降低功耗、简化设计,东芝全新内置保护功能光耦问市

发布者:EEWorld资讯最新更新时间:2020-03-10 来源: EEWORLD关键字:东芝 手机看文章 扫描二维码
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东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)宣布,推出“TLP5231”,这是一款面向中大电流绝缘栅双极型晶体管(IGBT)和MOSFET的预驱动光耦,适用于工业逆变器和光伏(PV)的功率调节系统。这款全新的预驱动光耦内置多种功能[1],其中包括通过监控集电极电压实现过流检测。产品于今日起开始出货。

 

 

TLP5231产品示意图

 

新型预驱动光耦使用外部P沟道和N沟道互补的MOSFET作为缓冲器,来控制中大电流IGBT和MOSFET。

 

目前现有产品[2]需要使用双极型晶体管构成的缓冲电路来实现电流放大,这会在工作中消耗基极电流。新产品能够使用外部互补MOSFET缓冲器,仅在缓冲器MOSFET的栅极充电或放电时消耗电流,有助于降低功耗。

 

通过改变外部互补MOSFET缓冲器的大小,TLP5231能够为各种IGBT和MOSFET提供所需的栅极电流。TLP5231、MOSFET缓冲器以及IGBT/MOSFET的配置可用作平台来满足系统的功率需求,从而简化设计。

 

其他功能包括:在检测到VCE(sat)过流后使用另一个外部N沟道MOSFET控制“栅极软关断时间”;另外,除了能通过监控集电极电压检测到VCE(sat)之外,还有UVLO[3]检测,将任意故障信号输出到一次侧。以上这些现有产品[2]不具备的新特性,能够让TLP5231帮助用户更轻松地设计栅极驱动电路。

 

应用:

 

・IGBT与功率MOSFET栅极驱动(预驱动)

 

・交流电机和直流无刷电机控制

 

・工业逆变器与不间断电源(UPS)

 

・光伏(PV)电源调节系统

 

特性:

 

・内置有源时序控制的双输出,适用于驱动P沟道和N沟道互补MOSFET缓冲器。

 

・当检测到过流时,通过使用另一个外部N沟道MOSFET实现可配置栅极软关断时间。

 

・当监控集电极电压检测到过流时或UVLO时,故障信号会输出到一次侧。

 

主要规格:

 

(除非另有说明,@Ta=-40至110℃,典型值@Ta=25℃)  

image.png

image.png


注释:

 

[1] 栅极信号软关断、故障反馈功能

 

[2] TLP5214、TLP5214A

 

[3] UVLO:欠压锁定

 

[4] 常见VE

 

 


关键字:东芝 引用地址:降低功耗、简化设计,东芝全新内置保护功能光耦问市

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