海力士公布2020年2季度营收，增长20%

　　韩国海力士半导体主要大股东韩国外换银行称，持海力士28%股权的大股东同意今年出售最多13%的股份。 　　 　　韩国外换银行在声明中称，上半年将向债权人出售约8%的股份，之后寻找战略投资者买下其馀股份，并可能在下半年完成交易。由于乏人问津，先前海力士试图通过竞标出售股份的努力失败。 　　 　　控股股东选择海力士中国区总裁O.C. Kwon担任新的首席执行官。

美国对大陆内存厂商福建晋华发布禁售令，重创中国的半导体美梦，中国当局或许打算另辟蹊径，强化半导体产业。近来韩国内存大厂SK海力士(SK Hynix)，在中国无锡厂引进了DUV(deep ultraviolet、深紫外光)光刻设备。韩媒揣测，中国对韩国内存业者启动反垄断调查，韩厂或许被迫引进高科技设备讨好北京当局，以免惨遭修理。 韩媒BusinessKorea 2日报导，上个月SK海力士在中国无锡厂举行DUV设备的导入典礼，将用来生产DRAM。新设备是荷兰半导体光刻设备商艾司摩尔(ASML)的“NXT2000i”，一台要价数千万到数亿美元之间，这是ASML NXT2000i首次引进中国。ASML不向中国贩售最新设备。 DUV

在8月8日至10日于圣克拉拉举行的闪存峰会（FMS）2023上，SK海力士公司介绍了其321层1Tb TLC* 4D NAND闪存的开发进展，并展示了样品。SK hynix是业内首家详细公布300多层NAND开发进展的公司。该公司计划提高321层产品的完成度，并在2025年上半年开始量产。 该公司表示，已量产的全球最高 238 层 NAND 的成功为其积累了技术竞争力，为 321 层产品的顺利开发铺平了道路。 随着解决堆叠限制的又一次突破，SK hynix 将开启 300 层以上 NAND 的时代，引领市场潮流。 321层1Tb TLC NAND与早一代238层512Gb相比，生产率提高了59%，这得益于技术的发展，它可以在单个

前不久国内监管部门批准了SK海力士90亿美元收购Intel闪存业务的交易，至此双方的法律审核阶段已经完成，SK海力士正式接管Intel闪存业务及位于中国大连的闪存工厂，第一阶段将支付Intel公司70亿美元，约合446亿元。 　　 SK海力士宣布，已于12月30日圆满完成了收购Intel NAND闪存及SSD业务案的第一阶段。 　　 继12月22日获得中国国家市场监督管理总局的批准后，SK海力士今日完成了第一阶段的后续流程，包括从英特尔接管SSD业务及其位于中国大连NAND闪存制造厂的资产，作为对价，SK海力士将向Intel支付70亿美元。 　　 此后，预计在2025年3月或之后的第二阶段交割时，SK海力士将支付20亿美元余款从I

该报道指出，Gauss Labs上个月在美国硅谷设立总部后，本月晚些时候将在韩国设立办事处。SK海力士是其截至2022年的5500万美元初始资本的唯一投资者。 据悉，SK集团一直在推广各种人工智能业务。SK集团董事长Chey Tae-won去年8月在SK Icheon论坛上强调，集团应利用人工智能和数字转型等创新技术创造社会价值，拓展市场，为客户谋求幸福。并表示，“如果我们不能利用创新技术，我们就不能保证SK的未来。” Gauss Labs是SK集团第一家专门从事人工智能的独立公司。世界著名数据科学家、加州大学圣地亚哥分校终身教授、电气与电子工程师协会（IEEE）研究员Kim Young-han将出任Gauss Labs的CEO。

据韩国《中央日报》4日报道，在日本政府限制向韩国出口氟化氢、光刻胶、含氟聚酰亚胺等尖端半导体材料后，SK海力士设在中国无锡的半导体工厂已经完全使用中国生产的氟化氢取代了日本产品。 该报道还指出，三星电子和SK海力士负责材料开发的工程师正在对韩国生产的氟化氢试验品进行成分分析，三星电子已经开始使用替代产品。目前看来，三星电子和SK海力士寻找日产氟化氢替代材料的工作比预期进展顺利，预计到年底前后，就可以完全替代日本产品。 《Nocut News》此前也报道过，韩国业界相关人士表示，三星电子正在积极测试氟化氢，不久后将取得良好成果。 韩国国内材料企业Soulbrain忠南公州工厂的扩建工程如果按计划在本月末竣工，韩国本土生产的氟化氢

根据市场调研机构《IC Insights》最新报告预测，由于过去一年 DRAM 的巨额资出，加上贸易局势不稳定，以及因需求疲软而导致 DRAM 平均销售价格受到压制，调研机构预估今年 DRAM 资本支出将会暴跌 28%。今年下半年，半导体产业最渴望知道的，就是 DRAM 市场景气何时复苏，景气复苏的程度多寡，以便决定 IC 产业将有多少产能。 同时还必须考虑在过去两年累积的巨额资本支出后，市场究竟还能有多少产能上线，以及 DRAM 价格的下滑程度多大。 全球三大 DRAM 主要供货商，分别为南韩的三星、SK 海力士和美光，这三大厂一致认为，未来几年 DRAM 产量将以每年约 20% 的速度增长。 上图为美光于 201

全球第三大半导体制造商SK海力士（SK Hynix）承诺将在一年内生产1 α DRAM和176层4D NAND闪存。 这家韩国公司表示，此举将“提高在竞争激烈的市场中的成本竞争力”。第四大芯片制造商美光科技公司（Micron Technology）最近表示，在去年宣布量产首批176层NAND之后，其1 α节点DRAM也开始量产。 SK海力士在2020财年第四季度公告中做出了如上承诺。它还计划增加HBM2E等高附加值DRAM产品的比例，以满足高性能计算和人工智能的需求。 该公司表示，2020年，其收入为31.0万亿韩元（约286亿美元），比2019年增长18％。2020年四季度收入为7.9万亿韩元（约合71亿美元），同比