32nm工艺High-K金属栅极试产成功-电子工程世界

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　　IBM公司及其技术同盟厂商，包括特许半导体、飞思卡尔、英飞凌、三星、意法半导体和东芝日前共同宣布，他们在IBM位于美国纽约州East Fishkill的300mm晶圆厂已经成功展示了32nm High-K金属栅极技术晶圆，联盟各厂商客户现在已经可以开始进行32nm芯片产品的设计开发工作。

　　据该产业联盟称，其32nm工艺High-K金属栅极技术，相比45nm工艺能够在相同的电压下性能提高35%，同时能耗降低30%到50%。同盟中的IBM、特许和三星已经开始进行32nm High-K金属栅极技术的OEM应用进程。其低功耗32nm开发套件能够平滑过渡到28nm技术，未来还将升级到22nm。

　　联盟厂商已经通知其合作伙伴开始进行32nm产品的设计，从今年第三季度开始将通过原型设计巡回的方式对32nm High-K金属栅极技术开发进行支持。预计能够在明年下半年看到32nm处理器上市。

关键字：晶圆客户栅极设计开发功耗原型处理器编辑：汤宏琳引用地址：32nm工艺High-K金属栅极试产成功

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