[组图]800瓦MOSFET功放

eeworld网消息，亚德诺半导体 (Analog Devices, Inc.，简称 ADI) 旗下凌力尔特公司 (Linear Technology Corporation) 推出高速、高压侧 N 沟道 MOSFET 驱动器 LTC7000/-1，该器件采用高达 150V 的电源电压工作。其内部充电泵全面强化一个外部 N 沟道 MOSFET 开关，因而使之能无限期地保持导通。LTC7000/-1 的强大 1Ω 栅极驱动器能够以非常短的转换时间驱动大栅极电容 MOSFET，这非常适合高频开关和静态开关应用。  LTC7000/-1  可在 3.5V 至 135V (150VPK) 输入电源范围和一个 3.5V 至 15V 偏置

Microchip推出首款完全可配置的碳化硅MOSFET数字栅极驱动器，可将开关损耗降低50%，同时加快产品上市时间，现已投入生产 新技术使电动公共汽车等电动交通动力系统能够满足并超出严格的环境条件要求，同时 最大限度地提高效率 随着对电动公共汽车和其他电气化重型运输车辆的需求增加，以满足更低的碳排放目标，基于碳化硅的电源管理解决方案正在为此类运输系统提供更高效率。为了进一步完善其丰富的碳化硅MOSFET分立和模块产品组合，Microchip Technology Inc.（美国微芯科技公司）今日宣布推出一款全新的1200V可直接用于生产的数字栅极驱动器，为系统开发人员提供多层级的控制和保护，以实现安全、可靠的运

宾夕法尼亚、MALVERN — 2012 年 6 月28 日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出新款8V N沟道TrenchFET®功率MOSFET---SiA436DJ。该器件采用占位面积2mm x 2mm的热增强型PowerPAK® SC-70封装，具有N沟道器件中最低的导通电阻。 新的SiA436DJ在4.5V、2.5V、1.8V、1.5V和1.2V下具有9.4mΩ、10.5mΩ、12.5mΩ、18mΩ和36mΩ的超低导通电阻。导通电阻数值比前一代方案最多低18%，比2mm x 2mm占位面积的最接近的N沟道器件最多低64%。 SiA436D

最近我自己在做一款射频功放。做出来也就是一款产品了。谈到功放，大家都不陌生，就是把信号放大最后经过天线发射出去，但是目前射频这一块，把功放单独拿出来算是一个类目，功放说起来很简单，但是做起来要考虑的事情太多了，我以前也做过不少的功放，但是都是小功率的，窄带；不超过10W的功率，相对来说还好做一点。 我自己把功放分下类不是按照什么工作点来分类的，是按照难易程度分类，目前功放可以分为宽带功放，和窄带功放如下图所示：       其实在这里面还能分类，分为线性功放和非线性功放，随着现在的数字调制技术的发展，对功放的要求也是很苛刻的。有些是是多载波信号（OFDM），这个就对功放的要求比较严格，必须要使用线性功放。目前国内做的线性功放多

    宾夕法尼亚、MALVERN — 2013 年 10 月10 日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，其Si7655DN MOSFET荣获《今日电子》杂志的第十一届年度Top-10电源产品奖。Si7655DN是业内首款采用3.3mm x 3.3mm封装的20V P沟道MOSFET，在4.5V栅极驱动下的最大导通电阻只有4.8mΩ，也是采用新版本Vishay Siliconix PowerPAK® 1212封装的首款器件。     《今日电子》的编辑根据创新的设计、在技术或应用方面取得显著进步，以及性价比的卓越表现，从前一年推出的数百款产品中进行评选。Visha

自从被黑胶和原版开盘迷住以后，对CD产品已不屑一顾，难道时代的进步带来的先进数码设备反而不及过时的模拟设备？虽然旧时的模拟音源有其优越的地方，但毕竟从耐用性和内容的多样性相对今天来说，已经难以满足需求，数字音源是唯一的选择。如果用LP的效果标准来要求CD，理论上并不存在困难，而在实际应用中能达到这种要求的产品少之又少，是什么原因？于是本人也异想天开地想通过实践来知道一些相关答案。D/A芯片的三驾马车TDA1541、AD1865、PCM63据说是三大传世经典颇受青睐，一直以来都有听过多款不同版本的产品，其中滋味难以用文字语言来表达，有进口厂机，也有DIY产品，好听耐听的都是借朋友的，自己拥有的机器都不太满意，呵呵。 　　先从这几

    日前，VishayIntertechnology,Inc.宣布，推出新款20VP沟道功率MOSFET——SiA433EDJ。器件采用紧凑的2mm×2mm占位面积的热增强PowerPAKSC-70封装，具有迄今为止P沟道器件所能达到的最低导通电阻。新款SiA433EDJ是采用第三代TrenchFETP沟道技术的最新器件，使用了自矫正的工艺技术，在每平方英寸的硅片上装进了1亿个晶体管。这种最先进的技术实现了超精细、亚微米的间距工艺，将目前业界最好的P沟道MOSFET的导通电阻减小了近一半。     SiA433EDJ具有超低的导通电阻，在4.5V、2.5V和1.8V下的导通电阻分别为18mΩ、26mΩ和65mΩ。在4.5V

    摘 要 美国NS公司推出的面向中小型直流电机及步进电机的全桥功放集成电路LDM18245只需外接两个电阻和两个电容，即可实现电机的功率驱动、电流控制及多种保护功能。详细介绍了该集成电路的工作原理及典型应用。     关键词 电机驱动PWM 功率放大器 功放集成电路LMD18245   随着集成电路制造技术的发展，集成功率放大器的性能不断提高。当前，出现了许多用于中小型直流电机及步进电机驱动的性能优良的集成电路产品。对于中小型直流电机及步进电机控制电路的设计人员来说，选用性能参数都比较合适的集成功率放大器，与采用分立元件设计的功放电路相比，不但能减小功放电路的体积，提高功放电路的整体性能；而且由于集