交流(DC/AC)逆变,使用电流较小的IGBT和FRD;


C)充电桩 智能充电桩中IGBT模块被作为开关元件使用;


2)智能电网


IGBT广泛应用于智能电网的发电端、输电端、变电端及用电端:

  • 从发电端来看,风力发电、光伏发电中的整流器和逆变器都需要使用IGBT模块。
  • 从输电端来看,特高压直流输电中FACTS柔性输电技术需要大量使用IGBT等功率器件。
  • 从变电端来看,IGBT是电力电子变压器(PET)的关键器件。
  • 从用电端来看,家用白电、 微波炉、 LED照明驱动等都对IGBT有大量的需求。


image.png


3)轨道交通


IGBT器件已成为轨道交通车辆牵引变流器和各种辅助变流器的主流电力电子器件。交流传动技术是现代轨道交通的核心技术之一,在交流传动系统中牵引变流器是关键部件,而IGBT又是牵引变流器最核心的器件之一。


IGBT国内外市场规模


2015年国际IGBT市场规模约为48亿美元,预计到2020年市场规模可以达到80亿美元,年复合增长率约10%。2014年国内IGBT销售额是88.7亿元,约占全球市场的1∕3。预计2020年中国IGBT市场规模将超200亿元,年复合增长率约为15%。


从公司来看,国外研发IGBT器件的公司主要有英飞凌、 ABB、三菱、西门康、东芝、富士等。中国功率半导体市场占世界市场的50%以上,但在中高端MOSFET及IGBT主流器件市场上,90%主要依赖进口,基本被国外欧美、日本企业垄断。


image.png

国外企业如英飞凌、 ABB、三菱等厂商研发的IGBT器件产品规格涵盖电压600V-6500V,电流2A-3600A,已形成完善的IGBT产品系列。


英飞凌、 三菱、 ABB在1700V以上电压等级的工业IGBT领域占绝对优势;在3300V以上电压等级的高压IGBT技术领域几乎处于垄断地位。在大功率沟槽技术方面,英飞凌与三菱公司处于国际领先水平。


西门康、仙童等在1700V及以下电压等级的消费IGBT领域处于优势地位。


尽管我国拥有最大的功率半导体市场,但是目前国内功率半导体产品的研发与国际大公司相比还存在很大差距,特别是IGBT等高端器件差距更加明显。核心技术均掌握在发达国家企业手中,IGBT技术集成度高的特点又导致了较高的市场集中度。跟国内厂商相比,英飞凌、 三菱和富士电机等国际厂商占有绝对的市场优势。形成这种局面的原因主要是:


  • 国际厂商起步早,研发投入大,形成了较高的专利壁垒。
  • 国外高端制造业水平比国内要高很多,一定程度上支撑了国际厂商的技术优势。


中国功率半导体产业的发展必须改变目前技术处于劣势的局面,特别是要在产业链上游层面取得突破,改变目前功率器件领域封装强于芯片的现状。


总的来说,在技术差距方面有:高铁、智能电网、新能源与高压变频器等领域所采用的IGBT模块规格在6500V以上,技术壁垒较强;IGBT芯片设计制造、模块封装、失效分析、测试等IGBT产业核心技术仍掌握在发达国家企业手中。



近几年中国IGBT产业在国家政策推动及市场牵引下得到迅速发展,已形成了IDM模式和代工模式的IGBT完整产业链,IGBT国产化的进程加快,有望摆脱进口依赖。



受益于新能源汽车、轨道交通、智能电网等各种利好措施,IGBT市场将引来爆发点。希望国产IGBT企业能从中崛起。
关键字:IGBT 引用地址:IGBT—未来功率半导体的中流砥柱

上一篇:你不给我就自己做,韩国企业成功开发高纯度氟化氢
下一篇:5G需求火热!铜箔基板打响关键零件涨价第一枪

推荐阅读最新更新时间:2024-11-16 20:58

优化高电压IGBT造就高效率太阳能逆变器
随着绿色电力运动势头不减,包括家电、照明和电动工具等应用,以至其他工业用设备都在尽可能地利用太阳能的优点。为了有效地满足这些产品的需求,电源设计师正通过最少数量的器件、高度可靠性和耐用性,以高效率把太阳能源转换成所需的交流或者直流电压。 要为这些应用以高效率生产所需的交流输出电压和电流,太阳能逆变器就需要控制、驱动器和输出功率器件的正确组合。要达到这个目标,在这里展示了一个针对500W功率输出进行优化,并且拥有120V及60Hz频率的单相正弦波的直流到交流逆变器设计。在这个设计中,有一个DC/DC电压转换器连接到光伏电池板,为这个功率转换器提供200V直流输入。不过在这里没有提供太阳能电池板的详细资料,因为那方面不是我们讨论的重点
[电源管理]
优化高电压<font color='red'>IGBT</font>造就高效率太阳能逆变器
罗姆推出内置SiC二极管的混合IGBT 可降低汽车应用功耗
7月19日,半导体制造商罗姆(ROHM)宣布推出集成650V耐压、内置SiC肖特基势垒二极管的Hybrid IGBT(混合型IGBT),即RGWxx65C系列(包括RGW60TS65CHR、RGW80TS65CHR、RGW00TS65CHR),并符合汽车可靠性标准AEC-Q101。新产品适用于处理大功率的汽车和工业应用,例如光伏电源调节器、车载充电器以及电动和 电气化 汽车(xEV)中使用的DC/DC转换器。 (图片来源:罗姆) RGWxx65C系列在IGBT的反馈单元(续流二极管)中采用了罗姆的低损耗SiC肖特基势垒二极管,几乎没有恢复能量,因此可将二极管开关损耗降至最小。此外,由于在开启模式下恢复电流不必由IGBT处
[汽车电子]
罗姆推出内置SiC二极管的混合<font color='red'>IGBT</font> 可降低汽车应用功耗
Power Integrations推出适用于1.2kV至2.3kV“新型双通道” IGBT模块的单板即插即用型门极驱动器
Power Integrations推出适用于1.2kV至2.3kV“新型双通道” IGBT模块的单板即插即用型门极驱动器 NTC温度读数可提高精度和可靠性并将模块利用率提升高达30% 美国加利福尼亚州圣何塞,2024年5月21日讯 – 深耕于中高压逆变器应用门极驱动器技术领域的知名公司Power Integrations 今日宣布推出SCALE-iFlex™ XLT系列双通道即插即用型门极驱动器,适配单个LV100(三菱)、XHPTM 2(英飞凌)、HPnC(富士电机)以及耐压高达2300V的同等半导体功率模块,该模块适用于储能系统以及风电和光伏可再生能源应用。 该款超紧凑单板驱动器可对逆变器模块进行主动温升管理
[电源管理]
Power Integrations推出适用于1.2kV至2.3kV“新型双通道”  <font color='red'>IGBT</font>模块的单板即插即用型门极驱动器
关于IGBT导通延迟时间的精确测量方法
   0 引 言   绝缘栅双极型晶体管(IGBT)是GTR和MOSFET的一种新型复合器件,自问世以来就以输入阻抗高,开关速度快,通态压降低,阻断电压高,承受电流大等优点成为当今功率半导体器件中的主流开关器件,并广泛应用于多领域的工程实践当中。目前,IGBT的导通延迟时间可以达到几百纳秒,甚至更低。但在某些对器件时间特性要求较高的工程应用中,需要更精确地确定IGBT的导通延迟时间。因而高精度的测量时间间隔是测量领域一直关注的问题。本文从精简结构,同时兼顾精度的角度出发,提出一种基于时间测量芯片TDC-GP2来精确测量IGBT导通延迟时间系统,用于测量IGBT的导通延迟时间,实现简单且成本低的一种较为理想的测量方案。    1
[模拟电子]
Littelfuse宣布推出IGBT模块和整流器二极管模块
可提供标准和定制解决方案,确切满足要求。 中国,北京,2014年5月27日讯 - Littelfuse公司是全球电路保护领域的领先企业,日前宣布为其功率控制半导体系列新添两款产品。 新的半桥电路IGBT模块提供符合行业标准的S、D或WD封装和最高1200V、600A的额定值,能够可靠、灵活地提供依托现代IGBT技术的高效而迅速的开关速度。 此类产品设计用于多种功率控制应用,包括交流电机控制器、运动/伺服控制器、逆变器、电源以及太阳能逆变器。 新的相臂和常规阴极电路整流器二极管模块的额定值最高为1800V和200A,提供更高的热效率以保证更长的使用寿命和可靠性能。 其符合行业标准的S和A封装尺寸使标准二极管具有最高
[模拟电子]
Littelfuse宣布推出<font color='red'>IGBT</font>模块和整流器二极管模块
高压IGBT模块2SD315AI-33的应用研究
摘要:介绍了一种新型高性能高压IGBT集成驱动模块2SD315AI-33的管脚功能和工作原理,同时还给出了该模块与同类产品相比的显著性能特点,介绍了2SD315AI-33在“双逆变器-电机”能量互馈式交流传动试验系统中的应用方法,讨论了在实际应用中的注意事项。 关键词:IGBT 驱动模块 2SD315AI-33 逆变器 2SD315AI-33是瑞士CONCEPT公司专为3300V高压IGBT的可靠工作和安全运行而设计的驱动模块,它以专用芯片组为基础,外加必需的其它元件组成。该模块采用脉冲变压器隔离方式,能同时驱动两个IGBT 模块,可提供%26;#177;15V的驱动电压和%26;#177;15A的峰值电流,具有准确可靠的驱动
[应用]
如何使用万用表测试 IGBT
测试绝缘栅双极晶体管 (IGBT) 至关重要。通过进行测试,您可以识别 IGBT 中的任何潜在故障或弱点,以便及时维修或更换。这不仅可以防止意外故障,还有助于优化电气系统的性能和寿命。 准备 断电:首先,需要确保包含 IGBT 的电路或设备的电源已关闭并断开。 设置万用表:然后,您需要将万用表设置为二极管测试模式或电阻模式(欧姆表)。应正确校准万用表,使其能够正常工作。 识别 IGBT 引脚:最后但并非最不重要的一点是,您需要识别IGBT 的三个引脚:发射极 (E)、集电极 (C) 和栅极 (G)。如有需要,可以参考图进行管脚识别。 二极管测试模式 1. 将万用表的正极引线(红色探头)连接到 IGBT 的集电极引脚 (C)
[测试测量]
如何使用万用表测试 <font color='red'>IGBT</font>
无刷直流电机直驱抽油机系统控制器设计
目前国内外抽油机以油梁式抽油机为主,其缺点是:传动链长,可控性差,系统效率低、功率因数低、维护费用高、噪声大等,为了克服上述缺陷本设计采用大轮盘外转子无刷直流电机直接驱动抽油机,去掉了油梁、驴头、减速箱等机械装置,简化整个系统的结构,缩短了传动链,大大提高了抽油机的地面效率、机械传动装置的可靠性及运行效率,同时降低了采油成本,节约了资源。 1 抽油机控制系统方案设计 本设计采用高性能第二代单片无刷直流电机控制器MC33035及专门设计用于无刷直流电机控制系统的高性能闭环速度控制适配器MC33039作为无刷电机直驱抽油机系统控制器的核心,采用PWM调制方式控制电机的转矩和转速,由无刷电机内置的霍尔位置传感器检测电机转子的位置
[嵌入式]
小广播
最新半导体设计/制造文章
换一换 更多 相关热搜器件

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 市场动态 半导体生产 材料技术 封装测试 工艺设备 光伏产业 平板显示 EDA与IP 电子制造 视频教程

词云: 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2024 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved